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STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics stgwa20h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
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STGWA20HP65FB2 STMicroelectronics stgwa20hp65fb2.pdf STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA20IH65DF STMicroelectronics stgwa20ih65df.pdf STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA20M65DF2 STMicroelectronics en.DM00245493.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA25H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066775.pdf STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
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STGWA25H120F2 STMicroelectronics en.DM00109190.pdf STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA25IH135DF2 STMicroelectronics stgwa25ih135df2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 13.52kV; 25A; 340W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 13.52kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 166nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 STMicroelectronics STGWA25M120DF3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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auf Bestellung 56 Stücke:
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11+6.71 EUR
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STGWA25S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116918.pdf STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWA30H65DFB STGWA30H65DFB STMicroelectronics STGWA30H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
17+ 4.2 EUR
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STGWA30H65DFB2 STMicroelectronics en.DM00673147.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA30HP65FB2 STMicroelectronics stgwa30hp65fb2.pdf STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA30IH65DF STMicroelectronics stgwa30ih65df.pdf STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00177695.pdf STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA35IH135DF2 STMicroelectronics stgwa35ih135df2.pdf STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120DF2 STMicroelectronics en.DM00066778.pdf STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120F2 STMicroelectronics en.DM00106123.pdf STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA40H65DFB STMicroelectronics stgwa40h65dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics STGWA40H65DFB2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
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19+3.93 EUR
23+ 3.15 EUR
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120+ 2.86 EUR
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STGWA40H65FB STMicroelectronics en.DM00093857.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics stgwa40hp65fb2.pdf STGWA40HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA40IH65DF STMicroelectronics stgwa40ih65df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 238W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 238W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA40M120DF3 STMicroelectronics en.DM00113760.pdf STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA40S120DF3 STMicroelectronics en.DM00116916.pdf STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA50H65DFB2 STMicroelectronics stgwa50h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA50HP65FB2 STMicroelectronics stgwa50hp65fb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA50M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249585.pdf STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA60H65DFB STMicroelectronics STGWx60H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA60V60DF STMicroelectronics en.DM00074810.pdf STGWA60V60DF THT IGBT transistors
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STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics STGWA75H65DFB2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
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11+6.86 EUR
15+ 4.92 EUR
16+ 4.65 EUR
120+ 4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STGWA75M65DF2 STGWA75M65DF2 STMicroelectronics STGWA75M65DF2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+ 23.84 EUR
8+ 8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STGWA80H65DFB STMicroelectronics STGx%28x%2980H65DFB_Rev6_May2015.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA80H65DFBAG STMicroelectronics stgwa80h65dfbag.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA80H65FB STMicroelectronics en.DM00118301.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 469W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA8M120DF3 STMicroelectronics en.DM00294677.pdf STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWF30NC60S STMicroelectronics en.CD00164830.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 79W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 79W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT20H65FB STMicroelectronics en.DM00130550.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 168W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 168W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT20IH125DF STMicroelectronics en.DM00095632.pdf STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT20V60DF STMicroelectronics en.DM00079434.pdf STGWT20V60DF THT IGBT transistors
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STGWT28IH125DF STMicroelectronics en.DM00095615.pdf STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWT30HP65FB STMicroelectronics en.DM00245474.pdf STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
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STGWT40H65DFB STMicroelectronics STGWT40H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics STGWT40HP65FB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.73 EUR
28+ 2.56 EUR
30+ 2.42 EUR
120+ 2.39 EUR
510+ 2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STGWT60H65DFB STGWT60H65DFB STMicroelectronics STGWx60H65DFB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.85 EUR
12+ 6.16 EUR
16+ 4.72 EUR
17+ 4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STGWT60H65FB STMicroelectronics en.DM00094070.pdf STGWT60H65FB THT IGBT transistors
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STGWT60V60DF STMicroelectronics en.DM00074810.pdf STGWT60V60DF THT IGBT transistors
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STGWT80H65DFB STMicroelectronics en.DM00079449.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT80H65FB STMicroelectronics en.DM00118301.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 469W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 469W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT80V60DF STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGWT80V60DF THT IGBT transistors
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STGWT80V60F STMicroelectronics en.DM00117327.pdf STGWT80V60F THT IGBT transistors
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STGY40NC60VD STMicroelectronics en.CD00003462.pdf STGY40NC60VD THT IGBT transistors
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STGYA120M65DF2 STMicroelectronics en.DM00285243.pdf STGYA120M65DF2 THT IGBT transistors
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STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics en.DM00318983.pdf STGYA120M65DF2AG THT IGBT transistors
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STGYA50H120DF2 STMicroelectronics stgya50h120df2.pdf STGYA50H120DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.2 EUR
8+ 9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STGYA50M120DF3 STMicroelectronics stgya50m120df3.pdf STGYA50M120DF3 THT IGBT transistors
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STGYA75H120DF2 STMicroelectronics stgya75h120df2.pdf STGYA75H120DF2 THT IGBT transistors
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STH12N120K5-2 STMicroelectronics sth12n120k5-2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 7.6A; Idm: 48A; 250W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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STGWA20H65DFB2 stgwa20h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA20HP65FB2 stgwa20hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA20IH65DF stgwa20ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA20IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA20M65DF2 en.DM00245493.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA25H120DF2 en.DM00066775.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25H120DF2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
