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BSS306NH6327XTSA1

BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss306n_rev2.3.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS306NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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625+ 0.11 EUR
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785+ 0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 465
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS306NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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576+ 0.26 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
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39+ 0.45 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS306N_DS_v02_03_en-1731171.pdf MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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3000+ 0.15 EUR
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24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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