![ZXM61N02F ZXM61N02F](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SOT23-40.jpg)
ZXM61N02F DIODES INC.
![2108443.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ZXM61N02F DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXM61N02F
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXM61N02F | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
auf Bestellung 14881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
ZXM61N02F | Hersteller : ZETEX | 06+; |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
ZXM61N02F | Hersteller : Diodes Incorporated | MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |