STGWA50IH65DF STMicroelectronics
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Technische Details STGWA50IH65DF STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA50IH65DF - IGBT, 100 A, 1.5 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STGWA50IH65DF nach Preis ab 3.28 EUR bis 8.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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STGWA50IH65DF | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGWA50IH65DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA50IH65DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA50IH65DF | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series |
auf Bestellung 817 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGWA50IH65DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGWA50IH65DF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA50IH65DF - IGBT, 100 A, 1.5 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGWA50IH65DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWA50IH65DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/260ns Switching Energy: 284µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 158 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 300 W |
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| STGWA50IH65DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube |
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