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Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

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4+	0.7 EUR
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Mindestbestellmenge: 4

PMV1-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Features: Butted Seam
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 4192 Stücke:

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25+	0.7 EUR
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500+	0.63 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV1-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV1-3FB-CY

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED

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PMV1-3FB-CY

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 100 Stücke:

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PMV1-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 1267 Stücke:

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26+	0.68 EUR
50+	0.66 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV1-3RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 2400 Stücke:

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4+	0.7 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.53 EUR
9000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV1-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

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PMV1-3RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 1957 Stücke:

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11+	1.6 EUR
12+	1.56 EUR
25+	1.52 EUR
50+	1.48 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 11

PMV1-3RB-CY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 230 Stücke:

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PMV1-3RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M3

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PMV1-3RB-XY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

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PMV1-4FB-CY

Description: TERM FORK INS

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PMV1-4RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4

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PMV1-4RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4

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PMV1-5FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

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PMV1-5FB-3K

Description: TERM FORK INS

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PMV1-5FB-CY

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M5 RED
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.860" (21.84mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper

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PMV1-5FB-CY

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV1-5RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

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PMV1-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.880" (22.35mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 4710 Stücke:

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25+	0.7 EUR
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50+	0.66 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.58 EUR

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PMV1-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.880" (22.35mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper

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3000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV1-5RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.910" (23.11mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 237 Stücke:

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11+	1.63 EUR
25+	1.59 EUR
50+	1.55 EUR
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PMV1-5RB-CY

Ring Tongue Terminal 18-22AWG Copper Red 23.11mm Tin Bottle

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PMV1-5RB-CY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

auf Bestellung 450 Stücke:

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PMV1-5RB-XY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

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PMV1-5RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP

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PMV1-6FB-CY

Description: TERM FORK INS

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PMV1-6RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6

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PMV1-6RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6

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PMV1-P10-CY

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 0

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PMV1-P12B-3K

Description: CONN WIRE PIN TERM 18-20AWG

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PMV100ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

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PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV100ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

249+	0.61 EUR
386+	0.38 EUR
390+	0.36 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.17 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 249

PMV100ENEAR

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PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	0.76 EUR
246+	0.59 EUR
249+	0.57 EUR
386+	0.35 EUR
390+	0.33 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 200

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV100ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
31+	0.59 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV100ENEAR

MOSFET PMV100ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 20644 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	0.28 EUR
14+	0.22 EUR
100+	0.21 EUR
3000+	0.18 EUR
24000+	0.17 EUR
45000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 11

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100EPAR

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 13534 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.81 EUR
28+	0.63 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 22

PMV100EPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain current: -1.4A
On-state resistance: 276mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -9A
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2676 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV100EPAR

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
6000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV100EPAR

MOSFET PMV100EPA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 85974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.8 EUR
10+	0.63 EUR
100+	0.35 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR
24000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV100EPAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100XPEA,215

Description: 2.4A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV100XPEA215

Description: NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 4.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6693+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 6693

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15000+	0.086 EUR
24000+	0.082 EUR
30000+	0.078 EUR

Mindestbestellmenge: 15000

PMV100XPEAR

MOSFET PMV100XPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 80-84 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.5 EUR
100+	0.21 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR
24000+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV100XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -10A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 187mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV100XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6597 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
37+	0.48 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.086 EUR
24000+	0.082 EUR
30000+	0.078 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV100XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV100XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5748 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

243+	0.62 EUR
349+	0.42 EUR
353+	0.4 EUR
819+	0.16 EUR
837+	0.15 EUR
1086+	0.11 EUR
3000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 243

PMV100XPEAR

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PMV100XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5748 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

819+	0.18 EUR
837+	0.17 EUR
1086+	0.12 EUR
3000+	0.068 EUR

Mindestbestellmenge: 819

PMV10A440

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: SPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 60ms
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 208...480V AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	44.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV10A440

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	44.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV117EN

PHILILPS

09+

auf Bestellung 2018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

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PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB

auf Bestellung 4607 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3206+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3206

PMV117EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

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PMV120ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

345+	0.44 EUR
413+	0.35 EUR
448+	0.31 EUR
753+	0.18 EUR
760+	0.17 EUR
768+	0.16 EUR
1056+	0.11 EUR
3000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 345

PMV120ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV120ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.096 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 513mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV120ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; Idm: 8.3A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8.3A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 246mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

Produkt ist nicht verfügbar

PMV120ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2197 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV120ENEAR

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PMV120ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV120ENEAR

MOSFET PMV120ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 32876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.49 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV120ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

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PMV1216GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV1216GY

Electrical Enclosures Vertical Steel Channel, Grey

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV1216GY

HAMMOND

Description: HAMMOND - PMV1216GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL
tariffCode: 0
Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Hammond 1414 N4, Eclipse Junior, 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMK Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV130ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	0.5 EUR
177+	0.41 EUR
204+	0.35 EUR
311+	0.23 EUR
374+	0.19 EUR
539+	0.13 EUR
1500+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 143

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 705000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV130ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 460mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2055 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV130ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV130ENEAR

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

143+	0.5 EUR
177+	0.41 EUR
204+	0.35 EUR
311+	0.23 EUR
374+	0.19 EUR
539+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 143

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV130ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV130ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
36+	0.5 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

407+	0.37 EUR
553+	0.26 EUR
599+	0.23 EUR
762+	0.18 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 407

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

292+	0.52 EUR
379+	0.39 EUR
407+	0.35 EUR
553+	0.24 EUR
599+	0.22 EUR
762+	0.16 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 292

PMV130ENEAR

MOSFET PMV130ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 74745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.71 EUR
10+	0.47 EUR
100+	0.31 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV13XNEAR

Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3046 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
37+	0.48 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 29

PMV13XNEAR

MOSFET PMV13XNEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 13707 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR
9000+	0.15 EUR
24000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV13XNEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.6A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23; TO236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV13XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV13XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.3 A, 0.011 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2582 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV13XNEAR

Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV13XNEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV13XNEAR

PMV13XNEA/SOT23/TO-236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV13XNR

Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV13XNR

Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

auf Bestellung 2682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.83 EUR
28+	0.64 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 22

PMV15ENEAR

MOSFETs PMV15ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 21476 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.5 EUR
100+	0.28 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV15ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.17 EUR
15000+	0.16 EUR
30000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV15ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

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PMV15ENEAR

PMV15ENEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 70444 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
34+	0.53 EUR
37+	0.49 EUR
100+	0.36 EUR
250+	0.33 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV15ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15ENER

Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV15ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV15ENER

MOSFET PMV15ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 14828 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.37 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV15ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

