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BSS87H6327FTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS87H6327FTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 3.9 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS87H6327FTSA1 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.86 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.26A Power dissipation: 1W Case: SOT89-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1015 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.26A Power dissipation: 1W Case: SOT89-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V |
auf Bestellung 17595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSS87H6327FTSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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