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IRFS7534TRLPBF

IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies

3599891881225552irfs7534pbf.pdffileid5546d462533600a4015364c3e2c629c7.pdffileid55.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies 3599891881225552irfs7534pbf.pdffileid5546d462533600a4015364c3e2c629c7.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs7534pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3e2c629c7 Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
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IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS7534_IRFSL7534_IRFB7534_DS_v01_02_EN-3363352.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
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IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs7534pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3e2c629c7 Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
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IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003071237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies 3599891881225552irfs7534pbf.pdffileid5546d462533600a4015364c3e2c629c7.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
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