PMV15ENER

Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V

auf Bestellung 8074 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
29+	0.62 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV15UNEAR

PMV15UNEAR SMD N channel transistors

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PMV15UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15UNEAR

Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5655 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV15UNEAR

MOSFET PMV15UNEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 10883 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.39 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR
24000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV15UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V SOT23

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PMV15UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV15UNEAR

Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5655 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV160UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.097 EUR
6000+	0.096 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV160UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.8A; 480mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 4043 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

309+	0.23 EUR
569+	0.13 EUR
633+	0.11 EUR
782+	0.092 EUR
820+	0.087 EUR

Mindestbestellmenge: 309

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

95+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 95

PMV160UP,215

auf Bestellung 4043 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

309+	0.23 EUR
569+	0.13 EUR
633+	0.11 EUR
782+	0.092 EUR
820+	0.087 EUR

Mindestbestellmenge: 309

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 93000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV160UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V

auf Bestellung 93201 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

40+	0.44 EUR
57+	0.31 EUR
112+	0.16 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 40

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	5.76 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV160UP,215

MOSFETs PMV160UP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 47425 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.46 EUR
10+	0.32 EUR
100+	0.15 EUR
1000+	0.11 EUR
3000+	0.099 EUR
9000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 7

PMV160UPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB

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PMV160UPVL

MOSFET PMV160UP/SOT23/TO-236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV164ENEAR

MOSFET PMV164ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 85335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.7 EUR
10+	0.5 EUR
100+	0.21 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.12 EUR
9000+	0.11 EUR
24000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV164ENEAR

PMV164ENEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV164ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15397 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

32+	0.56 EUR
51+	0.35 EUR
100+	0.22 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 32

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV164ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV164ENER

Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV164ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV164ENER

MOSFET PMV164ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 33659 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.49 EUR
100+	0.28 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.12 EUR
9000+	0.097 EUR
24000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV164ENER

Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V

auf Bestellung 4302 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
39+	0.45 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV164ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV16UN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV16UN

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

PMV16UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV16UN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7116 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

762+	0.2 EUR
1181+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 762

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV16XNR

Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 13844 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7116 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

762+	0.2 EUR
1181+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 762

PMV16XNR

auf Bestellung 13844 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV16XNR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR
15000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV16XNR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

PMV16XNR

MOSFETs PMV16XN/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 94190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.25 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV16XNR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V

auf Bestellung 17825 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.84 EUR
35+	0.52 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 21

PMV170UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV170UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

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2219+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2219

PMV185XN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV185XN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV185XN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

auf Bestellung 260243 Stücke:

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2219+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2219

PMV19XNEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 3327 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
33+	0.54 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV19XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV19XNEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.8A; Idm: 24A
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 18.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

PMV19XNEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV19XNEAR

MOSFET PMV19XNEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 15905 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.7 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.3 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR
45000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV19XNEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV19XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV2-35RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3.5

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 1640 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
27+	0.65 EUR
50+	0.64 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV2-3FB-C

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.840" (21.34mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 1307 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
12+	1.57 EUR
100+	1.42 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 11

PMV2-3FB-C

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.64 EUR
10+	1.6 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.29 EUR
5000+	1.22 EUR
10000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV2-3FB-C

Fork Terminal 14-16AWG Copper Blue 21.34mm Tin Bottle

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP

auf Bestellung 1785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
12+	1.57 EUR
25+	1.53 EUR
50+	1.5 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 11

PMV2-3RB-C

Terminals VYL-RING 1.5-2.5MM M3

auf Bestellung 3177 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV2-3RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-3RB-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV2-4FB-3K

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-4FB-C

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-4RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-4RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-4RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5FB-3K

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5FB-C

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5FB-C

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV2-5RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.935" (23.75mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 1947 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.61 EUR
25+	1.57 EUR
50+	1.54 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 11

PMV2-5RB-C

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.64 EUR
10+	1.6 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.29 EUR
5000+	1.22 EUR
10000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV2-5RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-5RB-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV2-6FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M6 BLU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M6 Stud
Length - Overall: 1.031" (26.20mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.441" (11.20mm)
Contact Material: Copper

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-6FB-C

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-6RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M6 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M6 Stud
Length - Overall: 1.051" (26.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.429" (10.90mm)
Contact Material: Copper

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-6RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-6RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-P10-C

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 1

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2-P12B-3K

Description: CONN WIRE PIN TERM 14-16AWG
Packaging: Bulk
Color: Blue
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Pin Diameter: Circular - 0.080" (2.03mm) Dia
Length - Overall: 0.890" (22.61mm)
Termination: Crimp
Length - Pin: 0.394" (10.00mm)

Produkt ist nicht verfügbar

PMV2024GY

Electrical Enclosure Accessories Vertical Steel Channel, Grey

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV2024GY

HAMMOND

Description: HAMMOND - PMV2024GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL
tariffCode: 73269098
Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Hammond 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMK Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV20A240

PMV20A240 Monitoring Relays

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	71.5 EUR

PMV20A575

PMV20A575 Monitoring Relays

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	105.63 EUR
2+	51.75 EUR

PMV20A600

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure; PMV
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Power supply: from tested wiring system
Kind of output 1: SPDT
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...600V AC
Contact actuation delay: 60ms
IP rating: IP20 at terminal side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20A600

Lovato Electric

Description: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul
Packaging: Retail Package

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	432.64 EUR

PMV20A600

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20A600-LVTO

Lovato Electric

Description: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul
Packaging: Retail Package

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	432.64 EUR

PMV20EN

Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A 3-Pin TO-236AB PMV20ENR TPMV20e
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.34 EUR

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PMV20EN215

Description: NEXPERIA PMV20EN - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11835 Stücke:

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911+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 911

PMV20ENR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

auf Bestellung 153000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR
75000+	0.12 EUR

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PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20ENR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2018 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

139+	0.51 EUR
186+	0.39 EUR
236+	0.3 EUR
293+	0.24 EUR
363+	0.2 EUR
555+	0.13 EUR
587+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 139

PMV20ENR

auf Bestellung 2018 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	0.51 EUR
186+	0.39 EUR
236+	0.3 EUR
293+	0.24 EUR
363+	0.2 EUR
555+	0.13 EUR
587+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 139

PMV20ENR

MOSFET PMV20EN/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 149607 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.17 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV20ENR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

auf Bestellung 155879 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
35+	0.51 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 11835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

375+	0.4 EUR
492+	0.3 EUR
521+	0.27 EUR
663+	0.2 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 375

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV20XN

auf Bestellung 120000 Stücke:

