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PMV280ENEAR

PMV280ENEAR Nexperia

pmv280enea.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMV280ENEAR Nexperia

Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 580, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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PMV280ENEAR PMV280ENEAR Hersteller : Nexperia pmv280enea.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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PMV280ENEAR PMV280ENEAR Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV280ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMV280ENEAR PMV280ENEAR Hersteller : NEXPERIA PMV280ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 1078mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
Gate charge: 6.8nC
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Anzahl Preis
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175+0.41 EUR
221+0.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 139
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PMV280ENEAR PMV280ENEAR Hersteller : NEXPERIA PMV280ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 1078mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
Gate charge: 6.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PMV280ENEAR PMV280ENEAR Hersteller : Nexperia PMV280ENEA.pdf MOSFETs PMV280ENEA/SOT23/TO-236AB
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PMV280ENEAR
Produktcode: 194408
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PMV280ENEAR PMV280ENEAR Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV280ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV280ENEAR PMV280ENEAR Hersteller : NEXPERIA 2341452.pdf Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 580
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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PMV280ENEAR PMV280ENEAR Hersteller : NEXPERIA 2341452.pdf Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 580
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMV280ENEAR PMV280ENEAR Hersteller : NEXPERIA pmv280enea.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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