BSS7728NH6327XTSA2 Infineon Technologies
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Technische Details BSS7728NH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS7728NH6327XTSA2 nach Preis ab 0.054 EUR bis 0.52 EUR
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSS7728NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNALN-CH |
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