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BSS159NH6327XTSA2

BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
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Technische Details BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, BRT, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Preis ohne MwSt
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
180+0.4 EUR
210+ 0.34 EUR
305+ 0.24 EUR
320+ 0.23 EUR
3000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 180
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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180+0.4 EUR
210+ 0.34 EUR
305+ 0.24 EUR
320+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 180
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS159N_DS_v02_02_en-1731309.pdf MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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3000+ 0.22 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, BRT, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, BRT, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360mW
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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6000+ 0.23 EUR
9000+ 0.22 EUR
15000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
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BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6327XTSA2 TBSS159n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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