IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
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Technische Details IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.015 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFTS8342TRPBF nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.2A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2442 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.2A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 20562 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 8.2A 19mOhm 4.8 Qg |
auf Bestellung 10793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.015 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFTS8342TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R |
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