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06+;

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ZXM41N10FTA

07+ SOT-223

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ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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ZXM41N10FTA

SOT-223

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ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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ZXM41N10FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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ZXM6

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ZXM61N02F

Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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ZXM61N02F

MOSFET

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ZXM61N02F

Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
MSL: -999
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm

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ZXM61N02F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXM61N02FTA
Produktcode: 127179

Transistoren > MOSFET N-CH

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXM61N02FTA

MOSFETs 20V N-Chnl HDMOS

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10+	0.5 EUR
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ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 1289174 Stücke:

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23+	0.77 EUR
30+	0.6 EUR
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500+	0.33 EUR
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ZXM61N02FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 405 Stücke:

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200+	0.36 EUR
358+	0.2 EUR
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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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275+	0.54 EUR
278+	0.51 EUR
545+	0.25 EUR
551+	0.24 EUR
557+	0.23 EUR
1000+	0.17 EUR

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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30000+	0.16 EUR
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ZXM61N02FTA

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358+	0.2 EUR
404+	0.18 EUR
405+	0.17 EUR
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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

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ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 1288800 Stücke:

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3000+	0.21 EUR
6000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR
75000+	0.17 EUR

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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557+	0.25 EUR
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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.17 EUR

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 123000 Stücke:

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3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

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3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61N02FTA N02

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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100+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 100

ZXM61N02FTA/P02

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ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

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10000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 119941 Stücke:

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20+	0.88 EUR
24+	0.76 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.33 EUR
2000+	0.3 EUR
5000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 20

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXM61N02FTC

MOSFETs 20V N Chnl HDMOS

auf Bestellung 86849 Stücke:

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4+	0.88 EUR
10+	0.76 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.3 EUR
2500+	0.28 EUR
10000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

auf Bestellung 110000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

ZXM61N03F

Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 16031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM61N03F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXM61N03F

MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM61N03F

auf Bestellung 16031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

auf Bestellung 873000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.22 EUR
30000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

613+	0.25 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 613

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61N03FTA

N-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 100

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61N03FTA
Produktcode: 72846

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

auf Bestellung 877790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.16 EUR
25+	0.72 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 16

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 792000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

613+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 613

ZXM61N03FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1557 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	0.43 EUR
196+	0.37 EUR
325+	0.22 EUR
344+	0.21 EUR
1500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 167

ZXM61N03FTA

auf Bestellung 1557 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

167+	0.43 EUR
196+	0.37 EUR
325+	0.22 EUR
344+	0.21 EUR
1500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 167

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61N03FTA

MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

auf Bestellung 73998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.52 EUR
10+	0.45 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ZXM61N03FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

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ZXM61N03FTR

auf Bestellung 1850 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM61N03GTA

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM61N03TFA

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM61P02F

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

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ZXM61P02F

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM61P02F

Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm

auf Bestellung 6027 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM61P02F

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM61P02F

MOSFET

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ZXM61P02F

auf Bestellung 6027 Stücke:

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ZXM61P02F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P02FTA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

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5+	0.65 EUR
10+	0.44 EUR
100+	0.28 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1433 Stücke:

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339+	0.45 EUR
563+	0.26 EUR
568+	0.25 EUR
573+	0.24 EUR
1014+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 339

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

auf Bestellung 463280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
32+	0.56 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25

ZXM61P02FTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
On-state resistance: 0.9Ω

auf Bestellung 2650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	0.32 EUR
262+	0.27 EUR
319+	0.22 EUR
336+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 221

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

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3000+	0.15 EUR
12000+	0.13 EUR
24000+	0.12 EUR
36000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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ZXM61P02FTA

auf Bestellung 2650 Stücke:

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221+	0.32 EUR
262+	0.27 EUR
319+	0.22 EUR
336+	0.21 EUR
3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 221

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 687000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1433 Stücke:

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271+	0.56 EUR
337+	0.44 EUR
339+	0.42 EUR
563+	0.24 EUR
568+	0.23 EUR
573+	0.22 EUR
1014+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 271

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

auf Bestellung 462000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR
9000+	0.17 EUR
75000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P02FTA/P

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM61P02FTC

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

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ZXM61P03F

Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 26125 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM61P03F

MOSFET

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ZXM61P03F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM61P03F

auf Bestellung 26125 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM61P03FTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1119 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	0.49 EUR
172+	0.42 EUR
387+	0.19 EUR
409+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 148

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P03FTA

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 50

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 624 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

427+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 427

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM61P03FTA
Produktcode: 72847

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

auf Bestellung 648771 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

27+	0.67 EUR
31+	0.57 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 27

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P03FTA

MOSFETs 30V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 34960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 624 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

427+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 427

ZXM61P03FTA

auf Bestellung 1119 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

148+	0.49 EUR
172+	0.42 EUR
387+	0.19 EUR
409+	0.18 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 148

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

auf Bestellung 648000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
6000+	0.21 EUR
9000+	0.2 EUR
30000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 561000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM61P03FTA-P03

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM61P03FTC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM62M02E6

auf Bestellung 19892 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N02E6

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N02E6

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N02E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N02E6TA

MOSFET 20V N-Chnl HDMOS

auf Bestellung 2515 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXM62N02E6TAPBF

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N03E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM62N03E6TA

auf Bestellung 26100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N03E6TAPBF

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N03G

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N03G

SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N03G

07+ SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N03GTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM62N03GTA

MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM62N03GTA

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM62P02E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62P02E6T

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62P02E6TA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 2654 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.19 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.46 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 108000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.44 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM62P02E6TA

03/04+ SOT23-6

auf Bestellung 21100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

auf Bestellung 113445 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
17+	1.06 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 15

ZXM62P02E6TA

Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM62P02E6TAPBF

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62P03E6

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1607 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM62P03E6

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62P03E6

auf Bestellung 1607 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM62P03E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62P03E6

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXM62P03E6TA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA SMD P channel transistors

auf Bestellung 935 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

72+	1 EUR
170+	0.42 EUR
176+	0.41 EUR
180+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 72

ZXM62P03E6TA

MOSFET 30V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 9516 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.2 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.44 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

auf Bestellung 8960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.34 EUR
16+	1.17 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 14

ZXM62P03E6TC

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM62P03E6TC

MOSFET 30V P Chnl HDMOS

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM62P03E6TC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM62P03G

07+ SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62P03G

SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM62P03GTA

Description: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM62P03GTA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63C02

2004

auf Bestellung 744 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63C02X8

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63C02XTA

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63C03

2004

auf Bestellung 811 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63C03XTA

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63N02

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63N02E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM63N02E6TA

Diodes Inc.

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM63N02XTA

auf Bestellung 15000 Stücke:

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ZXM63N03XTA

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63P02

auf Bestellung 2380 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63P02E6TA

2004

auf Bestellung 429 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63P02XTA

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM63P03XTA

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N02

auf Bestellung 648 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N02X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N02X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N02X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N02XTA

09+

auf Bestellung 3681 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXM64N02XTA

05+

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N02XTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 1321 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXM64N02XTA

TSSOP8

auf Bestellung 14694 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXM64N02XTC

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64N035

02+ TO-220

auf Bestellung 134 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N035G

07+ SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N035G

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N035G

SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N035GT

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64N035GTA

SOT223

auf Bestellung 23790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64N035GTA12A/35V

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N035L3

Description: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64N035L3

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N035L3

TO-220 02 29

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N03X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N03X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N03X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N03XTA

auf Bestellung 441 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64N03XTA

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64N03XTC

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64N03XTR-ND

2004

auf Bestellung 446 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P02X

05+ SOP

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P02X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P02X

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P02X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P02X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.11 EUR
2000+	1.04 EUR
5000+	0.99 EUR
10000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXM64P02XTA

MOSFETs 20V P-Chnl HDMOS

auf Bestellung 5139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.36 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXM64P02XTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -19A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -19A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P02XTA

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

auf Bestellung 13470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.45 EUR
10+	2.19 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ZXM64P02XTA

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin MSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P02XTC

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP

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ZXM64P035

auf Bestellung 1366 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P035G

07+ SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P035G

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P035G

SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P035GT

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P035GTA

SOT223

auf Bestellung 5990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P035GTA12A/35V

auf Bestellung 6200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P035L3

Description: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P035L3

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P03X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P03X

Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM64P03X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P03X

MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P03X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM64P03X

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

auf Bestellung 7994 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.46 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ZXM64P03XTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXM64P03XTA

MOSFETs 30V P Chnl HDMOS

auf Bestellung 4492 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.45 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXM64P03XTA

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.09 EUR
2000+	1.02 EUR
5000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXM64P03XTC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXM64P03XTR-ND

2004

auf Bestellung 679 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM66N02

09+ SO-8

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM66N02

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM66N02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

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ZXM66N03

09+ SO-8

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ZXM66N03

auf Bestellung 1615 Stücke:

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ZXM66N03N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

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ZXM66P02

SO-8

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ZXM66P02N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXM66P02N8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

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ZXM66P02N8

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ZXM66P02N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM66P02N8TA

auf Bestellung 694 Stücke:

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ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

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ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

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ZXM66P02N8TA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

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ZXM66P02N8TA

Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R

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ZXM66P02N8TC

Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R

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ZXM66P02N8TC

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

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ZXM66P03

auf Bestellung 291 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM66P03

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM66P03

09+ SO-8

auf Bestellung 1291 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM66P03N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM66P03N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM66P03N8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V

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ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V

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ZXMC10A816DN8TC

MOSFET

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ZXMC10A816N8

MOSFET

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ZXMC10A816N8TA

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC10A816N8TA

100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMC10A816N8TA

100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMC10A816N8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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ZXMC10A816N8TA

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ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 210000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMC10A816N8TC

MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

auf Bestellung 14182 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.31 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.7 EUR
2500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 210000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.71 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 11

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

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ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.51 EUR
113+	1.31 EUR
123+	1.16 EUR
147+	0.93 EUR
250+	0.81 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 101

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC10A816N8TC

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ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	1.36 EUR
123+	1.2 EUR
147+	0.97 EUR
250+	0.85 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 113

