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IRF4905PBF

IRF4905PBF

irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
Produktcode: 22366
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
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Case: TO220AB
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Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF4905_DataSheet_v01_01_EN-3362811.pdf MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : INFINEON IRSDS18781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF4905PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 74 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
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IRF4905PBF Hersteller : Infineon irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
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100+ 6.88 EUR
IRF4905PBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e TO-220AB, Vdss=-55V, Id=-74A, Rds(on)=20mOm, -55...+175
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IRF4905PBF irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e IRF4905PBF Транзисторы HEXFET
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IRF4905PBF IRF4905PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf4905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1N4007
Produktcode: 176822		 1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
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erwartet 50000 Stück:
50000 Stück - erwartet 20.07.2024
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 1.45 EUR
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403		 irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1248 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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100+ 0.27 EUR
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Produktcode: 169934		 mfr_series-hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
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erwartet 20000 Stück:
20000 Stück - erwartet
BD140
Produktcode: 15292		 BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1341 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.12 EUR