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PMV20XN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV20XN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

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PMV20XNE215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 212456 Stücke:

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PMV20XNEA,215

Description: 6.3A, 20V, N CHANNEL, SILICON, M

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PMV20XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 460mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV20XNEAR

MOSFET PMV20XNEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 15099 Stücke:

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5+	0.69 EUR
10+	0.53 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.19 EUR
9000+	0.17 EUR
24000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV20XNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
31+	0.59 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20400 Stücke:

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PMV20XNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6344 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	0.63 EUR
332+	0.44 EUR
372+	0.38 EUR
639+	0.21 EUR
674+	0.19 EUR
741+	0.17 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 240

PMV20XNER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 24A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 24A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

auf Bestellung 3227 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	0.47 EUR
201+	0.36 EUR
277+	0.26 EUR
379+	0.19 EUR
400+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 152

PMV20XNER

Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV20XNER

auf Bestellung 3227 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

152+	0.47 EUR
201+	0.36 EUR
277+	0.26 EUR
379+	0.19 EUR
400+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 152

PMV20XNER

MOSFET PMV20XNE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 88713 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.25 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV20XNER

Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

auf Bestellung 9088 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.88 EUR
33+	0.54 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 20

PMV213APW

auf Bestellung 5800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV213SN

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV213SN

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV213SN T/R

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV213SN,215

Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V

auf Bestellung 246000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3931 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

299+	0.51 EUR
331+	0.44 EUR
410+	0.34 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 299

PMV213SN,215

N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 1755 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 50

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

220+	0.69 EUR
254+	0.57 EUR
257+	0.55 EUR
345+	0.39 EUR
349+	0.37 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.19 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 220

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV213SN,215

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4360 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

148+	0.49 EUR
182+	0.39 EUR
231+	0.31 EUR
355+	0.2 EUR
374+	0.19 EUR
3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 148

PMV213SN,215

MOSFETs PMV213SN/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 243159 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV213SN,215

Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V

auf Bestellung 254752 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
33+	0.55 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV213SN,215

Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 39949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3931 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV213SN,215

auf Bestellung 4360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	0.49 EUR
182+	0.39 EUR
231+	0.31 EUR
355+	0.2 EUR
374+	0.19 EUR
3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 148

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

257+	0.59 EUR
345+	0.42 EUR
349+	0.4 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.2 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 257

PMV22EN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV22EN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 994810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV22EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV230ENEAR

MOSFETs PMV230ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 30960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.19 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV230ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 900mA; Idm: 5.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 441mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV230ENEAR

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PMV230ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9026 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
43+	0.42 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 30

PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV230ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV240ENEAR

Description: PMV240ENEA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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PMV240SPR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

auf Bestellung 17361 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.06 EUR
27+	0.66 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

PMV240SPR

Description: NEXPERIA - PMV240SPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.28 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV240SPR

Trans MOSFET P-CH 100V 1.2A T/R

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PMV240SPR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR
15000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV240SPR

MOSFET PMV240SP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 15970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.59 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.22 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV240SPR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -800mA; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Pulsed drain current: -5A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 840mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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PMV240SPR

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PMV250EPEA

NXP Semiconductors

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PMV250EPEA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

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PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.1 EUR
15000+	0.095 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV250EPEAR

Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22753 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
35+	0.51 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV250EPEAR

Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 60496 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.1 EUR
15000+	0.095 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV250EPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -1A; 890mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.89W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4090 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

132+	0.54 EUR
204+	0.35 EUR
243+	0.29 EUR
360+	0.2 EUR
421+	0.17 EUR
649+	0.11 EUR
686+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 132

PMV250EPEAR

auf Bestellung 4090 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	0.54 EUR
204+	0.35 EUR
243+	0.29 EUR
360+	0.2 EUR
421+	0.17 EUR
649+	0.11 EUR
686+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 132

PMV250EPEAR

Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 57826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV250EPEAR

MOSFETs PMV250EPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 233968 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.75 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.22 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.11 EUR
9000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV250EPEAR

Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV25ENEA215

Description: PMV25E SMALL SIGNAL FET, SOT23
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 22A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 22A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

629+	0.25 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 629

PMV25ENEAR

MOSFETs PMV25ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 19060 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.72 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.32 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV25ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.79 EUR
29+	0.61 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 23

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

629+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 629

PMV27UPEA,215

Description: 4.5A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV27UPEAR

MOSFET PMV27UPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 25139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.7 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

267+	0.57 EUR
304+	0.48 EUR
306+	0.46 EUR
397+	0.34 EUR
401+	0.32 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 267

PMV27UPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1807 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
33+	0.55 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV27UPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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PMV27UPEAR

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PMV27UPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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PMV27UPER

Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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PMV27UPER

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PMV27UPER

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PMV27UPER

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PMV27UPER

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PMV27UPER

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PMV27UPER

Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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PMV27UPER

MOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB

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3000+	0.26 EUR
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PMV27UPER

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27+	0.67 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.33 EUR
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PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV280ENEA

NXP Semiconductors

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PMV280ENEA,215

Description: 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMV280ENEA215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMV280ENEAR

Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 34561 Stücke:

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23+	0.77 EUR
33+	0.55 EUR
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PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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6000+	0.13 EUR
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PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.15 EUR

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PMV280ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 580
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16680 Stücke:

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PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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306+	0.49 EUR
452+	0.32 EUR
488+	0.29 EUR
673+	0.2 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.091 EUR

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PMV280ENEAR

Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
9000+	0.15 EUR

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PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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219+	0.69 EUR
286+	0.51 EUR
306+	0.46 EUR
452+	0.3 EUR
488+	0.27 EUR
673+	0.18 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.091 EUR

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PMV280ENEAR
Produktcode: 194408

Transistoren > MOSFET N-CH

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PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV280ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 580
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16680 Stücke:

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PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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PMV280ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 5A
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 1078mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 514 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

136+	0.53 EUR
171+	0.42 EUR
213+	0.34 EUR
266+	0.27 EUR
334+	0.21 EUR
480+	0.15 EUR
508+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 136

PMV280ENEAR

MOSFET PMV280ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 237745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.76 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.17 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV280ENEAR

auf Bestellung 514 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	0.53 EUR
171+	0.42 EUR
213+	0.34 EUR
266+	0.27 EUR
334+	0.21 EUR
480+	0.15 EUR
508+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 136

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

PMV28ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5905 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

32+	0.56 EUR
40+	0.44 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 32

PMV28ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

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PMV28ENEAR

PMV28ENEAR SMD N channel transistors

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PMV28ENEAR

MOSFET PMV28ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 31343 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.6 EUR
10+	0.45 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV28ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV28ENER