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMC10A816N8TC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 210000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.72 EUR
5000+	0.69 EUR
12500+	0.66 EUR
25000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMC10A816N8TC
Produktcode: 184010

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A16

03+ SMD8

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A16

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A16DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A16DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A16DN8

09+

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA Multi channel transistors

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ZXMC3A16DN8TA

MOSFET N and P Channel

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.68 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMC3A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 14660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.45 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A16DN8TC

MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS

auf Bestellung 1007 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.29 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.01 EUR
2500+	0.95 EUR
5000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMC3A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.03 EUR
5000+	0.98 EUR
12500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMC3A17

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A17DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A17DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A17DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A17DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 26301 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.58 EUR
14+	1.29 EUR
100+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 12

ZXMC3A17DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 363 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMC3A17DN8TA

MOSFET 30V Enhancement Mode

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 311-315 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.68 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

62+	1.16 EUR
85+	0.84 EUR
500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 62

ZXMC3A17DN8TA

auf Bestellung 363 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 26000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	0.85 EUR
1000+	0.69 EUR
2500+	0.65 EUR
5000+	0.62 EUR
12500+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 500

ZXMC3A17DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A18

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A18DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A18DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A18DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3AM832

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3AM832TA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

auf Bestellung 563 Stücke:

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ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

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ZXMC3AMCTA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: DFN3020B-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18/0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2950 Stücke:

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69+	1.04 EUR
99+	0.73 EUR
111+	0.64 EUR
133+	0.54 EUR
140+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 69

ZXMC3AMCTA

MOSFET 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS

auf Bestellung 16377 Stücke:

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2+	1.64 EUR
10+	1.34 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 1026 Stücke:

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ZXMC3AMCTA

Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

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ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

auf Bestellung 42860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
14+	1.35 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

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ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC3AMCTA

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

69+	1.04 EUR
99+	0.73 EUR
111+	0.64 EUR
133+	0.54 EUR
140+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 69

ZXMC3AMCTA

auf Bestellung 3000 Stücke:

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ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.68 EUR
6000+	0.65 EUR
9000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMC3F31DN8

MOSFET

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ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

auf Bestellung 500 Stücke:

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500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 500

ZXMC3F31DN8TA

MOSFET 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate

auf Bestellung 34 Stücke:

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3+	1.37 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors

auf Bestellung 469 Stücke:

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58+	1.24 EUR
166+	0.43 EUR
175+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 58

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

auf Bestellung 500 Stücke:

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13+	1.39 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 13

ZXMC4559

SO-8

auf Bestellung 30000 Stücke:

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ZXMC4559DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC4559DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC4559DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC4559DN8

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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500+	0.64 EUR
1000+	0.56 EUR
2000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 500

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 664 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
12+	1.57 EUR
100+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 10

ZXMC4559DN8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

87+	0.83 EUR
140+	0.51 EUR
148+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 87

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR
2500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 500

ZXMC4559DN8TA

MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl

auf Bestellung 5431 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.51 EUR
10+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.62 EUR
104+	1.43 EUR
105+	1.36 EUR
128+	1.07 EUR
250+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 95

ZXMC4559DN8TA

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	0.83 EUR
140+	0.51 EUR
148+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 87

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.48 EUR
105+	1.41 EUR
128+	1.11 EUR
250+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 104

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 500

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC4559DN8TC

MOSFETs 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMC4559DN8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.9/-4.7A
Power dissipation: 2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.055/0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 1480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1480+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC4559DN8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.9/-4.7A
Power dissipation: 2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.055/0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC4A16DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC4A16DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 2946 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMC4A16DN8TA

MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 2946 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMC4A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC6A07T8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC6A09DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC6A09DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC6A09DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TA Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC6A09DN8TA

MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl

auf Bestellung 781 Stücke:

Lieferzeit 66-70 Tag (e)

1+	3.15 EUR
10+	2.64 EUR
100+	1.97 EUR
250+	1.75 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.57 EUR

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 207 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.19 EUR
10+	2.65 EUR
100+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	3.02 EUR
56+	2.65 EUR
57+	2.52 EUR
100+	2.02 EUR
250+	1.92 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 51

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	3.02 EUR
56+	2.65 EUR
57+	2.52 EUR
100+	2.02 EUR
250+	1.92 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 51

ZXMD63C02X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63C02X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMD63C02XTA

09+

auf Bestellung 15018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMD63C02XTA

MSOP

auf Bestellung 15100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMD63C02XTC

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMD63C03X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63C03X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63C03X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

auf Bestellung 13603000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMD63C03XTA

MOSFET 30V N&P Chnl HDMOS

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ZXMD63C03XTA

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ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

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ZXMD63C03XTC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

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ZXMD63N02X

2004

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ZXMD63N02X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXMD63N02X

MSOP8

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ZXMD63N02XTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 8-Pin MSOP T/R

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ZXMD63N02XTA

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ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

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ZXMD63N02XTA

MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS

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ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

auf Bestellung 400045000 Stücke:

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ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

auf Bestellung 483345000 Stücke:

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ZXMD63N02XTC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

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ZXMD63N03X

07+ MSOP8

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ZXMD63N03X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXMD63N03X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

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ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

auf Bestellung 4000 Stücke:

