IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFZ34NSTRLPBF nach Preis ab 0.78 EUR bis 6.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC |
auf Bestellung 6661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 10; Id = 29 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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