APT75GP120B2G Microchip Technology
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Technische Details APT75GP120B2G Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns, Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 320 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 1042 W.
Weitere Produktangebote APT75GP120B2G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT75GP120B2G | Hersteller : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 1042000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
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APT75GP120B2G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) | APT75GP120B2G THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT75GP120B2G | Hersteller : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 1042W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
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APT75GP120B2G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 320 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 1042 W |
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