BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS192PH6327FTSA1 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.37 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.19A Power dissipation: 1W Case: PG-SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1546 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3 |
auf Bestellung 2094 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 12890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS192PH6327FTSA1 Produktcode: 173677 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V |
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BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.19A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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