BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.22 EUR |
| 9000+ | 0.21 EUR |
| 15000+ | 0.2 EUR |
| 21000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS169H6327XTSA1 nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3355 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 3355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 44880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 63849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 93560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 93560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 267000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS169H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |