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IRFZ44VPBF

Name: IRFZ44VPBF
Brand: IR
SKU: 35444
Price: 0.61 EUR
Availability: InStock

IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Produktcode: 35444

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.0165
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
JHGF: THT

verfügbar 318 Stück:

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IRFZ44VPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfz44v-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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178+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 178

IRFZ44VPBF

Hersteller : International Rectifier

Description: IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V

auf Bestellung 500 Stücke:

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500+	1.03 EUR

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IRFZ44VPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 4158 Stücke:

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117+	1.31 EUR
131+	1.13 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.77 EUR

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IRFZ44VPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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47+	1.53 EUR
52+	1.39 EUR
79+	0.92 EUR
82+	0.87 EUR
1000+	0.84 EUR

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IRFZ44VPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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Anzahl	Preis ohne MwSt
47+	1.53 EUR
52+	1.39 EUR
79+	0.92 EUR
82+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 47

IRFZ44VPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 4161 Stücke:

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116+	1.27 EUR
131+	1.09 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.74 EUR

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IRFZ44VPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFZ44V_DataSheet_v01_01_EN-3363286.pdf

MOSFETs MOSFT 60V 55A 16.5mOhm 44.7nC

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2+	2.22 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IRFZ44VPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 25 V

auf Bestellung 1901 Stücke:

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8+	2.38 EUR
50+	1.91 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IRFZ44VPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44VPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012837836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFZ44VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IRFZ44VPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44VPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44VPBF

Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ44VPBF - IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4387 Stücke:

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IRFZ44VPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFZ44VPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

auf Bestellung 11036 Stück:

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1+	1.5 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1 EUR

NE555P IC Timer
Produktcode: 26138

Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C

verfügbar: 1963 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.5 EUR
10+	0.24 EUR
100+	0.15 EUR
1000+	0.12 EUR

IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403

irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT

verfügbar: 1067 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.32 EUR
10+	0.28 EUR
100+	0.27 EUR

IRF4905PBF
Produktcode: 22366

irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT

verfügbar: 490 Stück

erwartet: 2000 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
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10+	1.13 EUR

LM358N
Produktcode: 181180

Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT

auf Bestellung 1052 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)