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Technische Details PMV40UN2R Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMV40UN2R nach Preis ab 0.084 EUR bis 0.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PMV40UN2R | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V |
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PMV40UN2R | Hersteller : Nexperia |
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PMV40UN2R | Hersteller : Nexperia |
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PMV40UN2R | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV40UN2R | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV40UN2R | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PMV40UN2R | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV40UN2R | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 327190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV40UN2R | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V |
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PMV40UN2R | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 34598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV40UN2R | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 34598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV40UN2R | Hersteller : NEXPERIA |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV40UN2R | Hersteller : NXP |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PMV40UN2R Produktcode: 175226 |
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