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BSS816NWH6327XTSA1

BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss816nw_rev2.3_.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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313+0.23 EUR
379+ 0.19 EUR
511+ 0.14 EUR
592+ 0.12 EUR
684+ 0.1 EUR
1183+ 0.06 EUR
1250+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 313
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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313+0.23 EUR
379+ 0.19 EUR
511+ 0.14 EUR
592+ 0.12 EUR
684+ 0.1 EUR
1183+ 0.06 EUR
1250+ 0.057 EUR
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS816NW_DS_v02_03_en-1731310.pdf MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.61 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.17 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.099 EUR
9000+ 0.083 EUR
45000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 52364 Stücke:
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.107 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
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BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 N-MOSFET 20V 1.4A 160mΩ 500mW BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327 Infineon TBSS816nw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Mindestbestellmenge: 500
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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