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BSS215PH6327XTSA1

BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss215p_rev2.3.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss215p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
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BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss215p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 897
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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311+ 0.23 EUR
355+ 0.2 EUR
715+ 0.1 EUR
758+ 0.094 EUR
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BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
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BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS215P_DS_v02_03_en-1731230.pdf MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
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1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
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BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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