MOSFET PMV28ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 5718 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.5 EUR
100+	0.34 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.15 EUR
24000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV28ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV28ENER

Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV28ENER

Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V

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PMV28UN

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV28UN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 6399 Stücke:

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PMV28UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 29

PMV28UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 588 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	0.51 EUR
390+	0.37 EUR
393+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 295

PMV28UNEAR

PMV28UNEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV28UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

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PMV28UNEAR

MOSFET PMV28UNEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/

auf Bestellung 17955 Stücke:

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PMV28UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV28XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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PMV28XPEAR

MOSFETs PMV28XPEA/SOT23/TO-236AB

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10+	0.35 EUR
100+	0.3 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV28XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 526 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV28XPEAR

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PMV28XPEAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV28XPEAR

auf Bestellung 526 Stücke:

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PMV28XPEAR

PMV28XPEA/SOT23/TO-236AB

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PMV3036GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PMK Series
Accessory Type: Mounting Kit

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PMV3036GY

Electrical Enclosure Accessories Pole Mount Vertical Steel Channel - Steel/Gray

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PMV30A240

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. voltage value; phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 208...240V AC
Power supply: from tested wiring system

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30A240

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30A600

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. voltage value; phase failure; phase sequence
Power supply: from tested wiring system
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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PMV30A600

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30ENEAR

PMV30ENEAR SMD N channel transistors

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PMV30ENEAR

40 V N-channel Trench MOSFET

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PMV30ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
33+	0.55 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV30UN

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PMV30UN

07+ROHS SOT-23

auf Bestellung 3000 Stücke:

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PMV30UN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V

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PMV30UN2

Array

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PMV30UN2-ML

Description: N 20V 5.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	0.057 EUR
1000+	0.056 EUR
3000+	0.052 EUR
6000+	0.051 EUR
15000+	0.05 EUR
30000+	0.048 EUR
75000+	0.045 EUR
150000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 307

PMV30UN2R

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

auf Bestellung 137868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
35+	0.52 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 30107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30UN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 5956 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

136+	0.53 EUR
163+	0.44 EUR
189+	0.38 EUR
290+	0.25 EUR
350+	0.2 EUR
610+	0.12 EUR
642+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 136

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

714+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 714

PMV30UN2R

auf Bestellung 5956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	0.53 EUR
163+	0.44 EUR
189+	0.38 EUR
290+	0.25 EUR
350+	0.2 EUR
610+	0.12 EUR
642+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 136

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.024 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1248000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.078 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30UN2R

auf Bestellung 30107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30UN2R

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

auf Bestellung 132000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR
9000+	0.12 EUR
21000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30UN2R

MOSFETs PMV30UN2/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 21359 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.25 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.14 EUR
9000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

714+	0.21 EUR
1190+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 714

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1248000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB PMV30UN2R TPMV30u
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 200

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.079 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30UN2VL

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30UN2VL

MOSFETs PMV30UN2/SOT23/TO-236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30UN2VL

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30UN2VL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30UN2VL

Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30UN2VL

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30XN

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV30XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30XN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV30XPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -20A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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PMV30XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV30XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22170 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
34+	0.52 EUR
100+	0.31 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV30XPAR

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PMV30XPAR

MOSFET PMV30XPA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 10458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.53 EUR
100+	0.29 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV30XPAR

Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A; 0.98W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

auf Bestellung 2007 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

209+	0.34 EUR
253+	0.28 EUR
321+	0.22 EUR
362+	0.2 EUR
383+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 209

PMV30XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV30XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.028 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV30XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV30XPEAR

auf Bestellung 2007 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

209+	0.34 EUR
253+	0.28 EUR
321+	0.22 EUR
362+	0.2 EUR
383+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 209

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV30XPEAR

MOSFETs PMV30XPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 219536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	0.36 EUR
10+	0.29 EUR
100+	0.22 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 8

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

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PMV30XPEAR

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV30XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20435 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 26

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin TO-236AB PMV30XPEAR PMV30XPEAR PMV30XPEAR TPMV30xpear
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 100

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV31XN

auf Bestellung 58400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV31XN,215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 32487 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV32UP

MOSFET

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PMV32UP

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 100

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV32UP,215
Produktcode: 188518

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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PMV32UP,215

Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV32UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.31 EUR
6000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV32UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 73mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 930mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1792 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

132+	0.54 EUR
179+	0.4 EUR
303+	0.24 EUR
321+	0.22 EUR
1500+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 132

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV32UP,215

MOSFETs PMV32UP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 227168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.82 EUR
10+	0.63 EUR
100+	0.38 EUR
1000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV32UP,215

auf Bestellung 1792 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

132+	0.54 EUR
179+	0.4 EUR
303+	0.24 EUR
321+	0.22 EUR
1500+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 132

PMV32UP,215

auf Bestellung 3130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV32UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

auf Bestellung 8855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 20

PMV32UP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV32UP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV32UP215

Description: NOW NEXPERIA PMV32UP - SMALL SIG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

PMV33UPE,215

MOSFET PMV33UPE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 44944 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.7 EUR
10+	0.6 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV33UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV33UPE,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV33UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

auf Bestellung 53325 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.88 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 20

PMV35EPE-ML

Description: P -30V -5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	0.057 EUR
1000+	0.056 EUR
3000+	0.052 EUR
6000+	0.051 EUR
15000+	0.05 EUR
30000+	0.048 EUR
75000+	0.045 EUR
150000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 307

PMV35EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV35EPER

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 19.2nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: -17A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

145+	0.5 EUR
165+	0.44 EUR
230+	0.32 EUR
240+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 145

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

577+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 577

PMV35EPER

Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2773 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV35EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V

auf Bestellung 3992 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.9 EUR
23+	0.77 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 20

PMV35EPER

auf Bestellung 1960 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

145+	0.5 EUR
165+	0.44 EUR
230+	0.32 EUR
240+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 145

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV35EPER

MOSFETs PMV35EPE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 4884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.77 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV35EPER
Produktcode: 187543

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 35 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8

Produkt ist nicht verfügbar

PMV35EPER

auf Bestellung 2773 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

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PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

577+	0.26 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 577

PMV37EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
9000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37EN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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PMV37EN2R

MOSFET PMV37EN2/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 44470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.41 EUR
100+	0.21 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.14 EUR
9000+	0.12 EUR
24000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV37EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

auf Bestellung 20377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
39+	0.46 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV37EN2R

