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IRFZ24NPBF

IRFZ24NPBF

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Produktcode: 4381
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
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Technische Details IRFZ24NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 17A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:17A
  • On State Resistance:0.07ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.3`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:45W
  • Power Dissipation Pd:45W
  • Pulse Current Idm:68A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFZ24N_DataSheet_v01_01_EN-3363353.pdf MOSFETs MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF Hersteller : INTERNATIONAL RECTIFIER irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
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IRFZ24NPBF Hersteller : IR irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,07 Ohm
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
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IRF9Z24NPBF
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irf9z24npbf-datasheet.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
verfügbar: 106 Stück
16 Stück - stock Köln
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LM317T-DG
Produktcode: 150592
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datasheet-lm317t-dg.pdf
LM317T-DG
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 21.03.2025
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IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
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description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
auf Bestellung 333 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 836 Stück
25 Stück - stock Köln
811 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 Stück
Anzahl Preis
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100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
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9860 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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