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APT60N60SCSG MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APT60N60SCSG SMD N channel transistors
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APT60S20B2CTG MICROCHIP (MICROSEMI) 7212-apt60s20b2ctg-datasheet APT60S20B2CTG THT Schottky diodes
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APT60S20BG MICROCHIP (MICROSEMI) 7211-apt60s20bg-apt60s20sg-datasheet APT60S20BG THT Schottky diodes
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APT60S20SG MICROCHIP (MICROSEMI) 7211-apt60s20bg-apt60s20sg-datasheet APT60S20SG SMD Schottky diodes
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APT64GA90B APT64GA90B MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123652 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
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APT64GA90B APT64GA90B MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123652 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT64GA90B2D30 APT64GA90B2D30 MICROCHIP (MICROSEMI) 123651-apt80ga90b-apt80ga90s-datasheet Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max
Case: T-Max
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
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APT64GA90B2D30 APT64GA90B2D30 MICROCHIP (MICROSEMI) 123651-apt80ga90b-apt80ga90s-datasheet Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max
Case: T-Max
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT64GA90LD30 APT64GA90LD30 MICROCHIP (MICROSEMI) 123671-apt64ga90b2-ld30-e-pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
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APT64GA90LD30 APT64GA90LD30 MICROCHIP (MICROSEMI) 123671-apt64ga90b2-ld30-e-pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT65GP60B2G MICROCHIP (MICROSEMI) 6462-apt65gp60b2g-datasheet APT65GP60B2G THT IGBT transistors
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APT65GP60J MICROCHIP (MICROSEMI) 6463-apt65gp60j-a-datasheet APT65GP60J IGBT modules
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APT65GP60JDQ2 MICROCHIP (MICROSEMI) 6464-apt65gp60jdq2-datasheet APT65GP60JDQ2 IGBT modules
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APT65GP60L2DQ2G MICROCHIP (MICROSEMI) 6465-apt65gp60l2dq2g-datasheet APT65GP60L2DQ2G THT IGBT transistors
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APT66F60B2 MICROCHIP (MICROSEMI) 7222-apt66f60b2-apt66f60l-datasheet APT66F60B2 THT N channel transistors
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APT66F60L MICROCHIP (MICROSEMI) 7222-apt66f60b2-apt66f60l-datasheet APT66F60L THT N channel transistors
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APT66M60B2 MICROCHIP (MICROSEMI) 7226-apt66m60b2-apt66m60l-datasheet APT66M60B2 THT N channel transistors
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APT66M60L MICROCHIP (MICROSEMI) 7226-apt66m60b2-apt66m60l-datasheet APT66M60L THT N channel transistors
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APT68GA60B MICROCHIP (MICROSEMI) 123653-apt68ga60b-apt68ga60s-datasheet APT68GA60B THT IGBT transistors
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APT68GA60B2D40 MICROCHIP (MICROSEMI) 123666-apt68ga60b2d40-apt68ga60ld40-datasheet APT68GA60B2D40 THT IGBT transistors
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APT68GA60LD40 MICROCHIP (MICROSEMI) 123666-apt68ga60b2d40-apt68ga60ld40-datasheet APT68GA60LD40 THT IGBT transistors
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APT70GR120B2 APT70GR120B2 MICROCHIP (MICROSEMI) APT70GR120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 70A; 961W; TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 961W
Gate charge: 412nC
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 394ns
Turn-on time: 81ns
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Mounting: THT
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APT70GR120B2 APT70GR120B2 MICROCHIP (MICROSEMI) APT70GR120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 70A; 961W; TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 961W
Gate charge: 412nC
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 394ns
Turn-on time: 81ns
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT70GR120J MICROCHIP (MICROSEMI) 127869-apt70gr120j-a-pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
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APT70GR120J MICROCHIP (MICROSEMI) 127869-apt70gr120j-a-pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT70GR120JD60 MICROCHIP (MICROSEMI) 127879-apt70gr120jd60-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
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APT70GR120JD60 MICROCHIP (MICROSEMI) 127879-apt70gr120jd60-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT70GR120L MICROCHIP (MICROSEMI) 127868-apt70gr120b2-apt70gr120l-datasheet APT70GR120L THT IGBT transistors
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APT70GR65B MICROCHIP (MICROSEMI) 131952-apt70gr65b-datasheet APT70GR65B THT IGBT transistors
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APT75DF170HJ MICROCHIP (MICROSEMI) 7237-apt75df170hj-datasheet APT75DF170HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
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APT75DL120HJ MICROCHIP (MICROSEMI) 7238-apt75dl120hj-datasheet APT75DL120HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
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APT75DQ100BG MICROCHIP (MICROSEMI) APT75DQ100.pdf APT75DQ100BG THT universal diodes