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1000+	1.85 EUR
2000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMD63N03XTA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.9A; 1.25W; MSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 1.25W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	71.5 EUR
5+	14.3 EUR
14+	5.11 EUR
37+	1.93 EUR

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

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5+	3.78 EUR
10+	3.39 EUR
100+	2.72 EUR
500+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ZXMD63N03XTA

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	71.5 EUR

ZXMD63N03XTA

MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS

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ZXMD63N03XTC

auf Bestellung 6500 Stücke:

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ZXMD63N03XTC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP

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ZXMD63P02X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

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ZXMD63P02X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63P02X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63P02XTA

SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63P02XTA

07+ SOT-223

auf Bestellung 30000 Stücke:

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ZXMD63P02XTA

MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS

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ZXMD63P02XTA

Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 8-Pin MSOP T/R

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ZXMD63P02XTA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP

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ZXMD63P02XTC

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ZXMD63P03X

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63P03X

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63P03X

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD63P03XTA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

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ZXMD63P03XTA

MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS

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ZXMD63P03XTA

TSSOP8

auf Bestellung 3351 Stücke:

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ZXMD63P03XTC

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

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ZXMD65N02

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ZXMD65N02

09+ SO-8

auf Bestellung 1149 Stücke:

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ZXMD65N02N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

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ZXMD65N03

auf Bestellung 73 Stücke:

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ZXMD65N03

09+ SO-8

auf Bestellung 1073 Stücke:

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ZXMD65N03N8

auf Bestellung 5200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD65N03N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

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ZXMD65P02

auf Bestellung 250 Stücke:

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ZXMD65P02

09+ SO-8

auf Bestellung 1275 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD65P02

auf Bestellung 275 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD65P02N8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

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ZXMD65P02N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD65P02N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

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ZXMD65P02N8TA

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC T/R

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ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

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ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

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ZXMD65P02N8TC

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

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ZXMD65P03

09+ SO-8

auf Bestellung 2793 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD65P03

auf Bestellung 1793 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD65P03N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMD65P03N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

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ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 81521 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
12+	1.57 EUR
100+	1.22 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 10

ZXMHC10A07N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2119 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.46 EUR
59+	1.22 EUR
83+	0.87 EUR
88+	0.82 EUR
500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 50

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC10A07N8TC

auf Bestellung 2119 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	1.46 EUR
59+	1.22 EUR
83+	0.87 EUR
88+	0.82 EUR
500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 50

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 80000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMHC10A07N8TC

Diodes INC.

Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	1.94 EUR
10+	1.67 EUR
100+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

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ZXMHC10A07N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

auf Bestellung 24229 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.59 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.85 EUR
2500+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

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ZXMHC10A07T8

07+ SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC10A07T8

MOSFET

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ZXMHC10A07T8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC10A07T8

SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

auf Bestellung 5950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ZXMHC10A07T8TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.41 EUR
2000+	1.33 EUR
5000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC10A07T8TA

MOSFETs 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge

auf Bestellung 1957 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.99 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.99 EUR
250+	1.95 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.39 EUR
2000+	1.35 EUR

ZXMHC10A07T8TA

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC3A01N8

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC3A01N8DICT

Diodes Inc./Zetex

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMHC3A01N8TA

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMHC3A01N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

auf Bestellung 34081 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.28 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR
2500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMHC3A01N8TC

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 128789 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
13+	1.42 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 122500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC3A01T8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC3A01T8

SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC3A01T8

07+ SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.73 EUR
98+	1.51 EUR
99+	1.44 EUR
111+	1.23 EUR
250+	1.17 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 89

ZXMHC3A01T8TA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.73 EUR
98+	1.51 EUR
99+	1.44 EUR
111+	1.23 EUR
250+	1.17 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 89

ZXMHC3A01T8TA
Produktcode: 163888

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMHC3A01T8TA

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

auf Bestellung 32686 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.71 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.79 EUR
500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

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ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMHC3A01T8TA

MOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel

auf Bestellung 4041 Stücke:

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2+	2.48 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.72 EUR
250+	1.7 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.29 EUR
2000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMHC3A01T8TA

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

auf Bestellung 32000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.28 EUR
2000+	1.22 EUR
5000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMHC3F381N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMHC3F381N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 142500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMHC3F381N8TC

MOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

auf Bestellung 21956 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.21 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMHC3F381N8TC

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ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC3F381N8TC

auf Bestellung 1685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 145385 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.2 EUR
18+	0.98 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 15

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

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ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 320000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.68 EUR
5000+	0.65 EUR
12500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMHC6A07N8TC

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ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC6A07N8TC

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ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC6A07N8TC

MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

auf Bestellung 84837 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.23 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR
2500+	0.68 EUR
5000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMHC6A07N8TC

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

auf Bestellung 322500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
14+	1.35 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

ZXMHC6A07T8

07+ SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC6A07T8

MOSFET

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ZXMHC6A07T8

SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHC6A07T8TA

MOSFET 60V UMOS H-Bridge

auf Bestellung 4057 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.52 EUR
250+	1.51 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.28 EUR
2000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

auf Bestellung 37736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.83 EUR
10+	2.35 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC6A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 943 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMHC6A07T8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2790 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