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PMV37ENEAR

MOSFET PMV37ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 212673 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.45 EUR
100+	0.28 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV37ENEAR

60 V, N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 3175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV37ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 12432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV37ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 29736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
35+	0.52 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.35 EUR
250+	0.32 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV37ENEAR

60 V, N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 106mΩ
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.17 EUR
15000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV37ENEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37ENER

Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V

auf Bestellung 7913 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
37+	0.48 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV37ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

PMV37ENER

MOSFET PMV37ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 17587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.53 EUR
100+	0.36 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV37ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV37ENER

Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV37ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40A240

PMV40A240 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40A575

PMV40A575 Monitoring Relays

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	110.41 EUR

PMV40A600

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure
Type of module: voltage monitoring relay
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Manufacturer series: PMV
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Leads: screw terminals
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Contact actuation delay: 0.1...20s
Kind of output 1: SPDT
Power supply: from tested wiring system

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40A600

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN

auf Bestellung 58400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV40UN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN2

Description: PMV40UN2 - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN2

NXP Semiconductors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN2,215

Description: NEXPERIA, PMV40UN2 - 30V, N-CHAN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV40UN2215

Description: NOW NEXPERIA PMV40UN2 - SMALL SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMV40UN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V

auf Bestellung 393000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
9000+	0.12 EUR
75000+	0.1 EUR
150000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 168000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

Description: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 34598 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.13 EUR
15000+	0.092 EUR
30000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

MOSFETs PMV40UN2/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 309591 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.37 EUR
100+	0.2 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.12 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV40UN2R
Produktcode: 175226

Transistoren > MOSFET N-CH

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PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.13 EUR
15000+	0.092 EUR
30000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

Transistor N-MOSFET; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55°C ~ 150°C; Substitute: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215; PMV40UN2R TPMV40u
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 100

PMV40UN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V

auf Bestellung 401868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
40+	0.45 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV40UN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2119 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	0.43 EUR
246+	0.29 EUR
388+	0.18 EUR
435+	0.16 EUR
695+	0.1 EUR
736+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 167

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.12 EUR
15000+	0.087 EUR
30000+	0.083 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

auf Bestellung 34598 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV40UN2R

auf Bestellung 2119 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

167+	0.43 EUR
246+	0.29 EUR
388+	0.18 EUR
435+	0.16 EUR
695+	0.1 EUR
736+	0.097 EUR
9000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 167

PMV41XPAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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PMV41XPAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2084 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
36+	0.49 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV41XPAR

MOSFET MOSFET PMV41XPA/SOT23

auf Bestellung 9773 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.54 EUR
100+	0.37 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV4248GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV4248GY

Electrical Enclosures Vertical Steel Channel

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PMV42ENER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 18A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 9nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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PMV42ENER

MOSFETs PMV42ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 71811 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV42ENER

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PMV42ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV42ENER

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V

auf Bestellung 8529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 30

PMV42ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV42ENER

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV450ENEA

Array

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PMV450ENEA215

Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified

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PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 13103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1898+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 1898

PMV450ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 42722 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

34+	0.53 EUR
49+	0.36 EUR
100+	0.18 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 34

PMV450ENEAR

MOSFETs PMV450ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 11048 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.56 EUR
10+	0.34 EUR
100+	0.16 EUR
1000+	0.11 EUR
3000+	0.086 EUR
9000+	0.072 EUR
24000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 6

PMV450ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1715 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.067 EUR
9000+	0.052 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.067 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV450ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.089 EUR
6000+	0.082 EUR
9000+	0.068 EUR
30000+	0.067 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV450ENEAR

auf Bestellung 1715 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 13103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1898+	0.08 EUR
3000+	0.071 EUR
6000+	0.063 EUR

Mindestbestellmenge: 1898

PMV45EM

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV45EN

07+ SOP16

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV45EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN2

Array

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN2-ML

Description: N 30V 5.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	0.057 EUR
1000+	0.056 EUR
3000+	0.052 EUR
6000+	0.051 EUR
15000+	0.05 EUR
30000+	0.048 EUR
75000+	0.045 EUR
150000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 307

PMV45EN2215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 108000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
9000+	0.1 EUR
24000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV45EN2R

Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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PMV45EN2R
Produktcode: 187508

Transistoren > MOSFET N-CH

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PMV45EN2R

Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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605+	0.25 EUR
1008+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 605

PMV45EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

auf Bestellung 45972 Stücke:

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27+	0.67 EUR
34+	0.52 EUR
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500+	0.29 EUR
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PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e
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PMV45EN2R

MOSFETs PMV45EN2/SOT23/TO-236AB

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10+	0.5 EUR
100+	0.3 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR
24000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV45EN2R

auf Bestellung 1451 Stücke:

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PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV45EN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 5957 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	0.47 EUR
196+	0.37 EUR
277+	0.26 EUR
323+	0.22 EUR
625+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 152

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.14 EUR
9000+	0.1 EUR
24000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV45EN2R

auf Bestellung 5957 Stücke:

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152+	0.47 EUR
196+	0.37 EUR
277+	0.26 EUR
323+	0.22 EUR
625+	0.11 EUR
6000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 152

PMV45EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR
30000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV45EN2VL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

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PMV45EN2VL

MOSFETs PMV45EN2/SOT23/TO-236AB

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PMV45EN2VL

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV45EN2VL

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PMV45EN2VL

Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

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PMV45EN2VL

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV45EN2VL

Description: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.115W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 10000 Stücke:

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PMV48XP
Produktcode: 143394

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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PMV48XP

MOSFETs

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PMV48XP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A; 930mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	0.61 EUR
157+	0.46 EUR
180+	0.4 EUR
189+	0.38 EUR
305+	0.24 EUR
322+	0.22 EUR
500+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 117

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9661 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.28 EUR
6000+	0.26 EUR
9000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

MOSFETs PMV48XP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 77941 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.85 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.37 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.23 EUR
9000+	0.22 EUR
24000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7943 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

472+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 472

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

auf Bestellung 15356 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XP,215

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

117+	0.61 EUR
157+	0.46 EUR
180+	0.4 EUR
189+	0.38 EUR
305+	0.24 EUR
322+	0.22 EUR
500+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 117

PMV48XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 11468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.83 EUR
26+	0.7 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 22

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 7943 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

472+	0.32 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.21 EUR
6000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 472

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV48XP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

PMV48XP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV48XP/ZLR

Description: PMV48XP/ZLR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV48XPA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

749+	0.2 EUR
1071+	0.14 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 749

PMV48XPA2R

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV48XPA2R

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12062 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

33+	0.55 EUR
42+	0.43 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 33

PMV48XPA2R

Description: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1368 Stücke:

