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IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFS7540TRLPBF IRFS7540TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7540pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7730PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7734TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFSL3206PBF IRFSL3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFSL3207ZPBF IRFSL3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4010pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFSL4310ZPBF IRFSL4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO262
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO262
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFSL4510PBF IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFSL4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Drain current: 64A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFSL7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d IRFSL7430PBF THT N channel transistors
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IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
37+ 1.93 EUR
500+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRFSL7440PBF IRFSL7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 772A
Case: TO262
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
59+ 1.22 EUR
68+ 1.06 EUR
77+ 0.93 EUR
82+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 54
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts8342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
180+ 0.4 EUR
360+ 0.2 EUR
379+ 0.19 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts9342pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
163+ 0.44 EUR
205+ 0.35 EUR
421+ 0.17 EUR
447+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 152
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Gate charge: 16.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 0.21Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.1 EUR
79+ 0.9 EUR
525+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34
IRFU13N20DPBF IRFU13N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
79+ 0.91 EUR
110+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 60
IRFU2405PBF IRFU2405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: IPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU3910PBF IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
83+ 0.87 EUR
104+ 0.69 EUR
113+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFU4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
43+ 1.66 EUR
150+ 1 EUR
450+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRFU4615PBF IRFU4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4615pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2092 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
68+ 1.06 EUR
80+ 0.9 EUR
84+ 0.86 EUR
150+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRFU5505PBF IRFU5505PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505pbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU7440PBF IRFU7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFU7440PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
97+ 0.74 EUR
195+ 0.37 EUR
206+ 0.35 EUR
10050+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 81
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
139+ 0.51 EUR
163+ 0.44 EUR
216+ 0.33 EUR
228+ 0.31 EUR
10000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 114
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
79+ 0.91 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
10000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 70
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFZ44EPBF IRFZ44EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
66+ 1.1 EUR
97+ 0.74 EUR
102+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 56
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44espbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFZ44NLPBF IRFZ44NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44ns.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
59+ 1.23 EUR
65+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
79+ 0.92 EUR
160+ 0.45 EUR
169+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 56
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IRFZ44VZPBF IRFZ44VZPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44VZPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
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IRFZ44VZSPBF IRFZ44VZSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44vzpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
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IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44ZSTRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46ns.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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IRG4BC40W-LPBF IRG4BC40W-LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4bc40wspbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; TO262
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP INFINEON TECHNOLOGIES IRG4BC40W-STRRP.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRG4IBC10UDPBF IRG4IBC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ibc10udpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3.9A; 25W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 3.9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IRG4IBC30WPBF IRG4IBC30WPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ibc30wpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ph20kdpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ph20kpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4PSC71KPBF IRG4PSC71KPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4psc71k.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 85A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 85A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4PSH71KDPBF IRG4PSH71KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4psh71kdpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 78A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4psh71udpbf.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4RC10KDTRPBF IRG4RC10KDTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRG4RC10KDTRPBF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRG4RC10UDPBF IRG4RC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4rc10udpbf.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8.5A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG7PH35UD-EP IRG7PH35UD-EP INFINEON TECHNOLOGIES irg7ph35udpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRG7PH44K10D-EPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRGB6B60KDPBF IRGB6B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irgs6b60kdpbf.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IRGIB15B60KD1P IRGIB15B60KD1P INFINEON TECHNOLOGIES irgib15b60kd1p.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 52W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 52W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRGIB7B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS09862-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Part_Number_Guide_Web.pdf IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
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IRFS7534TRLPBF irfs7534pbf.pdf
IRFS7534TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFS7540TRLPBF irfs7540pbf.pdf
IRFS7540TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFS7730TRLPBF IRFS7730PBF.pdf
IRFS7730TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF.pdf
IRFS7734TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFSL3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFSL3206PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFSL3207ZPBF irfs3207zpbf.pdf