39+	1.87 EUR
44+	1.66 EUR
50+	1.44 EUR
53+	1.37 EUR
500+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 39

ZXMHC6A07T8TA

auf Bestellung 2790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	1.87 EUR
44+	1.66 EUR
50+	1.44 EUR
53+	1.37 EUR
500+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 39

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

auf Bestellung 37736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.35 EUR
2000+	1.28 EUR
5000+	1.23 EUR
10000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHC6A07T8TA

auf Bestellung 943 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMHN6A07T8

SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHN6A07T8

07+ SM-8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMHN6A07T8TA

MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge

auf Bestellung 609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMHN6A07T8TA

Description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMHN6A07T8TA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 8-Pin SM8 T/R

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ZXMN

auf Bestellung 13870 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

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ZXMN0545G4

SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN0545G4

07+ SOT223

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

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ZXMN0545G4TA

MOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET

auf Bestellung 5004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN0545G4TA

auf Bestellung 11000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1114 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.86 EUR
93+	1.59 EUR
128+	1.11 EUR
129+	1.06 EUR
250+	0.76 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 83

ZXMN0545GTA

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10A07FTA

auf Bestellung 35800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 913 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

261+	0.59 EUR
297+	0.48 EUR
385+	0.35 EUR
389+	0.34 EUR
500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 261

ZXMN10A07FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 317 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

148+	0.49 EUR
191+	0.38 EUR
211+	0.34 EUR
316+	0.23 EUR
500+	0.21 EUR
750+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 148

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

auf Bestellung 335630 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.21 EUR
30000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN10A07FTA

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	0.53 EUR
171+	0.42 EUR
191+	0.37 EUR
313+	0.23 EUR
332+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 136

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN10A07FTA

auf Bestellung 190 Stücke:

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ZXMN10A07FTA

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148+	0.49 EUR
191+	0.38 EUR
211+	0.34 EUR
316+	0.23 EUR
500+	0.21 EUR
750+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 148

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 913 Stücke:

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297+	0.52 EUR
385+	0.38 EUR
389+	0.37 EUR
500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 297

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

auf Bestellung 335737 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
30+	0.59 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 25

ZXMN10A07FTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 7549 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ZXMN10A07FTA

auf Bestellung 317 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	0.49 EUR
191+	0.38 EUR
211+	0.34 EUR
316+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 148

ZXMN10A07FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A07Z

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.36 EUR
2000+	0.32 EUR
5000+	0.3 EUR
10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN10A07ZTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	1.09 EUR
155+	0.46 EUR
197+	0.36 EUR
228+	0.31 EUR
239+	0.3 EUR

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ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.36 EUR
2000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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ZXMN10A07ZTA

auf Bestellung 1985 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

66+	1.09 EUR
155+	0.46 EUR
197+	0.36 EUR
228+	0.31 EUR
239+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 66

ZXMN10A07ZTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 36545 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.97 EUR
10+	0.81 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.33 EUR
2000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 3002 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.83 EUR
247+	0.6 EUR
250+	0.57 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 185

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

auf Bestellung 12642 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
22+	0.81 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 19

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08

auf Bestellung 459 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A08DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A08DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A08DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A08DN8TA

MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET

auf Bestellung 559 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.28 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08DN8TA

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 20

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.62 EUR
13+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 11

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6QTA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

auf Bestellung 5139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

245+	0.63 EUR
248+	0.6 EUR
296+	0.48 EUR
298+	0.46 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 245

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

auf Bestellung 277183 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
21+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 18

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

auf Bestellung 5139 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

229+	0.67 EUR
245+	0.6 EUR
248+	0.57 EUR
296+	0.46 EUR
298+	0.44 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 229

ZXMN10A08E6TA

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

auf Bestellung 276000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.34 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN10A08E6TA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 16013 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.78 EUR
10+	0.69 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.35 EUR
6000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6TA-50

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6TA-50

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6TC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6TC

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

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ZXMN10A08GT

auf Bestellung 20500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

auf Bestellung 147000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.51 EUR
2000+	0.45 EUR
5000+	0.43 EUR
10000+	0.4 EUR
25000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08GTA

MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET

auf Bestellung 17038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.13 EUR
10+	0.98 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.47 EUR
2000+	0.44 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

auf Bestellung 147364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.2 EUR
18+	1.03 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 15

ZXMN10A08GTA

auf Bestellung 12500 Stücke:

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ZXMN10A08T6TA

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ZXMN10A09K

DPAK

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ZXMN10A09K

07+ DPAK

auf Bestellung 9000 Stücke:

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ZXMN10A09K

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2255 Stücke:

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107+	1.43 EUR
112+	1.32 EUR
124+	1.15 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 107

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A09KTC

MOSFET MOSFET N-CH 100V

auf Bestellung 806 Stücke:

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1+	2.82 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.87 EUR
250+	1.72 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.34 EUR
2500+	1.27 EUR

ZXMN10A09KTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; 4.31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 4.31W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A09KTC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

auf Bestellung 1377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.99 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10A11G

