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DMTH43M8LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH43M8LK3Q.pdf DMTH43M8LK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMTH43M8LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH43M8LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH43M8LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH43M8LPSQ.pdf DMTH43M8LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH45M5LPDWQ-13 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 55A; Idm: 316A; 3W
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 316A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH45M5LPSWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH45M5LPSWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMTH45M5SPDWQ-13 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 55A; Idm: 316A; 3.3W
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 316A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH47M2LFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH47M2LFVWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9.6A; Idm: 196A; 2.9W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 2.9W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMTH47M2LPSW-13 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 51A; Idm: 292A; 3.8W
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 292A
Power dissipation: 3.8W
Gate charge: 12.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 51A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH47M2LPSWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH47M2LPSWQ-13 Multi channel transistors
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DMTH48M3SFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH48M3SFVWQ.pdf DMTH48M3SFVWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH48M3SFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMTH48M3SFVWQ.pdf DMTH48M3SFVWQ-7 SMD N channel transistors
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DMTH6002LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH6002LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 145A; Idm: 820A; 3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 820A
Power dissipation: 3W
Gate charge: 130.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 145A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6002LPSWQ-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 145A; Idm: 820A; 3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 820A
Power dissipation: 3W
Gate charge: 131nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 145A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6004LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004LPS.pdf DMTH6004LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6004LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004LPSQ.pdf DMTH6004LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6004SCTB-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004SCTB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 4.7W
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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DMTH6004SCTBQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004SCTBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 4.7W
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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DMTH6004SK3-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 150A; 3.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 3.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004SK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.9W
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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DMTH6004SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004SPSQ.pdf DMTH6004SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6005LFG-13 DIODES INCORPORATED DMTH6005LFG-13 SMD N channel transistors
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DMTH6005LK3-13 DIODES INCORPORATED DMTH6005LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 150A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.9W
Pulsed drain current: 150A
Gate charge: 47.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 70A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6005LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH6005LK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 150A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.9W
Pulsed drain current: 150A
Gate charge: 47.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 70A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6005LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH6005LPS.pdf DMTH6005LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6005LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6005LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6006LPSWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6006LPSWQ.pdf DMTH6006LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6006SPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH6006SPS.pdf DMTH6006SPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6009LK3-13 DIODES INCORPORATED DMTH6009LK3.pdf DMTH6009LK3-13 SMD N channel transistors
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DMTH6009LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH6009LK3Q.pdf DMTH6009LK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMTH6009LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH6009LPS.pdf DMTH6009LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6009LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6009LPSQ.pdf DMTH6009LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMTH6010LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 130A; 3.1W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 3.1W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6010LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH6010LK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 130A; 3.1W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 3.1W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6010LPD-13 DIODES INCORPORATED DMTH6010LPD.pdf DMTH6010LPD-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010LPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6010LPDQ.pdf DMTH6010LPDQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH6010LPS.pdf DMTH6010LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6010LPSQ.pdf DMTH6010LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010LPSWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6010LPSWQ.pdf DMTH6010LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010SCT DIODES INCORPORATED DMTH6010SCT.pdf DMTH6010SCT SMD N channel transistors
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DMTH6010SK3-13 DIODES INCORPORATED DMTH6010SK3.pdf DMTH6010SK3-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH6010SK3Q.pdf DMTH6010SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010SPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH6010SPS.pdf DMTH6010SPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6012LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMTH6012LPSW.pdf DMTH6012LPSW-13 SMD N channel transistors
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DMTH6012LPSWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6012LPSWQ.pdf DMTH6012LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6015LPDWQ-13 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.6A; Idm: 140A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.6W
On-state resistance: 27mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.3nC
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 140A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6016LFDFW-7 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; Idm: 70A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 2.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMTH6016LFDFWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6016LFDFWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6016LFDFWQ-7R DIODES INCORPORATED DMTH6016LFDFWQ.pdf DMTH6016LFDFWQ-7R SMD N channel transistors
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DMTH6016LFVW-13 DIODES INCORPORATED DMTH6016LFVW-13 SMD N channel transistors
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DMTH6016LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMTH6016LFVW-7 SMD N channel transistors
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DMTH6016LFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6016LFVWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6016LFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMTH6016LFVWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 160A; 2.38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 2.38W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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DMTH6016LK3-13 DIODES INCORPORATED DMTH6016LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 70A; 3.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 3.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMTH6016LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH6016LK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 70A; 3.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 3.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6016LPD-13 DIODES INCORPORATED DMTH6016LPD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 50A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6016LPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6016LPDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 50A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6016LPS-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.5A; Idm: 145A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH6016LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6016LPSQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMTH6016LSD-13 DMTH6016LSD-13 DIODES INCORPORATED DMTH6016LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.2A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMTH6016LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH6016LSDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.5A; Idm: 145A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH43M8LK3Q-13 DMTH43M8LK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMTH43M8LPS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH45M5LPDWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 55A; Idm: 316A; 3W
