DMTH6010LK3Q-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMTH6010LK3Q-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 130A; 3.1W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 11.9A, Pulsed drain current: 130A, Power dissipation: 3.1W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 41.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote DMTH6010LK3Q-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMTH6010LK3Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 130A; 3.1W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.9A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 3.1W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH6010LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 |
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DMTH6010LK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A |
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| DMTH6010LK3Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 130A; 3.1W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.9A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 3.1W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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