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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
365+0.2 EUR
965+ 0.074 EUR
1090+ 0.066 EUR
1170+ 0.061 EUR
1215+ 0.059 EUR
1235+ 0.058 EUR
3000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 365
DMN63D8LV-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LV.pdf DMN63D8LV-7 Multi channel transistors
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
1213+ 0.059 EUR
1283+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 334
DMN63D8LW-13 DIODES INCORPORATED DMN63D8LW.pdf DMN63D8LW-13 SMD N channel transistors
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DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
480+0.15 EUR
960+ 0.074 EUR
1510+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 480
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LDW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LDWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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DMN65D8LFB-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LFB.pdf DMN65D8LFB-7 SMD N channel transistors
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DMN65D8LFB-7B DIODES INCORPORATED DMN65D8LFB.pdf DMN65D8LFB-7B SMD N channel transistors
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DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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DMN65D8LW-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LW.pdf DMN65D8LW-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
172+0.42 EUR
384+ 0.19 EUR
406+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 172
DMN66D0LDW-7 DMN66D0LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN66D0LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 0.8A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN66D0LT-7 DIODES INCORPORATED ds31530.pdf DMN66D0LT-7 SMD N channel transistors
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DMN67D7L-13 DMN67D7L-13 DIODES INCORPORATED DMN67D7L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150mA; Idm: 0.8A; 570mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 570mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 821pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN67D7L-7 DMN67D7L-7 DIODES INCORPORATED DMN67D7L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150mA; Idm: 0.8A; 340mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.34W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 821pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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DMN67D8L-13 DIODES INCORPORATED DMN67D8L.pdf DMN67D8L-13 SMD N channel transistors
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DMN67D8L-7 DIODES INCORPORATED DMN67D8L.pdf DMN67D8L-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1389+0.051 EUR
1625+ 0.044 EUR
12000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1389
DMN67D8LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN67D8LDW.pdf DMN67D8LDW-7 Multi channel transistors
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DMN67D8LW-13 DMN67D8LW-13 DIODES INCORPORATED DMN67D8LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 470mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 821pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN67D8LW-7 DMN67D8LW-7 DIODES INCORPORATED DMN67D8LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 470mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 821pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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DMN80H2D0SCTI DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 16W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 16W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN90H8D5HCT DIODES INCORPORATED DMN90H8D5HCT.pdf DMN90H8D5HCT THT N channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
78+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 63
DMNH10H028SCT DIODES INCORPORATED DMNH10H028SCT.pdf DMNH10H028SCT THT N channel transistors
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DMNH10H028SK3-13 DIODES INCORPORATED DMNH10H028SK3.pdf DMNH10H028SK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH10H028SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH10H028SK3Q.pdf DMNH10H028SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMNH10H028SPS-13 DIODES INCORPORATED DMNH10H028SPS.pdf DMNH10H028SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH10H028SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH10H028SPSQ.pdf DMNH10H028SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH3010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMNH3010LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.6A; Idm: 100A; 3.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.6A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH4005SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH4005SPSQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerDI5060-8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH4006SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH4006SK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; Idm: 200A; 3.6W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 3.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH4006SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH4006SPSQ.pdf DMNH4006SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH4011SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH4011SK3Q.pdf DMNH4011SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMNH4011SPS-13 DIODES INCORPORATED DMNH4011SPS.pdf DMNH4011SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH4011SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH4011SPSQ.pdf DMNH4011SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH4015SSD-13 DMNH4015SSD-13 DIODES INCORPORATED DMNH4015SSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.8A; Idm: 80A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH4015SSDQ-13 DMNH4015SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH4015SSDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.8A; Idm: 80A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH4026SSD-13 DMNH4026SSD-13 DIODES INCORPORATED DMNH4026SSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 60A; 2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 19.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 32mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH4026SSDQ-13 DMNH4026SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH4026SSDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 60A; 2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 19.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH45M7SCT DMNH45M7SCT DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 155A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 96W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMNH6008SCT DMNH6008SCT DIODES INCORPORATED DMNH6008SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 6mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
46+ 1.56 EUR
52+ 1.39 EUR
54+ 1.34 EUR
57+ 1.27 EUR
58+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 41
DMNH6008SCTQ DIODES INCORPORATED DMNH6008SCTQ.pdf DMNH6008SCTQ SMD N channel transistors
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DMNH6008SPS-13 DIODES INCORPORATED DMNH6008SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 352A; 3.3W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 3.3W
Gate charge: 40.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6008SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6008SPSQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 352A; 3.3W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 3.3W
Gate charge: 40.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6009SPS-13 DIODES INCORPORATED DMNH6009SPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6010SCTB-13 DIODES INCORPORATED DMNH6010SCTB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; Idm: 532A; 5W; TO263AB
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 532A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6011LK3-13 DIODES INCORPORATED DMNH6011LK3.pdf DMNH6011LK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6012LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH6012LK3Q.pdf DMNH6012LK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMNH6012SPS-13 DIODES INCORPORATED DMNH6012SPS.pdf DMNH6012SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH6012SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6012SPSQ.pdf DMNH6012SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SK3-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SK3Q.pdf DMNH6021SK3Q-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6021SPD-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPD-13 Multi channel transistors
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DMNH6021SPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPDQ.pdf DMNH6021SPDQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SPDW-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPDW-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6021SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6021SPSQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6022SSD-13 DMNH6022SSD-13 DIODES INCORPORATED DMNH6022SSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.9A; Idm: 45A; 2.1W; SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6022SSDQ-13 DMNH6022SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMNH6022SSDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.9A; Idm: 45A; 2.1W; SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6042SK3-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 40A; 3.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6042SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 40A; 3.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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DMNH6042SPD-13 DIODES INCORPORATED DMNH6042SPD-13 SMD N channel transistors
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DMN63D8LDWQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D8LV-7 Multi channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN63D8LW-13 SMD N channel transistors
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DMN65D8L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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DMN65D8LDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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DMN65D8LDWQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN65D8LFB-7 SMD N channel transistors
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DMN65D8LFB-7B SMD N channel transistors
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DMN65D8LQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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DMN65D8LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN65D8LW-7 SMD N channel transistors
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DMN66D0LDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 0.8A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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DMN66D0LT-7 ds31530.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN66D0LT-7 SMD N channel transistors
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DMN67D7L-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150mA; Idm: 0.8A; 570mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 570mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 821pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN67D7L-7 DMN67D7L.pdf
DMN67D7L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150mA; Idm: 0.8A; 340mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.34W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 821pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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DMN67D8L-13 DMN67D8L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN67D8L-13 SMD N channel transistors
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DMN67D8L-7 DMN67D8L.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN67D8L-7 SMD N channel transistors
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DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN67D8LDW-7 Multi channel transistors
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DMN67D8LW-13 DMN67D8LW.pdf
DMN67D8LW-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 470mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 821pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN67D8LW-7 DMN67D8LW.pdf
DMN67D8LW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 470mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 821pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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DMN80H2D0SCTI
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 16W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 16W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN90H8D5HCT THT N channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
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63+1.14 EUR
78+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 63
DMNH10H028SCT DMNH10H028SCT.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SCT THT N channel transistors
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DMNH10H028SK3-13 DMNH10H028SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH10H028SK3Q-13 DMNH10H028SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMNH10H028SPS-13 DMNH10H028SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH10H028SPSQ-13 DMNH10H028SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH3010LK3-13 DMNH3010LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.6A; Idm: 100A; 3.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.6A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH4005SPSQ-13 DMNH4005SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerDI5060-8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH4006SK3Q-13 DMNH4006SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; Idm: 200A; 3.6W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 3.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH4006SPSQ-13 DMNH4006SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH4006SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH4011SK3Q-13 DMNH4011SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH4011SK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMNH4011SPS-13 DMNH4011SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH4011SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH4011SPSQ-13 DMNH4011SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH4011SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMNH4015SSD-13 DMNH4015SSD.pdf
DMNH4015SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.8A; Idm: 80A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH4015SSDQ-13 DMNH4015SSDQ.pdf
DMNH4015SSDQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.8A; Idm: 80A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH4026SSD-13 DMNH4026SSD.pdf
DMNH4026SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 60A; 2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 19.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 32mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH4026SSDQ-13 DMNH4026SSDQ.pdf
DMNH4026SSDQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 60A; 2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 19.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH45M7SCT
DMNH45M7SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 155A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 96W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMNH6008SCT DMNH6008SCT.pdf
DMNH6008SCT
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 6mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
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41+1.74 EUR
46+ 1.56 EUR
52+ 1.39 EUR
54+ 1.34 EUR
57+ 1.27 EUR
58+ 1.24 EUR
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DMNH6008SCTQ DMNH6008SCTQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6008SCTQ SMD N channel transistors
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DMNH6008SPS-13 DMNH6008SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 352A; 3.3W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 3.3W
Gate charge: 40.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH6008SPSQ-13 DMNH6008SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 352A; 3.3W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 3.3W
Gate charge: 40.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH6009SPS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6009SPS-13 SMD N channel transistors
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DMNH6010SCTB-13 DMNH6010SCTB.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; Idm: 532A; 5W; TO263AB
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 532A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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DMNH6011LK3-13 DMNH6011LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6011LK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH6012LK3Q-13 DMNH6012LK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6012LK3Q-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6012SPS-13 DMNH6012SPS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6012SPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6012SPSQ-13 DMNH6012SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6012SPSQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6021SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SK3-13 SMD N channel transistors
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DMNH6021SK3Q-13 DMNH6021SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SK3Q-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6021SPD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SPD-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6021SPDQ-13 DMNH6021SPDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SPDQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6021SPDW-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SPDW-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6021SPSQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6021SPSQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6022SSD-13 DMNH6022SSD.pdf
DMNH6022SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.9A; Idm: 45A; 2.1W; SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6022SSDQ-13 DMNH6022SSDQ.pdf
DMNH6022SSDQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.9A; Idm: 45A; 2.1W; SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6042SK3-13 DMNH6042SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 40A; 3.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMNH6042SK3Q-13 DMNH6042SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 40A; 3.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMNH6042SPD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMNH6042SPD-13 SMD N channel transistors
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