BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS308PEH6327XTSA1 nach Preis ab 0.11 EUR bis 1.17 EUR
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 519000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 288000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 15752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3 |
auf Bestellung 183819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT23 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT23 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 179900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 531000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |