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IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

irf9z24npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 40284
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF9Z24N_DataSheet_v01_01_EN-3363271.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
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On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF9Z24NPBF Hersteller : IR irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-12A; Pdmax=45W; Rds=0,175 Ohm (аналог IRF9Z24N только Pb free)
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381		 description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 975 Stück
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10+ 0.35 EUR
100+ 0.28 EUR
IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477		 description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
auf Bestellung 618 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.44 EUR
10+ 0.41 EUR
Макетная плата 5x7 двухсторонняя, зеленая
Produktcode: 144388
Макетная плата 5x7 двухсторонняя, зеленая
+1
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1160 Stück:
1000 Stück - erwartet 25.09.2024
IRF4905PBF
Produktcode: 22366		 irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
verfügbar: 490 Stück
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.16 EUR
10+ 1.13 EUR
TL431ACLP
Produktcode: 26293		 description tl431.pdf?ts=1708404301053&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTL431%253FkeyMatch%253D%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253Dpartmatches
TL431ACLP
Hersteller: TI
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: TO-226AA
Kurzbeschreibung: Adjustable precision shunt regulators
Spannung: 36V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
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