![BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2588/SOT-23-3%20PKG.jpg)
BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies
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Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6000+ | 0.23 EUR |
9000+ | 0.21 EUR |
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Technische Details BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, BRT, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSS159NH6327XTSA2 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V |
auf Bestellung 33382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 50805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 360mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 50805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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