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1290 Stücke:

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ZXMN10A11GFTA

auf Bestellung 200 Stücke:

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ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 43000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN10A11GTA

MOSFETs 100V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 2462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.16 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.44 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMN10A11GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	1.1 EUR
126+	0.57 EUR
143+	0.5 EUR
167+	0.43 EUR
177+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 65

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.49 EUR
2000+	0.44 EUR
5000+	0.42 EUR
10000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN10A11GTA

auf Bestellung 345 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

65+	1.1 EUR
126+	0.57 EUR
143+	0.5 EUR
167+	0.43 EUR
177+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 65

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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ZXMN10A11GTA
Produktcode: 131543

Transistoren > MOSFET N-CH

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ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

auf Bestellung 21086 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
18+	1 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 16

ZXMN10A11GTC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

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ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

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ZXMN10A11KT

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMN10A11KTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; 4.06W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 4.06W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A11KTC

MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

auf Bestellung 2227 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.26 EUR
10+	1.25 EUR
1000+	1.18 EUR
2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMN10A11KTC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMN10A25

SOT-223

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.85 EUR
2000+	0.8 EUR
5000+	0.76 EUR
10000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.67 EUR
102+	1.45 EUR
103+	1.39 EUR
130+	1.06 EUR
250+	1 EUR
500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 92

ZXMN10A25GTA

MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET

auf Bestellung 2776 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.55 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.82 EUR
2000+	0.79 EUR
5000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMN10A25GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	1.37 EUR
59+	1.23 EUR
71+	1.02 EUR
75+	0.96 EUR
250+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 53

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.51 EUR
103+	1.44 EUR
130+	1.1 EUR
250+	1.05 EUR
500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 102

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

auf Bestellung 20480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.94 EUR
12+	1.59 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 10

ZXMN10A25GTA

auf Bestellung 575 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

53+	1.37 EUR
59+	1.23 EUR
71+	1.02 EUR
75+	0.96 EUR
250+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 53

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A25KTC

MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

auf Bestellung 4691 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.16 EUR
10+	1.75 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.95 EUR
2500+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMN10A25KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

auf Bestellung 9733 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
11+	1.76 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 9

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A25KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1194 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10A25KTC

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN10A25KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.89 EUR
5000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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ZXMN10A25KTC

auf Bestellung 2344 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10B08E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10B08E6

09+ SOP

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN10B08E6QTA

ZXMN10B08E6QTA

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ZXMN10B08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K

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ZXMN10B08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

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ZXMN10B08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 9019 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10B08E6TA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 2835 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.31 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.51 EUR
9000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA SMD N channel transistors

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

56+	1.29 EUR
166+	0.43 EUR
175+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 56

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

auf Bestellung 306000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.44 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN10B08E6TA

auf Bestellung 9019 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

auf Bestellung 308033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
17+	1.05 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 15

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN10B08E6TA 10B8

N-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 50

ZXMN10B08E6TC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

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ZXMN15A27KT

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN15A27KTC

auf Bestellung 6070 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 16

ZXMN15A27KTC

Trans MOSFET N-CH 150V 2.55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

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ZXMN15A27KTC

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMN2069FTA

Description: MOSFET N-CH SOT23-3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2088DE6

auf Bestellung 123800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2088DE6TA

MOSFET 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2088DE6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2088DE6TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2088DE6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN20B28K

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN20B28K-13

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN20B28KT

auf Bestellung 20500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.49 EUR
5000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMN20B28KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1014 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN20B28KTC

10+ SOT-23

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

auf Bestellung 3100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
17+	1.05 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 15

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN20B28KTC

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL

auf Bestellung 34519 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.2 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.51 EUR
2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

ZXMN20B28KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1014 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN20B28KTC-13

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A01E6

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A01E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A01E6TA

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

auf Bestellung 1633 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
20+	0.89 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 18

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A01E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A01E6TA

MOSFETs 20V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 5633 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7266 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

585+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 585

ZXMN2A01E6TA

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN2A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A01F

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A01F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

auf Bestellung 1061777 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.77 EUR
30+	0.6 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 23

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

315+	0.49 EUR
422+	0.35 EUR
426+	0.33 EUR
552+	0.25 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 315

ZXMN2A01FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.9A; Idm: 8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

244+	0.63 EUR
325+	0.45 EUR
328+	0.43 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 244

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 806
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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260+	0.59 EUR
307+	0.48 EUR
315+	0.45 EUR
422+	0.32 EUR
426+	0.31 EUR
552+	0.23 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 260

ZXMN2A01FTA

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ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

auf Bestellung 1059000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
6000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR
75000+	0.17 EUR

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ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.21 EUR
6000+	0.19 EUR
15000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.22 EUR
6000+	0.19 EUR
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ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
15000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 806
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN2A01FTA

MOSFET 20V N-Chnl UMOS

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4+	0.76 EUR
10+	0.62 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMN2A01FTA 7N2

Trans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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200+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 200

ZXMN2A01FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

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ZXMN2A02

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ZXMN2A02F

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ZXMN2A02N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A02N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A02N8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

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ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

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ZXMN2A02N8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 10.2A 8-Pin SOIC T/R

