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Technische Details DMTH6016LSD-13 Diodes Incorporated
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.2A; 1.4W; SO8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 6.2A, Power dissipation: 1.4W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMTH6016LSD-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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DMTH6016LSD-13 | Hersteller : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH6016LSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.2A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.2A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMTH6016LSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.2A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.2A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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