IRFSL3207ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFSL4010PBF description irfs4010pbf.pdf
IRFSL4010PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFSL4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFSL4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO262
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFSL4410ZPBF irfb4410zpbf.pdf
IRFSL4410ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO262
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFSL4510PBF IRFSL4510PBF.pdf
IRFSL4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Drain current: 64A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFSL7430PBF Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL7430PBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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37+ 1.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 29
IRFSL7440PBF irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5
IRFSL7440PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 772A
Case: TO262
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
54+1.34 EUR
59+ 1.22 EUR
68+ 1.06 EUR
77+ 0.93 EUR
82+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 54
IRFTS8342TRPBF irfts8342pbf.pdf
IRFTS8342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
129+0.56 EUR
180+ 0.4 EUR
360+ 0.2 EUR
379+ 0.19 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
IRFTS9342TRPBF irfts9342pbf.pdf
IRFTS9342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3781 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
152+0.47 EUR
163+ 0.44 EUR
205+ 0.35 EUR
421+ 0.17 EUR
447+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 152
IRFU120NPBF irfr120n.pdf
IRFU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Gate charge: 16.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 0.21Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
34+2.1 EUR
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IRFU13N20DPBF irfr13n20dpbf.pdf
IRFU13N20DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU220NPBF irfr220n.pdf
IRFU220NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
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IRFU2405PBF description irfr2405.pdf
IRFU2405PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU3607PBF irfr3607pbf.pdf
IRFU3607PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: IPAK
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IRFU3910PBF description irfr3910.pdf
IRFU3910PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
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auf Bestellung 113 Stücke:
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IRFU4510PBF IRFU4510PBF.pdf
IRFU4510PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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IRFU4615PBF description irfr4615pbf.pdf
IRFU4615PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU5305PBF description irfr5305pbf.pdf
IRFU5305PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2092 Stücke:
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IRFU5505PBF irfr5505pbf.pdf
IRFU5505PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU7440PBF IRFU7440PBF.pdf
IRFU7440PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 395 Stücke:
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IRFZ24NPBF description irfz24n.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 344 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
114+0.63 EUR
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IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 813 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
70+1.03 EUR
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IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFZ44EPBF description irfz44e.pdf
IRFZ44EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 757 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
56+1.29 EUR
66+ 1.1 EUR
97+ 0.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 56
IRFZ44ESTRLPBF irfz44espbf.pdf
IRFZ44ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFZ44NLPBF irfz44ns.pdf
IRFZ44NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+1.37 EUR
59+ 1.23 EUR
65+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+1.29 EUR
79+ 0.92 EUR
160+ 0.45 EUR
169+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 56
IRFZ44NSTRLPBF irfz44nspbf.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFZ44VPBF irfz44v.pdf
IRFZ44VPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+1.23 EUR
65+ 1.12 EUR
95+ 0.76 EUR
100+ 0.72 EUR
1000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRFZ44VZPBF IRFZ44VZPBF.pdf
IRFZ44VZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+10.21 EUR
10+ 7.15 EUR
18+ 3.98 EUR
48+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRFZ44VZSPBF irfz44vzpbf.pdf
IRFZ44VZSPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
35+2.1 EUR
38+ 1.9 EUR
50+ 1.43 EUR
500+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 35
IRFZ44ZPBF description irfz44z.pdf
IRFZ44ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF.pdf
IRFZ44ZSTRRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFZ46NLPBF description irfz46ns.pdf
IRFZ46NLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
46+1.57 EUR
50+ 1.44 EUR
60+ 1.2 EUR
69+ 1.04 EUR
72+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 46
IRFZ46NPBF description irfz46n.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+1.07 EUR
81+ 0.89 EUR
114+ 0.63 EUR
120+ 0.6 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 67
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
74+0.97 EUR
81+ 0.89 EUR
135+ 0.53 EUR
143+ 0.5 EUR
10000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 74
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRG4BC40W-LPBF irg4bc40wspbf.pdf
IRG4BC40W-LPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; TO262
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP.pdf
IRG4BC40W-STRRP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRG4IBC10UDPBF irg4ibc10udpbf.pdf
IRG4IBC10UDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3.9A; 25W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 3.9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4IBC30WPBF irg4ibc30wpbf.pdf
IRG4IBC30WPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRG4PH20KDPBF irg4ph20kdpbf.pdf
IRG4PH20KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRG4PH20KPBF irg4ph20kpbf.pdf
IRG4PH20KPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRG4PSC71KPBF irg4psc71k.pdf
IRG4PSC71KPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 85A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 85A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRG4PSH71KDPBF irg4psh71kdpbf.pdf
IRG4PSH71KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 78A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG4PSH71UDPBF description irg4psh71udpbf.pdf
IRG4PSH71UDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRG4RC10KDTRPBF IRG4RC10KDTRPBF.pdf
IRG4RC10KDTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRG4RC10UDPBF irg4rc10udpbf.pdf
IRG4RC10UDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 8.5A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 8.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRG7PH35UD-EP irg7ph35udpbf.pdf
IRG7PH35UD-EP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF.pdf
IRG7PH44K10D-EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRGB6B60KDPBF description irgs6b60kdpbf.pdf
IRGB6B60KDPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRGIB15B60KD1P irgib15b60kd1p.pdf
IRGIB15B60KD1P
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 52W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 52W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRGIB7B60KDPBF IRSDS09862-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
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