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ZXMN2A02N8TA

MOSFET 20V N Chnl UMOS

auf Bestellung 416 Stücke:

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ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

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ZXMN2A02X8

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

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ZXMN2A02X8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A02X8

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

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ZXMN2A02X8TA

auf Bestellung 2080 Stücke:

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ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

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ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

auf Bestellung 93 Stücke:

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ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

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ZXMN2A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

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ZXMN2A03

auf Bestellung 1126 Stücke:

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ZXMN2A03E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXMN2A03E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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ZXMN2A03E6TA

MOSFET N Channel

auf Bestellung 1764 Stücke:

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2+	1.44 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMN2A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

auf Bestellung 18409 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13

ZXMN2A03E6TA

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

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ZXMN2A04D

09+ SO-8

auf Bestellung 1021 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A04D

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A04DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 12579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.2 EUR
10+	2.65 EUR
100+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	1.38 EUR
131+	1.13 EUR
136+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 111

ZXMN2A04DN8TA

SOP 08+PBF

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.79 EUR
1000+	1.52 EUR
2500+	1.44 EUR
5000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 500

ZXMN2A04DN8TA

MOSFET Dl 20V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.17 EUR
10+	2.66 EUR
100+	2.11 EUR
250+	2.09 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.52 EUR

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A04DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A14F

TOSHIBA

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A14F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A14FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A14FTA

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

auf Bestellung 192000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.31 EUR
6000+	0.29 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2A14FTA

MOSFET N Channel

auf Bestellung 77490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.7 EUR
10+	0.61 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2696 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	0.78 EUR
227+	0.65 EUR
229+	0.62 EUR
293+	0.47 EUR
295+	0.44 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 198

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2696 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

229+	0.67 EUR
293+	0.5 EUR
295+	0.48 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 229

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2A14FTA

N-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 100

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

auf Bestellung 198175 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 20

ZXMN2AM832

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMN2AM832TA

auf Bestellung 746 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

auf Bestellung 3401 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

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ZXMN2AMCTA

MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMN2AN8

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2B01F

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1919 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN2B01F

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2B01F

auf Bestellung 1919 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2022 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

332+	0.46 EUR
456+	0.32 EUR
460+	0.31 EUR
594+	0.23 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 332

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2022 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

277+	0.55 EUR
330+	0.45 EUR
332+	0.43 EUR
456+	0.3 EUR
460+	0.28 EUR
594+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 277

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

auf Bestellung 188643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
31+	0.58 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 24

ZXMN2B01FTA

MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

auf Bestellung 14657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.76 EUR
10+	0.61 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

auf Bestellung 186000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR
9000+	0.17 EUR
75000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA SMD N channel transistors

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ZXMN2B03E6

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2B03E6TA

MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

auf Bestellung 8780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

ZXMN2B03E6TA

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 6-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

auf Bestellung 2994 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.36 EUR
15+	1.19 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13

ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN2B14FH

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2B14FH

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.5 EUR
15000+	0.48 EUR
30000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2B14FHTA

MOSFETs 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

auf Bestellung 6152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.88 EUR
10+	0.77 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2668 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

147+	1.04 EUR
148+	1 EUR
194+	0.73 EUR
250+	0.7 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 147

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

auf Bestellung 33397 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.39 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 13

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2668 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	1.19 EUR
147+	1.01 EUR
148+	0.96 EUR
194+	0.71 EUR
250+	0.67 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 129

ZXMN2F30FH

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2F30FH

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
29+	0.61 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 24

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHQTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 8145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.6 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHQTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 65mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHQTA

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHTA

MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

auf Bestellung 111217 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.57 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.26 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

ZXMN2F30FHTA

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 50

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.14 EUR
45000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

auf Bestellung 184462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
32+	0.55 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 65mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 65mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

auf Bestellung 183000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
30000+	0.16 EUR
75000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN2F34FH

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F34FH

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN2F34FHTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.9A; 0.95W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
On-state resistance: 0.12Ω

auf Bestellung 1256 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	0.56 EUR
205+	0.35 EUR
272+	0.26 EUR
365+	0.2 EUR
385+	0.19 EUR
500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 129

ZXMN2F34FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	0.54 EUR
398+	0.37 EUR
428+	0.33 EUR
523+	0.26 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 286

ZXMN2F34FHTA

MOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

auf Bestellung 92141 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.47 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMN2F34FHTA

auf Bestellung 1256 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

129+	0.56 EUR
205+	0.35 EUR
272+	0.26 EUR
365+	0.2 EUR
385+	0.19 EUR
500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 129

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	0.69 EUR
265+	0.56 EUR
286+	0.5 EUR
398+	0.34 EUR
428+	0.31 EUR
523+	0.24 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 221

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

auf Bestellung 112155 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
29+	0.61 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 24

ZXMN2F34FHTA

auf Bestellung 2388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

auf Bestellung 108000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
6000+	0.2 EUR
15000+	0.19 EUR
30000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F34MATA

Trans MOSFET N-CH 20V 8.5A 3-Pin DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN2N02

