APT68GA60LD40 Microchip / Microsemi
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Technische Details APT68GA60LD40 Microchip / Microsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264, Technology: POWER MOS 8®; PT, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 46ns, Turn-off time: 304ns, Power dissipation: 520W, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 68A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 198nC, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 202A, Type of transistor: IGBT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT68GA60LD40
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT68GA60LD40 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264 Technology: POWER MOS 8®; PT Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 46ns Turn-off time: 304ns Power dissipation: 520W Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 68A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 198nC Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 202A Type of transistor: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT68GA60LD40 | Hersteller : Microchip Technology |
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APT68GA60LD40 | Hersteller : Microchip Technology |
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APT68GA60LD40 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264 Technology: POWER MOS 8®; PT Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 46ns Turn-off time: 304ns Power dissipation: 520W Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 68A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 198nC Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 202A Type of transistor: IGBT |
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