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Technische Details PMV65XPEAR Nexperia
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
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Verfügbarkeit |
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PMV65XPEAR | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV65XPEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV65XPEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV65XPEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV65XPEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV65XPEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV65XPEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV65XPEAR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
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PMV65XPEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -120mA Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PMV65XPEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -120mA Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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PMV65XPEAR | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PMV65XPEA/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 18699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV65XPEAR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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PMV65XPEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PMV65XPEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PMV65XPEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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