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3804

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A01E6

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A01E6

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

auf Bestellung 297000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN3A01E6TA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 7976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.87 EUR
10+	0.75 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMN3A01E6TA

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

auf Bestellung 309507 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
23+	0.8 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 20

ZXMN3A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A01F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A01F

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6522 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN3A01F

auf Bestellung 6522 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN3A01FQTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SOT23

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A01FTA

MOSFETs 30V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 87356 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 516 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

297+	0.52 EUR
356+	0.41 EUR
359+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 297

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 516 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	0.63 EUR
294+	0.5 EUR
297+	0.48 EUR
356+	0.38 EUR
359+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 242

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

auf Bestellung 91741 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
28+	0.63 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 24

ZXMN3A01FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; 0.806W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 0.806W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.8 EUR
32+	2.28 EUR
34+	2.16 EUR
3000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 19

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR
9000+	0.18 EUR
15000+	0.17 EUR
30000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN3A01FTA

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

19+	3.8 EUR
32+	2.28 EUR
34+	2.16 EUR
3000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 19

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
6000+	0.2 EUR
15000+	0.18 EUR
30000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN3A01FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A01FTC

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 723 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

265+	0.58 EUR
345+	0.43 EUR
359+	0.4 EUR
500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 265

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

auf Bestellung 32000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.28 EUR
2000+	0.25 EUR
5000+	0.24 EUR
10000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A01ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN3A01ZTA

MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A

auf Bestellung 7751 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.75 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.29 EUR
2000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

auf Bestellung 33974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
28+	0.63 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 24

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 723 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

216+	0.71 EUR
262+	0.56 EUR
265+	0.54 EUR
345+	0.4 EUR
359+	0.37 EUR
500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 216

ZXMN3A01ZTA

auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN3A02N8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A02N8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A02N8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A02N8TA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A02X8

MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A02X8

07+ MSOP8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A02X8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A02X8TA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

auf Bestellung 15351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.36 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 8

ZXMN3A02X8TA

auf Bestellung 780 Stücke:

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ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

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1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

ZXMN3A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

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ZXMN3A03E6

Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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ZXMN3A03E6

06+;

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ZXMN3A03E6

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ZXMN3A03E6

MOSFET

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ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2868 Stücke:

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281+	0.55 EUR
294+	0.5 EUR
295+	0.48 EUR
330+	0.41 EUR
333+	0.39 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.34 EUR

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ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 52974 Stücke:

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13+	1.39 EUR
15+	1.19 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 13

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2868 Stücke:

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294+	0.52 EUR
295+	0.5 EUR
330+	0.43 EUR
333+	0.41 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 294

ZXMN3A03E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.6A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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ZXMN3A03E6TA

MOSFETs 30V N Chnl UMOS

auf Bestellung 67345 Stücke:

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3+	0.95 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

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3000+	0.52 EUR
6000+	0.5 EUR
9000+	0.46 EUR
30000+	0.45 EUR

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ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN3A03E6TA

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ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

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3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin SOT-23 T/R

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ZXMN3A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

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ZXMN3A04D

auf Bestellung 109 Stücke:

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ZXMN3A04D

ZXMN

04+ SMD8

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ZXMN3A04D

auf Bestellung 1200 Stücke:

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ZXMN3A04D

09+ SO-8

auf Bestellung 1109 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A04DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A04DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A04DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A04DN8TA

MOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 930 Stücke:

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2+	2.78 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.85 EUR
250+	1.75 EUR
500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.59 EUR
1000+	1.35 EUR
2500+	1.28 EUR
5000+	1.24 EUR
12500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 500

ZXMN3A04DN8TA

auf Bestellung 1000 Stücke:

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ZXMN3A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R

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ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 22603 Stücke:

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7+	2.85 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 7

ZXMN3A04DN8TC

auf Bestellung 50000 Stücke:

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ZXMN3A04DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

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ZXMN3A04K

07+ DPAK

auf Bestellung 9000 Stücke:

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ZXMN3A04K

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

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ZXMN3A04K

DPAK

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2080 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.08 EUR
10+	2.55 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.72 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ZXMN3A04KTC

auf Bestellung 2080 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.24 EUR
10+	2.68 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 6

ZXMN3A04KTC

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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ZXMN3A04KTC

auf Bestellung 25000 Stücke:

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ZXMN3A04KTC

MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A

auf Bestellung 1549 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.45 EUR
10+	3.12 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.7 EUR
2500+	1.58 EUR
10000+	1.48 EUR

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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ZXMN3A05N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A06D

auf Bestellung 367 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A06DN8

07+ SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A06DN8

SO8

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A06DN8

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A06DN8

09+

auf Bestellung 397 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A06DN8TA

Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 10

ZXMN3A06DN8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

ZXMN3A06DN8TA

MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.75 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.01 EUR
2500+	0.97 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 514 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 9

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 500

ZXMN3A06DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A06N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

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ZXMN3A13FTA

auf Bestellung 1503 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A14F

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A14F

SOT23

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A14F

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

ZXMN3A14F

07+ SOT23

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A14FPBF

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

ZXMN3A14FQTA

MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V

auf Bestellung 19671 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.22 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.49 EUR
9000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

ZXMN3A14FQTA