STGWA25H120F2 en.DM00109190.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
STGWA25IH135DF2 stgwa25ih135df2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 13.52kV; 25A; 340W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 13.52kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 166nC
Kind of package: tube
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STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3.pdf
STGWA25M120DF3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGWA25S120DF3 en.DM00116918.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA30H60DFB en.DM00125118.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWA30H65DFB STGWA30H65DFB.pdf
STGWA30H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGWA30H65DFB2 en.DM00673147.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
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STGWA30HP65FB2 stgwa30hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA30IH65DF stgwa30ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30IH65DF THT IGBT transistors
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STGWA30M65DF2 en.DM00177695.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA35IH135DF2 stgwa35ih135df2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA35IH135DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120DF2 en.DM00066778.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40H120DF2 THT IGBT transistors
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STGWA40H120F2 en.DM00106123.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40H120F2 THT IGBT transistors
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STGWA40H65DFB stgwa40h65dfb.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2.pdf
STGWA40H65DFB2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGWA40H65FB en.DM00093857.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
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STGWA40HP65FB2 stgwa40hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40HP65FB2 THT IGBT transistors
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STGWA40IH65DF stgwa40ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 238W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 238W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
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STGWA40M120DF3 en.DM00113760.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA40S120DF3 en.DM00116916.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA40S120DF3 THT IGBT transistors
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STGWA50H65DFB2 stgwa50h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
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STGWA50HP65FB2 stgwa50hp65fb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
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STGWA50IH65DF stgwa50ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
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STGWA50M65DF2 en.DM00249585.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors
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STGWA60H65DFB STGWx60H65DFB.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGWA60V60DF en.DM00074810.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA60V60DF THT IGBT transistors
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STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2.pdf
STGWA75H65DFB2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGWA75M65DF2 STGWA75M65DF2.pdf
STGWA75M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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2+35.75 EUR
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STGWA80H65DFB STGx%28x%2980H65DFB_Rev6_May2015.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA80H65DFBAG stgwa80h65dfbag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA80H65FB en.DM00118301.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 469W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWA8M120DF3 en.DM00294677.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors
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STGWF30NC60S en.CD00164830.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 79W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 79W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT20H65FB en.DM00130550.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 168W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 168W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT20IH125DF en.DM00095632.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT20V60DF en.DM00079434.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT20V60DF THT IGBT transistors
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STGWT28IH125DF en.DM00095615.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT28IH125DF THT IGBT transistors
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STGWT30H60DFB en.DM00125118.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT30H60DFB THT IGBT transistors
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STGWT30HP65FB en.DM00245474.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT30HP65FB THT IGBT transistors
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STGWT40H65DFB STGWT40H65DFB.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB.pdf
STGWT40HP65FB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+3.73 EUR
28+ 2.56 EUR
30+ 2.42 EUR
120+ 2.39 EUR
510+ 2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STGWT60H65DFB STGWx60H65DFB.pdf
STGWT60H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+6.85 EUR
12+ 6.16 EUR
16+ 4.72 EUR
17+ 4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STGWT60H65FB en.DM00094070.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT60H65FB THT IGBT transistors
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STGWT60V60DF en.DM00074810.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT60V60DF THT IGBT transistors
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STGWT80H65DFB en.DM00079449.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STGWT80H65FB en.DM00118301.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 469W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 469W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGWT80V60DF en.DM00079438.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT80V60DF THT IGBT transistors
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STGWT80V60F en.DM00117327.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGWT80V60F THT IGBT transistors
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STGY40NC60VD en.CD00003462.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGY40NC60VD THT IGBT transistors
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STGYA120M65DF2 en.DM00285243.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGYA120M65DF2 THT IGBT transistors
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STGYA120M65DF2AG en.DM00318983.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGYA120M65DF2AG THT IGBT transistors
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STGYA50H120DF2 stgya50h120df2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGYA50H120DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+14.2 EUR
8+ 9.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STGYA50M120DF3 stgya50m120df3.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGYA50M120DF3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
STGYA75H120DF2 stgya75h120df2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
STGYA75H120DF2 THT IGBT transistors
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STH12N120K5-2 sth12n120k5-2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 7.6A; Idm: 48A; 250W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: H2PAK-2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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