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BSS214NWH6327XTSA1

BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss214nw_rev2.1.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS214NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss214nw_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS214NW-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss214nw_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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12000+ 0.084 EUR
24000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 817
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss214nw_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss214nw_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss214nw_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS214NW-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS214NW_DS_v02_02_en-1226501.pdf MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS16757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS214NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS16757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS214NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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