Produkte > DIODES ZETEX > DMTH6016LPD-13
DMTH6016LPD-13

DMTH6016LPD-13 Diodes Zetex


dmth6016lpd.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMTH6016LPD-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote DMTH6016LPD-13 nach Preis ab 0.64 EUR bis 1.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH6016LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.67 EUR
5000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005045115_1-2542597.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 3162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.65 EUR
10+ 1.35 EUR
100+ 1.05 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.73 EUR
2500+ 0.68 EUR
5000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DMTH6016LPD-13 Hersteller : Diodes Inc dmth6016lpd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth6016lpd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH6016LPD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH6016LPD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 50A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH6016LPD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH6016LPD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 50A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar