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DMNH6021SPSQ-13

DMNH6021SPSQ-13 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0002497932_1-2542093.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Technische Details DMNH6021SPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 53 Stücke:
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DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002497932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6021SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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DMNH6021SPSQ-13 DMNH6021SPSQ-13 Hersteller : Diodes Inc 2961dmnh6021spsq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 55A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R
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