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 316A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH45M5LPSWQ-13 DMTH45M5LPSWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMTH45M5SPDWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 55A; Idm: 316A; 3.3W
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 316A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH47M2LFVWQ-13 DMTH47M2LFVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9.6A; Idm: 196A; 2.9W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 2.9W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH47M2LPSW-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 51A; Idm: 292A; 3.8W
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 292A
Power dissipation: 3.8W
Gate charge: 12.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 51A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH47M2LPSWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH47M2LPSWQ-13 Multi channel transistors
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DMTH48M3SFVWQ-13 DMTH48M3SFVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH48M3SFVWQ-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH48M3SFVWQ-7 SMD N channel transistors
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DMTH6002LPS-13 DMTH6002LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 145A; Idm: 820A; 3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 820A
Power dissipation: 3W
Gate charge: 130.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 145A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6002LPSWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 145A; Idm: 820A; 3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 820A
Power dissipation: 3W
Gate charge: 131nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 145A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.3mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6004LPS-13 DMTH6004LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6004LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6004LPSQ-13 DMTH6004LPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6004LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6004SCTB-13 DMTH6004SCTB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 4.7W
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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DMTH6004SCTBQ-13 DMTH6004SCTBQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 4.7W
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 150A; 3.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 3.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q.pdf
DMTH6004SK3Q-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.9W
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
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DMTH6004SPSQ-13 DMTH6004SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6004SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6005LFG-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6005LFG-13 SMD N channel transistors
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DMTH6005LK3-13 DMTH6005LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 150A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.9W
Pulsed drain current: 150A
Gate charge: 47.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 70A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6005LK3Q-13 DMTH6005LK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 150A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.9W
Pulsed drain current: 150A
Gate charge: 47.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 70A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
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DMTH6005LPS-13 DMTH6005LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6005LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6005LPSQ-13
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DMTH6005LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6006LPSWQ-13 DMTH6006LPSWQ.pdf
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DMTH6006LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6006SPS-13 DMTH6006SPS.pdf
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DMTH6006SPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6009LK3-13 DMTH6009LK3.pdf
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DMTH6009LK3-13 SMD N channel transistors
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DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q.pdf
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DMTH6009LK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS.pdf
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DMTH6009LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6009LPSQ-13 DMTH6009LPSQ.pdf
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DMTH6009LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010LK3-13 DMTH6010LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 130A; 3.1W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 3.1W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6010LK3Q-13 DMTH6010LK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 130A; 3.1W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 3.1W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6010LPD-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010LPDQ-13 DMTH6010LPDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6010LPDQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010LPS-13 DMTH6010LPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6010LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010LPSQ-13 DMTH6010LPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6010LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010LPSWQ-13 DMTH6010LPSWQ.pdf
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DMTH6010LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010SCT DMTH6010SCT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6010SCT SMD N channel transistors
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DMTH6010SK3-13 DMTH6010SK3.pdf
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DMTH6010SK3-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010SK3Q-13 DMTH6010SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6010SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMTH6010SPS-13 DMTH6010SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6010SPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6012LPSW-13 DMTH6012LPSW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6012LPSW-13 SMD N channel transistors
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DMTH6012LPSWQ-13 DMTH6012LPSWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6012LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6015LPDWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.6A; Idm: 140A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.6W
On-state resistance: 27mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.3nC
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 140A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6016LFDFW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; Idm: 70A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 2.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMTH6016LFDFWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6016LFDFWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6016LFDFWQ-7R DMTH6016LFDFWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6016LFDFWQ-7R SMD N channel transistors
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DMTH6016LFVW-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6016LFVW-13 SMD N channel transistors
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DMTH6016LFVW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6016LFVW-7 SMD N channel transistors
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DMTH6016LFVWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6016LFVWQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6016LFVWQ-7 DMTH6016LFVWQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 160A; 2.38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 2.38W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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DMTH6016LK3-13 DMTH6016LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 70A; 3.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 3.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH6016LK3Q-13 DMTH6016LK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 70A; 3.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 3.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 50A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 50A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6016LPS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.5A; Idm: 145A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMTH6016LPSQ-13 DMTH6016LPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMTH6016LSD-13 DMTH6016LSD.pdf
DMTH6016LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.2A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMTH6016LSDQ-13 DMTH6016LSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.5A; Idm: 145A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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