IRFZ44VZPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFZ44VZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFZ44VZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRFZ44VZPBF nach Preis ab 1.23 EUR bis 10.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRFZ44VZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFZ44VZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ44VZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC |
auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ44VZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 92W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFZ44VZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 92W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ44VZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ44VZPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44VZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ44VZPBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ44VZPBF - IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ44VZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFZ44VZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
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