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APT75DQ120BG MICROCHIP (MICROSEMI) 123690-apt75dq120bg-apt75dq120sg-datasheet APT75DQ120BG THT universal diodes
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
8+ 8.94 EUR
10+ 7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
APT75DQ120SG MICROCHIP (MICROSEMI) 1243980-apt75dq120sg-datasheet APT75DQ120SG SMD universal diodes
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APT75DQ60BG MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APT75DQ60BG THT universal diodes
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APT75DQ60SG MICROCHIP (MICROSEMI) 1244096-apt75dq60sg-datasheet APT75DQ60SG SMD universal diodes
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APT75F50B2 MICROCHIP (MICROSEMI) 7244-apt75f50b2-apt75f50l-datasheet APT75F50B2 THT N channel transistors
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APT75F50L MICROCHIP (MICROSEMI) 7244-apt75f50b2-apt75f50l-datasheet APT75F50L THT N channel transistors
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APT75GN120B2G MICROCHIP (MICROSEMI) 6469-apt75gn120b2g-apt75gn120lg-datasheet APT75GN120B2G THT IGBT transistors
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APT75GN120JDQ3 MICROCHIP (MICROSEMI) 7246-apt75gn120jdq3-datasheet APT75GN120JDQ3 IGBT modules
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APT75GN120LG MICROCHIP (MICROSEMI) 6469-apt75gn120b2g-apt75gn120lg-datasheet APT75GN120LG THT IGBT transistors
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APT75GN60BDQ2G MICROCHIP (MICROSEMI) 123469-apt75gn60bdq2g-apt75gn60sdq2g-datasheet APT75GN60BDQ2G THT IGBT transistors
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APT75GN60BG MICROCHIP (MICROSEMI) 6470-apt75gn60bg-datasheet APT75GN60BG THT IGBT transistors
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APT75GN60LDQ3G MICROCHIP (MICROSEMI) 6471-apt75gn60ldq3g-datasheet APT75GN60LDQ3G THT IGBT transistors
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APT75GN60SDQ2G MICROCHIP (MICROSEMI) 123469-apt75gn60bdq2g-apt75gn60sdq2g-datasheet APT75GN60SDQ2G SMD IGBT transistors
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APT75GP120B2G MICROCHIP (MICROSEMI) 6472-apt75gp120b2g-datasheet APT75GP120B2G THT IGBT transistors
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APT75GP120J MICROCHIP (MICROSEMI) 6473-apt75gp120j-datasheet APT75GP120J IGBT modules
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APT75GP120JDQ3 MICROCHIP (MICROSEMI) 6474-apt75gp120jdq3-datasheet APT75GP120JDQ3 IGBT modules
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+79.29 EUR
2+ 61.72 EUR
APT75GT120JRDQ3 MICROCHIP (MICROSEMI) 7248-apt75gt120jrdq3-datasheet APT75GT120JRDQ3 IGBT modules
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APT75GT120JU2 MICROCHIP (MICROSEMI) 7249-apt75gt120ju2-datasheet APT75GT120JU2 IGBT modules
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APT75GT120JU3 APT75GT120JU3 MICROCHIP (MICROSEMI) 7250-apt75gt120ju3-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Topology: buck chopper
Technology: Field Stop; Trench
Case: SOT227B
Application: motors
Collector current: 75A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Pulsed collector current: 175A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+54.47 EUR
3+ 53.27 EUR
10+ 52.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT75GT120JU3 APT75GT120JU3 MICROCHIP (MICROSEMI) 7250-apt75gt120ju3-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Topology: buck chopper
Technology: Field Stop; Trench
Case: SOT227B
Application: motors
Collector current: 75A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Pulsed collector current: 175A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+54.47 EUR
3+ 53.27 EUR
10+ 52.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT75M50B2 MICROCHIP (MICROSEMI) 7254-apt75m50b2-apt75m50l-datasheet APT75M50B2 THT N channel transistors
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APT75M50L MICROCHIP (MICROSEMI) 7254-apt75m50b2-apt75m50l-datasheet APT75M50L THT N channel transistors
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APT77N60BC6 APT77N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI) 77173-apt77n60bc6-apt77n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
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APT77N60BC6 APT77N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI) 77173-apt77n60bc6-apt77n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT77N60SC6 APT77N60SC6 MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=77173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
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APT77N60SC6 APT77N60SC6 MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=77173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT7F100B MICROCHIP (MICROSEMI) 7259-apt7f100b-apt7f100s-datasheet APT7F100B THT N channel transistors
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APT7F120B MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7262 APT7F120B THT N channel transistors
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APT60N60SCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60N60SCSG SMD N channel transistors
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APT60S20B2CTG 7212-apt60s20b2ctg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60S20B2CTG THT Schottky diodes
