BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS119NH6327XTSA1 nach Preis ab 0.092 EUR bis 0.6 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A On-state resistance: 10Ω |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A On-state resistance: 10Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 27384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET |
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BSS119NH6327XTSA1 | Hersteller : onsemi |
MOSFET |
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BSS119NH6327XTSA1 Produktcode: 118883 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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