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PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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756+	0.2 EUR
1080+	0.14 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 756

PMV48XPA2R

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PMV48XPA2R

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XPA2R

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PMV48XPA2R

MOSFETs PMV48XPA2/SOT23/TO-236AB

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5+	0.57 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.24 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV48XPAR

Description: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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572+	0.26 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 572

PMV48XPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

Produkt ist nicht verfügbar

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

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3000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR
24000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6594 Stücke:

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239+	0.63 EUR
281+	0.52 EUR
284+	0.49 EUR
378+	0.36 EUR
382+	0.34 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.28 EUR
6000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 239

PMV48XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5132 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.81 EUR
26+	0.69 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 22

PMV48XPAR

MOSFETs PMV48XPA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 19981 Stücke:

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4+	0.78 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.27 EUR
6000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 33000 Stücke:

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572+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 572

PMV48XPAR

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PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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3000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR
24000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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PMV48XPAR

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PMV48XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6594 Stücke:

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284+	0.53 EUR
378+	0.39 EUR
382+	0.37 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.3 EUR
6000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 284

PMV48XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

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PMV48XPVL

MOSFETs PMV48XP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 8594 Stücke:

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4+	0.85 EUR
10+	0.69 EUR
100+	0.47 EUR
1000+	0.27 EUR
2500+	0.24 EUR
10000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV48XPVL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

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PMV48XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV48XPVL

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PMV48XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV50A240

PMV50A240 Monitoring Relays

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PMV50A575

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...575V AC
Power supply: from tested wiring system

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	128.57 EUR

PMV50A575

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...575V AC
Power supply: from tested wiring system
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	128.57 EUR

PMV50A600

PMV50A600 Monitoring Relays

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PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV50ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3924 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
33+	0.55 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50ENEAR

MOSFET PMV50ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 30525 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.7 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.31 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV50ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 5.5A
Pulsed drain current: 5.5A
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50ENEAR

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PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

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PMV50EPEAR

MOSFET PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 115502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.3 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV50EPEAR

Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 354 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.86 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 21

PMV50EPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

auf Bestellung 11330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

251+	0.6 EUR
340+	0.43 EUR
371+	0.38 EUR
774+	0.17 EUR
799+	0.16 EUR
821+	0.15 EUR
1069+	0.11 EUR
3000+	0.098 EUR
6000+	0.084 EUR

Mindestbestellmenge: 251

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50EPEAR

Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50NA240

PMV50NA240 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50NA440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; neutral cable break; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: DPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...440V AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50NA440

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50NA600

PMV50NA600 Monitoring Relays

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PMV50UN

auf Bestellung 1487 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV50UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50UPE,215

Description: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 955mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 686 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV50UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

auf Bestellung 5090 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
39+	0.45 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV50UPE,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -12.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50UPE,215

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50UPE,215

MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 14925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.36 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV50UPE215

Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-

auf Bestellung 3000 Stücke:

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PMV50UPEVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50UPEVL

MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50UPEVL

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XNEAR

PMV50XNEA/SOT23/TO-236AB

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PMV50XNEAR

MOSFET PMV50XNEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 26601 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV50XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV50XNEAR

PMV50XNEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XNEAR

Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
9000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV50XNEAR

Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19054 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
39+	0.45 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV50XP215

Description: P-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 1464000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV50XPAR

Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

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PMV50XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV50XPAR

MOSFETs MOS DISCRETES

auf Bestellung 6976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.29 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV50XPAR

Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 1968 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
35+	0.5 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
9000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV50XPR

MOSFET PMV50XP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 104201 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.28 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV50XPR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -14.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14.5A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2094 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.42 EUR
275+	0.26 EUR
407+	0.18 EUR
431+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 171

PMV50XPR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 5158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
37+	0.48 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 29

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV50XPR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV50XPR

auf Bestellung 2094 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

171+	0.42 EUR
275+	0.26 EUR
407+	0.18 EUR
431+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 171

PMV52ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6226 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

32+	0.56 EUR
40+	0.44 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 32

PMV52ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV52ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV52ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 13A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 3.3nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 124mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV52ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV52ENEAR

MOSFET PMV52ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 6693 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV52ENEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8737 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1200+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 1200

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV52ENER

Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V

auf Bestellung 1838 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
37+	0.48 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 29

PMV52ENER

MOSFET PMV52ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 5658 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.34 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.15 EUR
24000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV52ENER

Description: NEXPERIA - PMV52ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 630mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 235 Stücke:

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PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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9000+	0.12 EUR

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PMV52ENER

Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V

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PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8737 Stücke:

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288+	0.53 EUR
375+	0.39 EUR
408+	0.34 EUR
665+	0.2 EUR
693+	0.19 EUR
700+	0.18 EUR
1038+	0.11 EUR
6000+	0.099 EUR

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PMV52ENER

auf Bestellung 235 Stücke:

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PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV55A240

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; monitor min.or max.voltage value
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value
Controlled parameter range: 208...480V AC
Power supply: from tested wiring system
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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1+	108.49 EUR

PMV55A240

auf Bestellung 9 Stücke:

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1+	108.49 EUR

PMV55A440

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; monitor min.or max.voltage value
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value
Controlled parameter range: 380...440V AC
Power supply: from tested wiring system

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PMV55A440

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; monitor min.or max.voltage value
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value
Controlled parameter range: 380...440V AC
Power supply: from tested wiring system
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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PMV55ENEA

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PMV55ENEA,215

Description: 3.1A, 60V, N CHANNEL, SILICON, M

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PMV55ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3098 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
32+	0.56 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV55ENEAR

PMV55ENEAR SMD N channel transistors

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PMV55ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.2 EUR

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PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV55ENEAR

MOSFETs PMV55ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 400640 Stücke:

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6+	0.52 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV56XN

auf Bestellung 52600 Stücke:

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PMV56XN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 3.76A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV56XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.76A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

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PMV56XN215

nxp

10+

auf Bestellung 500 Stücke:

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PMV6-35RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3.5

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PMV6-3R-L

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

auf Bestellung 1844 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.97 EUR
10+	1.95 EUR
50+	1.76 EUR
100+	1.7 EUR
2500+	1.58 EUR
5000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV6-3R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 1.026" (26.06mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
10+	1.96 EUR
25+	1.91 EUR
50+	1.86 EUR
100+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 9

PMV6-3R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP

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PMV6-3R-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

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PMV6-3RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M3

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PMV6-3RB-2K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

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PMV6-4F-L

Description: TERM FORK INS

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PMV6-4FB-2K

Description: TERM FORK INS

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PMV6-4R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