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APT60S20BG 7211-apt60s20bg-apt60s20sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60S20BG THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
APT60S20SG 7211-apt60s20bg-apt60s20sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60S20SG SMD Schottky diodes
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APT64GA90B index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123652
APT64GA90B
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
Produkt ist nicht verfügbar
APT64GA90B index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123652
APT64GA90B
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT64GA90B2D30 123651-apt80ga90b-apt80ga90s-datasheet
APT64GA90B2D30
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max
Case: T-Max
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
Produkt ist nicht verfügbar
APT64GA90B2D30 123651-apt80ga90b-apt80ga90s-datasheet
APT64GA90B2D30
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max
Case: T-Max
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
APT64GA90LD30 123671-apt64ga90b2-ld30-e-pdf
APT64GA90LD30
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
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APT64GA90LD30 123671-apt64ga90b2-ld30-e-pdf
APT64GA90LD30
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 8®; PT
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 193A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 352ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 162nC
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT65GP60B2G 6462-apt65gp60b2g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60B2G THT IGBT transistors
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APT65GP60J 6463-apt65gp60j-a-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60J IGBT modules
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APT65GP60JDQ2 6464-apt65gp60jdq2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60JDQ2 IGBT modules
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APT65GP60L2DQ2G 6465-apt65gp60l2dq2g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60L2DQ2G THT IGBT transistors
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APT66F60B2 7222-apt66f60b2-apt66f60l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66F60B2 THT N channel transistors
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APT66F60L 7222-apt66f60b2-apt66f60l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66F60L THT N channel transistors
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APT66M60B2 7226-apt66m60b2-apt66m60l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66M60B2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
APT66M60L 7226-apt66m60b2-apt66m60l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66M60L THT N channel transistors
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APT68GA60B 123653-apt68ga60b-apt68ga60s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT68GA60B THT IGBT transistors
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APT68GA60B2D40 123666-apt68ga60b2d40-apt68ga60ld40-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT68GA60B2D40 THT IGBT transistors
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APT68GA60LD40 123666-apt68ga60b2d40-apt68ga60ld40-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT68GA60LD40 THT IGBT transistors
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APT70GR120B2 APT70GR120.pdf
APT70GR120B2
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 70A; 961W; TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 961W
Gate charge: 412nC
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 394ns
Turn-on time: 81ns
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Mounting: THT
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APT70GR120B2 APT70GR120.pdf
APT70GR120B2
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 70A; 961W; TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 961W
Gate charge: 412nC
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 394ns
Turn-on time: 81ns
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT70GR120J 127869-apt70gr120j-a-pdf
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
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APT70GR120J 127869-apt70gr120j-a-pdf
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT70GR120JD60 127879-apt70gr120jd60-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
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APT70GR120JD60 127879-apt70gr120jd60-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Pulsed collector current: 280A
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT70GR120L 127868-apt70gr120b2-apt70gr120l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT70GR120L THT IGBT transistors
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APT70GR65B 131952-apt70gr65b-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT70GR65B THT IGBT transistors
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APT75DF170HJ 7237-apt75df170hj-datasheet
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APT75DF170HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
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APT75DL120HJ 7238-apt75dl120hj-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75DL120HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
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APT75DQ100BG APT75DQ100.pdf
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75DQ100BG THT universal diodes
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APT75DQ120BG 123690-apt75dq120bg-apt75dq120sg-datasheet
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APT75DQ120BG THT universal diodes
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APT75DQ120SG 1243980-apt75dq120sg-datasheet
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APT75DQ120SG SMD universal diodes
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APT75DQ60BG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
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APT75DQ60BG THT universal diodes
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APT75DQ60SG SMD universal diodes
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APT75F50B2 THT N channel transistors
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APT75F50L 7244-apt75f50b2-apt75f50l-datasheet
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APT75F50L THT N channel transistors
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APT75GN120B2G 6469-apt75gn120b2g-apt75gn120lg-datasheet
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APT75GN120B2G THT IGBT transistors
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APT75GN120JDQ3 7246-apt75gn120jdq3-datasheet
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APT75GN120JDQ3 IGBT modules
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APT75GN120LG 6469-apt75gn120b2g-apt75gn120lg-datasheet
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APT75GN120LG THT IGBT transistors
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APT75GN60BDQ2G 123469-apt75gn60bdq2g-apt75gn60sdq2g-datasheet
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APT75GN60BDQ2G THT IGBT transistors
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APT75GN60BG 6470-apt75gn60bg-datasheet
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APT75GN60BG THT IGBT transistors
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APT75GN60LDQ3G 6471-apt75gn60ldq3g-datasheet
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APT75GN60LDQ3G THT IGBT transistors
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APT75GN60SDQ2G 123469-apt75gn60bdq2g-apt75gn60sdq2g-datasheet
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APT75GN60SDQ2G SMD IGBT transistors
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APT75GP120B2G 6472-apt75gp120b2g-datasheet
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APT75GP120B2G THT IGBT transistors
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APT75GP120J 6473-apt75gp120j-datasheet
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APT75GP120J IGBT modules
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APT75GP120JDQ3 6474-apt75gp120jdq3-datasheet
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APT75GP120JDQ3 IGBT modules
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APT75GT120JRDQ3 7248-apt75gt120jrdq3-datasheet
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APT75GT120JRDQ3 IGBT modules
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APT75GT120JU2 7249-apt75gt120ju2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GT120JU2 IGBT modules
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APT75GT120JU3 7250-apt75gt120ju3-datasheet
APT75GT120JU3
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Topology: buck chopper
Technology: Field Stop; Trench
Case: SOT227B
Application: motors
Collector current: 75A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Pulsed collector current: 175A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2+54.47 EUR
3+ 53.27 EUR
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APT75GT120JU3 7250-apt75gt120ju3-datasheet
APT75GT120JU3
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Topology: buck chopper
Technology: Field Stop; Trench
Case: SOT227B
Application: motors
Collector current: 75A
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Pulsed collector current: 175A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+54.47 EUR
3+ 53.27 EUR
10+ 52.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
APT75M50B2 7254-apt75m50b2-apt75m50l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75M50B2 THT N channel transistors
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APT75M50L 7254-apt75m50b2-apt75m50l-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75M50L THT N channel transistors
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APT77N60BC6 77173-apt77n60bc6-apt77n60sc6-datasheet
APT77N60BC6
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
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APT77N60BC6 77173-apt77n60bc6-apt77n60sc6-datasheet
APT77N60BC6
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT77N60SC6
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
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APT77N60SC6 index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=77173
APT77N60SC6
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT7F100B 7259-apt7f100b-apt7f100s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7F100B THT N channel transistors
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APT7F120B index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7262
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7F120B THT N channel transistors
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