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BSS223PWH6327XTSA1

BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss223pw_rev1.5.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
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Mindestbestellmenge: 3000
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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1084+0.14 EUR
1096+ 0.13 EUR
1558+ 0.088 EUR
3000+ 0.058 EUR
6000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1084
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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2000+ 0.1 EUR
15000+ 0.065 EUR
30000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 934
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
239+0.3 EUR
307+ 0.23 EUR
380+ 0.19 EUR
463+ 0.15 EUR
563+ 0.13 EUR
960+ 0.075 EUR
1017+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 239
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Mindestbestellmenge: 333
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
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100+ 0.19 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.11 EUR
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS223PW_DS_v01_05_en-3360730.pdf MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
auf Bestellung 127 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.54 EUR
10+ 0.37 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.092 EUR
9000+ 0.079 EUR
24000+ 0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 58618 Stücke:
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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BSS223PWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f BSS223PW P-CH, MOSFET, Uds=20V, Id=390mA, SOT-323
auf Bestellung 7 Stücke:
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