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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ohne MwSt
BSP742T INFINEON TECHNOLOGIES BSP742T Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
50+ 1.44 EUR
53+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES BSP752R Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
43+ 1.69 EUR
46+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
BSP752T INFINEON TECHNOLOGIES BSP752T Power switches - integrated circuits
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BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES BSP762T Power switches - integrated circuits
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BSP76E6433 BSP76E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP76E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223-4
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4055 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
47+ 1.53 EUR
55+ 1.32 EUR
58+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 42
BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.07 EUR
32+ 2.25 EUR
34+ 2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP77E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES BSP78.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP88H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
108+ 0.66 EUR
203+ 0.35 EUR
214+ 0.33 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 99
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP89H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
143+ 0.5 EUR
168+ 0.43 EUR
198+ 0.36 EUR
209+ 0.34 EUR
500+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 105
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP92PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.26A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
114+ 0.63 EUR
150+ 0.48 EUR
277+ 0.26 EUR
291+ 0.25 EUR
10000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 91
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR202NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
157+ 0.46 EUR
258+ 0.28 EUR
274+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 112
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR302NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: -290mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
157+ 0.46 EUR
264+ 0.27 EUR
278+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 114
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR802NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.4 EUR
253+ 0.28 EUR
293+ 0.24 EUR
309+ 0.23 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 177
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR92PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2069 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
175+ 0.41 EUR
341+ 0.21 EUR
360+ 0.2 EUR
2000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 129
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS119NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
205+ 0.35 EUR
315+ 0.23 EUR
358+ 0.2 EUR
725+ 0.099 EUR
770+ 0.093 EUR
75000+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
327+ 0.22 EUR
515+ 0.14 EUR
635+ 0.11 EUR
1534+ 0.047 EUR
1624+ 0.044 EUR
75000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 193
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32511 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
376+ 0.19 EUR
545+ 0.13 EUR
698+ 0.1 EUR
1197+ 0.06 EUR
1266+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 186
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 0.15A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
269+ 0.27 EUR
556+ 0.13 EUR
684+ 0.1 EUR
861+ 0.083 EUR
1250+ 0.057 EUR
1323+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 193
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
180+ 0.4 EUR
275+ 0.26 EUR
291+ 0.25 EUR
500+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4804 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
236+ 0.3 EUR
365+ 0.2 EUR
410+ 0.17 EUR
610+ 0.12 EUR
642+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 162
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5867 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
281+ 0.25 EUR
416+ 0.17 EUR
651+ 0.11 EUR
944+ 0.076 EUR
999+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 162
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
241+ 0.3 EUR
420+ 0.17 EUR
492+ 0.15 EUR
1257+ 0.057 EUR
1327+ 0.054 EUR
150000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 157
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
348+ 0.21 EUR
400+ 0.18 EUR
554+ 0.13 EUR
633+ 0.11 EUR
758+ 0.094 EUR
1244+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 186
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9776 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
181+ 0.4 EUR
379+ 0.19 EUR
400+ 0.18 EUR
6000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2414 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
180+ 0.4 EUR
302+ 0.24 EUR
319+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
206+ 0.35 EUR
241+ 0.3 EUR
496+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
169+ 0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 157
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
196+ 0.37 EUR
280+ 0.26 EUR
324+ 0.22 EUR
373+ 0.19 EUR
910+ 0.079 EUR
962+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 139
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
241+ 0.3 EUR
447+ 0.16 EUR
532+ 0.13 EUR
910+ 0.079 EUR
962+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 162
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.25Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
264+ 0.27 EUR
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484+ 0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 173
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
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900+ 0.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 167
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4138 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 167
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
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496+ 0.14 EUR
960+ 0.075 EUR
1015+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 186
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
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363+ 0.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 173
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 107
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
205+ 0.35 EUR
313+ 0.23 EUR
376+ 0.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 152
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4868 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
196+ 0.37 EUR
323+ 0.22 EUR
371+ 0.19 EUR
676+ 0.11 EUR
715+ 0.1 EUR
6000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 143
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS316NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
281+ 0.25 EUR
441+ 0.16 EUR
547+ 0.13 EUR
964+ 0.074 EUR
1019+ 0.07 EUR
1500+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 209
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS606NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
164+ 0.44 EUR
199+ 0.36 EUR
319+ 0.22 EUR
338+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 114
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6014 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
184+ 0.39 EUR
211+ 0.34 EUR
263+ 0.27 EUR
320+ 0.22 EUR
394+ 0.18 EUR
1044+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 162
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS7728NH6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
463+0.15 EUR
650+ 0.11 EUR
933+ 0.077 EUR
987+ 0.073 EUR
3000+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 463
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
319+ 0.22 EUR
463+ 0.15 EUR
543+ 0.13 EUR
910+ 0.079 EUR
962+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 250
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5869 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
188+ 0.38 EUR
319+ 0.22 EUR
439+ 0.16 EUR
650+ 0.11 EUR
685+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4094 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
288+ 0.25 EUR
478+ 0.15 EUR
555+ 0.13 EUR
1177+ 0.061 EUR
1244+ 0.057 EUR
75000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 167
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9011 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
216+ 0.33 EUR
300+ 0.24 EUR
355+ 0.2 EUR
834+ 0.086 EUR
878+ 0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 179
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
264+ 0.27 EUR
470+ 0.15 EUR
557+ 0.13 EUR
688+ 0.1 EUR
1684+ 0.042 EUR
1786+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 179
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6354 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
269+ 0.27 EUR
458+ 0.16 EUR
533+ 0.13 EUR
644+ 0.11 EUR
1493+ 0.048 EUR
1578+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 173
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS87H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
139+ 0.51 EUR
162+ 0.44 EUR
184+ 0.39 EUR
268+ 0.27 EUR
283+ 0.25 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 112
BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSV236SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.56W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.56W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ014NE2LS5IF-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4974 Stücke:
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BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.8mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
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BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ019N03LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.9mΩ
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BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ025N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 69W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 40A
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
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BSP742T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP742T Power switches - integrated circuits
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BSP752R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752R Power switches - integrated circuits
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BSP752T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752T Power switches - integrated circuits
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BSP762T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP762T Power switches - integrated circuits
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BSP76E6433 BSP76E6433.pdf
BSP76E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223-4
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
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BSP772T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP772T Power switches - integrated circuits
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BSP77E6433 BSP77E6433.pdf
BSP77E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
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BSP78 BSP78.pdf
BSP78
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1.pdf
BSP88H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1.pdf
BSP89H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP92PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.26A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1.pdf
BSR202NL6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
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BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1.pdf
BSR302NL6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
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BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1.pdf
BSR316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: -290mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1.pdf
BSR802NL6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2043 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
177+0.4 EUR
253+ 0.28 EUR
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1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 177
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1.pdf
BSR92PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2069 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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175+ 0.41 EUR
341+ 0.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 129
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6399 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
173+0.41 EUR
205+ 0.35 EUR
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BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2920 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
193+0.37 EUR
327+ 0.22 EUR
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1624+ 0.044 EUR
75000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 193
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32511 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
186+0.39 EUR
376+ 0.19 EUR
545+ 0.13 EUR
698+ 0.1 EUR
1197+ 0.06 EUR
1266+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 186
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Drain current: 0.15A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
193+0.37 EUR
269+ 0.27 EUR
556+ 0.13 EUR
684+ 0.1 EUR
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1250+ 0.057 EUR
1323+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 193
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2.pdf
BSS126H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
132+0.54 EUR
180+ 0.4 EUR
275+ 0.26 EUR
291+ 0.25 EUR
500+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4804 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
162+0.44 EUR
236+ 0.3 EUR
365+ 0.2 EUR
410+ 0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 162
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1.pdf
BSS131H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5867 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
162+0.44 EUR
281+ 0.25 EUR
416+ 0.17 EUR
651+ 0.11 EUR
944+ 0.076 EUR
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Mindestbestellmenge: 162
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2.pdf
BSS138NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
157+0.46 EUR
241+ 0.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 157
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1.pdf
BSS138WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
186+0.39 EUR
348+ 0.21 EUR
400+ 0.18 EUR
554+ 0.13 EUR
633+ 0.11 EUR
758+ 0.094 EUR
1244+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 186
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9776 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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132+0.54 EUR
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BSS159NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2414 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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BSS169H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2703 Stücke:
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BSS192PH6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1476 Stücke:
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BSS205NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6173 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
139+0.51 EUR
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910+ 0.079 EUR
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BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2740 Stücke:
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BSS214NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.25Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2335 Stücke:
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264+ 0.27 EUR
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BSS214NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3850 Stücke:
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167+0.43 EUR
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BSS215PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4138 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
167+0.43 EUR
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1285 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
186+0.39 EUR
226+ 0.32 EUR
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406+ 0.18 EUR
496+ 0.14 EUR
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1015+ 0.07 EUR
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BSS225H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
107+0.67 EUR
118+ 0.61 EUR
208+ 0.34 EUR
220+ 0.33 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.31 EUR
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BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
173+0.41 EUR
204+ 0.35 EUR
317+ 0.23 EUR
363+ 0.2 EUR
725+ 0.099 EUR
770+ 0.093 EUR
75000+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
107+0.67 EUR
171+ 0.42 EUR
275+ 0.26 EUR
313+ 0.23 EUR
481+ 0.14 EUR
75000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 107
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
152+0.47 EUR
205+ 0.35 EUR
313+ 0.23 EUR
376+ 0.19 EUR
910+ 0.079 EUR
962+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4868 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
143+0.5 EUR
196+ 0.37 EUR
323+ 0.22 EUR
371+ 0.19 EUR
676+ 0.11 EUR
715+ 0.1 EUR
6000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
209+0.34 EUR
281+ 0.25 EUR
441+ 0.16 EUR
547+ 0.13 EUR
964+ 0.074 EUR
1019+ 0.07 EUR
1500+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 209
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
114+0.63 EUR
164+ 0.44 EUR
199+ 0.36 EUR
319+ 0.22 EUR
338+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 114
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6014 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
162+0.44 EUR
184+ 0.39 EUR
211+ 0.34 EUR
263+ 0.27 EUR
320+ 0.22 EUR
394+ 0.18 EUR
1044+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 162
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NH6327-DTE.pdf
BSS7728NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
463+0.15 EUR
650+ 0.11 EUR
933+ 0.077 EUR
987+ 0.073 EUR
3000+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 463
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BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
250+0.29 EUR
319+ 0.22 EUR
463+ 0.15 EUR
543+ 0.13 EUR
910+ 0.079 EUR
962+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5869 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
132+0.54 EUR
188+ 0.38 EUR
319+ 0.22 EUR
439+ 0.16 EUR
650+ 0.11 EUR
685+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4094 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
167+0.43 EUR
288+ 0.25 EUR
478+ 0.15 EUR
555+ 0.13 EUR
1177+ 0.061 EUR
1244+ 0.057 EUR
75000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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BSS83PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9011 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
179+0.4 EUR
216+ 0.33 EUR
300+ 0.24 EUR
355+ 0.2 EUR
834+ 0.086 EUR
878+ 0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 179
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
179+0.4 EUR
264+ 0.27 EUR
470+ 0.15 EUR
557+ 0.13 EUR
688+ 0.1 EUR
1684+ 0.042 EUR
1786+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 179
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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173+0.41 EUR
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644+ 0.11 EUR
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1.pdf
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1-dte.pdf
BSV236SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.56W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.56W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ014NE2LS5IFATMA1 BSZ014NE2LS5IF-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LS-DTE.pdf
BSZ018NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 42
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSI-DTE.pdf
BSZ018NE2LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.8mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LS-DTE.pdf
BSZ019N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LS-DTE.pdf
BSZ025N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 69W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 40A
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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