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Technische Details PMV45EN2R Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 510mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PMV45EN2R nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PMV45EN2R | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV45EN2R | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V |
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PMV45EN2R | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV45EN2R | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 66mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1115mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9492 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV45EN2R | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 66mΩ Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1115mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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PMV45EN2R | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV45EN2R | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV45EN2R | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PMV45EN2/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 44836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV45EN2R | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V |
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PMV45EN2R | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 510mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PMV45EN2R | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 510mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV45EN2R | Hersteller : NXP |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV45EN2R Produktcode: 187508 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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PMV45EN2R | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |