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Technische Details PMV35EPER Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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PMV35EPER | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV35EPER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV35EPER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV35EPER | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A On-state resistance: 67mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Gate charge: 19.2nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -17A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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PMV35EPER | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A On-state resistance: 67mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Gate charge: 19.2nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -17A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV35EPER | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PMV35EPE/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 4884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV35EPER | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV35EPER | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV35EPER | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV35EPER | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV35EPER Produktcode: 187543 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 30 V Id,A: 5,3 A Rds(on),Om: 35 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8 |
Produkt ist nicht verfügbar
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PMV35EPER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMV35EPER | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V |
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