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PMV6-4R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

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PMV6-4RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

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PMV6-5F-L

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.06 EUR
10+	1.97 EUR
50+	1.72 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.56 EUR
2500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV6-5F-L

Fork Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.42mm Tin Bottle

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV6-5F-L

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.040" (26.42mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.04 EUR
10+	2 EUR
25+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 9

PMV6-5FB-2K

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.020" (25.91mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.382" (9.70mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5FB-2K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5R-L

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

auf Bestellung 648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.06 EUR
10+	1.88 EUR
50+	1.74 EUR
100+	1.7 EUR
250+	1.69 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.12 EUR
100+	1.91 EUR
200+	1.81 EUR
400+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 72

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.067" (27.10mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

auf Bestellung 587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.08 EUR
10+	2.04 EUR
25+	1.99 EUR
50+	1.93 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 9

PMV6-5R-X

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PMV6-5R-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.030" (0.76mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.050" (26.67mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.370" (9.40mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5RB-2K

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.7mm Tin T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-5RB-2K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

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PMV6-6F-L

Description: TERM FORK INS

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-6FB-2K

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M6 YEL

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-6R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-6R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-6RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-8R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M8 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M8 Stud
Length - Overall: 1.235" (31.37mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.519" (13.18mm)
Contact Material: Copper

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-8R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6-8RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8

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PMV6-P10-L

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 4

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PMV60EN

2003 SOT-23

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV60EN

MOSFETs

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PMV60EN T/R

MOSFETs TAPE13 PWR-MOS

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PMV60EN,215

MOSFETs N-CH TRENCH 30V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV60EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV60EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

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PMV60EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV60ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV60ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 615mW
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2051 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

691+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 691

PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV60ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 32829 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

32+	0.56 EUR
40+	0.45 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 32

PMV60ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 2.1A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 143mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

PMV60ENEAR

Produkt ist nicht verfügbar

PMV60ENEAR

MOSFETs PMV60ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 92059 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.25 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV60ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 615mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 615mW
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2051 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

691+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 691

PMV60ENROSH

auf Bestellung 2509 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV62XN,215

Description: MOSFET N-CH SOT-23

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PMV62XN215

Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6662+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6662

PMV65

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65ENEA,215

Description: 2.7A, 40V, N CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMV65ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV65ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.7A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65ENEAR

MOSFET PMV65ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 867 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.82 EUR
10+	0.63 EUR
100+	0.35 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV65ENEAR

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PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV65ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5343 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
30+	0.59 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV65UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 183 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV65UN,215

MOSFET N-Chan 20V 2A

auf Bestellung 1784 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PMV65UNE,215

Description: 2.8A, 20V, N CHANNEL MOSFET, TO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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PMV65UNE-ML

Description: N 20V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

310+	0.057 EUR
1000+	0.056 EUR
3000+	0.052 EUR
6000+	0.051 EUR
15000+	0.049 EUR
30000+	0.047 EUR
75000+	0.044 EUR
150000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 310

PMV65UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV65UNEAR

MOSFET PMV65UNEA/SOT23/TO-236AB

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PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNEAR

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PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65UNER

MOSFET PMV65UNE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 10683 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.57 EUR
10+	0.43 EUR
100+	0.2 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.13 EUR
9000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV65UNER

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 10754 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

471+	0.32 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.28 EUR
6000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 471

PMV65UNER

Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5633 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65UNER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

auf Bestellung 13725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	0.43 EUR
220+	0.33 EUR
281+	0.25 EUR
435+	0.16 EUR
558+	0.13 EUR
590+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 167

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65UNER

auf Bestellung 13725 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

167+	0.43 EUR
220+	0.33 EUR
281+	0.25 EUR
435+	0.16 EUR
558+	0.13 EUR
590+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 167

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 10754 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

471+	0.32 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.28 EUR
6000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 471

PMV65UNER

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

auf Bestellung 1159 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
46+	0.39 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 28

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65UNER

auf Bestellung 5633 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XP

PHILIPS

06+ SOT-23

auf Bestellung 351001 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65XP

09+ SOP14

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65XP

PHILIPS

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65XP

PHILIPS

09+

auf Bestellung 15148 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65XP

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP

SOT23

auf Bestellung 4650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

PMV65XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 245777 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

27+	0.67 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 27

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 4608 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

812+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 812

PMV65XP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 833mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	0.39 EUR
248+	0.29 EUR
307+	0.23 EUR
371+	0.19 EUR
447+	0.16 EUR
570+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 186

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP,215

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

186+	0.39 EUR
248+	0.29 EUR
307+	0.23 EUR
371+	0.19 EUR
447+	0.16 EUR
570+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 186

PMV65XP,215

MOSFETs PMV65XP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 65847 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.12 EUR
9000+	0.11 EUR
24000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV65XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 243000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR
30000+	0.12 EUR
75000+	0.11 EUR
150000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.099 EUR
9000+	0.095 EUR
24000+	0.088 EUR
45000+	0.061 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP,215

Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin TO-236AB PMV65XP,215 TPMV65x
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 200

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 4608 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

817+	0.19 EUR
1021+	0.14 EUR
3000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 817

PMV65XP,215 Transistor
Produktcode: 58607

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7
/: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 4.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP/MIR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XP1215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPE

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPE215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPEA,215

Description: 2.8A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPEA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1954 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 161226 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
33+	0.55 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

886+	0.17 EUR
1098+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 886

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

895+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 895

PMV65XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1709 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

136+	0.53 EUR
164+	0.44 EUR
230+	0.31 EUR
361+	0.2 EUR
382+	0.19 EUR
500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 136

PMV65XPEAR

MOSFETs PMV65XPEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 18199 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.72 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

auf Bestellung 1709 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	0.53 EUR
164+	0.44 EUR
230+	0.31 EUR
361+	0.2 EUR
382+	0.19 EUR
500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 136

PMV65XPEAR

auf Bestellung 1954 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 159000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV65XPER

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2840 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

173+	0.41 EUR
222+	0.32 EUR
309+	0.23 EUR
355+	0.2 EUR
459+	0.16 EUR
486+	0.15 EUR
1500+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 173

PMV65XPER

MOSFETs PMV65XPE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 10631 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.44 EUR
100+	0.26 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR
24000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV65XPER

auf Bestellung 2840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	0.41 EUR
222+	0.32 EUR
309+	0.23 EUR
355+	0.2 EUR
459+	0.16 EUR
486+	0.15 EUR
1500+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 173

PMV65XPER

Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4974 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XPER

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V

auf Bestellung 2890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
37+	0.48 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 29

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 4395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

688+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 688

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 12000

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 4395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

688+	0.23 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 688

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XPER

auf Bestellung 4974 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XPER

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

auf Bestellung 3776 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

27+	0.67 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR
2000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 27

PMV65XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 20000

PMV65XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV65XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPVL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV65XPVL

MOSFETs PMV65XP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 25172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.22 EUR
1000+	0.15 EUR
2500+	0.13 EUR
10000+	0.11 EUR
20000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV65XPVL

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6DW1BBLK

PMV6DW1BBLK Push Button Switches

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6DW1BBLK

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	28.83 EUR
10+	26.36 EUR
25+	25.89 EUR
50+	24.08 EUR

PMV6DW1BBLK

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST
Type: Anti-Vandal
Switch Function: On-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.64 EUR
10+	26.57 EUR
25+	25.41 EUR

PMV6DW1BBLK.

Description: E-SWITCH - PMV6DW1BBLK. - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLK/CABL
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Wire Leaded
Betätiger-/Kappenfarbe: Black
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Plattenausschnitt (H x B): -
Schalterfunktion: On-(On)
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
AC-Kontaktstrom, max.: 0
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 2A
Kontaktspannung V DC: 24V
Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated
Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm
Schaltermontage: Panel Mount
Produktpalette: PMV6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckknopf-Betätiger: Round Flat
Kontaktkonfiguration: SPST
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV6DW2BBLU

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST
Type: Anti-Vandal
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Blue
Actuator Marking: No Marking
Voltage Rating - DC: 24 V

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.28 EUR
20+	24.45 EUR
100+	21.36 EUR

PMV6DW2BBLU

PMV6DW2BBLU Push Button Switches

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6DW2BBLU

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.93 EUR
10+	25.78 EUR
25+	25.45 EUR
50+	23.65 EUR

PMV6DW2BBLU.

Description: E-SWITCH - PMV6DW2BBLU. - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLU/CABL
tariffCode: 85365080
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Wire Leaded
Betätiger-/Kappenfarbe: Blue
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Plattenausschnitt (H x B): -
Schalterfunktion: Off-(On)
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
AC-Kontaktstrom, max.: 0
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 2A
Kontaktspannung V DC: 24V
Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated
Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm
Schaltermontage: Panel Mount
Produktpalette: PMV6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckknopf-Betätiger: Round Flat
Kontaktkonfiguration: SPST
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV6DW3BYEL

PMV6DW3BYEL Push Button Switches

Produkt ist nicht verfügbar

PMV6DW3BYEL

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	28.32 EUR
10+	25.89 EUR
25+	24.96 EUR
50+	23.65 EUR

PMV6DW3BYEL

Description: E-SWITCH - PMV6DW3BYEL - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, YEL/CABL
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Wire Leaded
Betätiger-/Kappenfarbe: Yellow
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Plattenausschnitt (H x B): -
Schalterfunktion: On-(Off)
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
AC-Kontaktstrom, max.: 0
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 2A
Kontaktspannung V DC: 24V
Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated
Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm
Schaltermontage: Panel Mount
Produktpalette: PMV6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckknopf-Betätiger: Round Flat
Kontaktkonfiguration: SPST
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV6DW3BYEL

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V

Produkt ist nicht verfügbar

PMV70A240

PMV70A240 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV70A575

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...575V AC
Power supply: from tested wiring system

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	146.45 EUR

PMV70A575

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV; SPDT
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Kind of output 1: SPDT
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...575V AC
Power supply: from tested wiring system
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	146.45 EUR

PMV70A600

PMV70A600 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV70NA240

PMV70NA240 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV70NA440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; neutral cable break; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: DPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...440V AC

Produkt ist nicht verfügbar

PMV70NA440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. voltage value; neutral cable break; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: DPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...440V AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV70NA600

PMV70NA600 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV74EPER

MOSFET 30V P-CHANNEL

auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.89 EUR
10+	0.66 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV74EPER

30 V, P-channel Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV74EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V

auf Bestellung 11920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
39+	0.46 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 30

PMV74EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV74EPER

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PMV75UP

Produkt ist nicht verfügbar

PMV75UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -10A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

PMV75UP,215

MOSFET PMV75UP/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 48182 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.11 EUR
9000+	0.095 EUR
24000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV75UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

auf Bestellung 11909 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
37+	0.48 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.061 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV75UP,215

Produkt ist nicht verfügbar

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PMV75UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
9000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

PMV75UP/S500R

Description: PMV75UP - 20 V, P-channel Trench
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

PMV80NA240

PMV80NA240 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV80NA440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. frequency value; neutral cable break; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: DPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...440V AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

PMV80NA440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; PMV
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: monitor min. or max. frequency value; neutral cable break; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: DPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 0.1...20s
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 380...440V AC

Produkt ist nicht verfügbar

PMV80NA600

PMV80NA600 Monitoring Relays

Produkt ist nicht verfügbar

PMV88ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5958 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

33+	0.55 EUR
42+	0.42 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 33

PMV88ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

PMV88ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV88ENEAR

MOSFET PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.7 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PMV88ENEAR

PMV88ENEAR SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

PMV88ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV88ENER

Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V

auf Bestellung 7399 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

32+	0.56 EUR
40+	0.44 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 32

PMV88ENER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

PMV88ENER

MOSFET PMV88ENE/SOT23/TO-236AB

auf Bestellung 28441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.47 EUR
100+	0.32 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR
24000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 5

PMV88ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 12000

PMV88ENER

Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PMV88ENER

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PMV90EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V

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PMV90EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV90EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V

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PMV90ENE215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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PMV90ENER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.118Ω
Type of transistor: N-MOSFET

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PMV90ENER

MOSFET PMV90ENE/SOT23/TO-236AB

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3000+	0.15 EUR
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PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV90ENER

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

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PMV90ENER

Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm

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PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV90ENER

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PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

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9000+	0.1 EUR

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PMV90ENER

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

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PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMV95NA240NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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PMV95NA240NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay

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PMV95NA575NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay

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PMV95NA575NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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PMVCIR-3-850-PM-L-10-NE

Ascentta

Description: PM circulator, 850nm, 3 port, PM
Packaging: Tape & Box (TB)
Type: Optical Circulator, 3 Port

auf Bestellung 5 Stücke:

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1+	2904 EUR

PMVF30

PMVF30 Monitoring Relays

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PMVF30D048

PMVF30D048 Monitoring Relays

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PMVF51

PMVF51 Monitoring Relays

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PMVF80