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TO-252

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MJD112

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

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MJD112

TO-252

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MJD112

07+ TO-252

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MJD112 TO252 SMD

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Mounting: SMD
Current gain: 200...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: TO252
Frequency: 25MHz
Collector-emitter voltage: 100V

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MJD112 TO252 SMD

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MJD112 TO252 SMD
Produktcode: 202522

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MJD112-001

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD112-001

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MJD112-1G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 442 Stücke:

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2+	1.49 EUR
10+	1.21 EUR
75+	0.87 EUR
525+	0.84 EUR
1050+	0.68 EUR
2475+	0.67 EUR
4950+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 2065 Stücke:

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231+	0.66 EUR
525+	0.63 EUR
1050+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 231

MJD112-1G

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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166+	0.91 EUR
169+	0.87 EUR
231+	0.61 EUR
525+	0.58 EUR
1050+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 166

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 24750 Stücke:

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MJD112-1G

Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: IPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 136 Stücke:

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65+	1.12 EUR
72+	1 EUR
87+	0.82 EUR
93+	0.78 EUR
300+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 65

MJD112-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 527 Stücke:

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11+	1.67 EUR
75+	1.34 EUR
150+	1.07 EUR
525+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 11

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD112-1G

auf Bestellung 136 Stücke:

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65+	1.12 EUR
72+	1 EUR
87+	0.82 EUR
93+	0.78 EUR

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MJD112-1G

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MJD112-TP

Trans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112-TP

Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

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MJD112-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK

auf Bestellung 507 Stücke:

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MJD112-TP

Trans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112-TP

Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

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MJD112-TR

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MJD112/117

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MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1593 Stücke:

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171+	0.89 EUR
335+	0.44 EUR
525+	0.33 EUR
1050+	0.31 EUR

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MJD112G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

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3+	1.03 EUR
10+	0.99 EUR
75+	0.53 EUR
525+	0.46 EUR
1050+	0.39 EUR
2475+	0.38 EUR
9900+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1593 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

163+	0.93 EUR
171+	0.86 EUR
335+	0.42 EUR
525+	0.31 EUR
1050+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 163

MJD112G

транзистор npn DPAK

auf Bestellung 2430 Stücke:

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MJD112G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 2165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.04 EUR
75+	0.85 EUR
150+	0.62 EUR
525+	0.52 EUR
1050+	0.44 EUR
2025+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 17

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

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211+	0.72 EUR
356+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 211

MJD112G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	1 EUR
96+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 72

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

287+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 287

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD112G

auf Bestellung 96 Stücke:

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72+	1 EUR
96+	0.74 EUR
121+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 72

MJD112G

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2983 Stücke:

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MJD112RL

auf Bestellung 7900 Stücke:

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MJD112RL

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD112RL (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20829

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MJD112RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD112RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 3920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
14+	1.35 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 11

MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	0.73 EUR
3600+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD112RLG

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 14488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.65 EUR
10+	1.35 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR
1800+	0.67 EUR
3600+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112T4

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Frequency: 25MHz
Collector-emitter voltage: 100V

auf Bestellung 2320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	0.7 EUR
117+	0.61 EUR
235+	0.3 EUR
249+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 103

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD112T4

Біполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	5.4 EUR

MJD112T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 8657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
22+	0.82 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 19

MJD112T4

Darlington Transistors NPN Power Darlington

auf Bestellung 8344 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.97 EUR
10+	0.85 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.37 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2087 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.24 EUR
5000+	0.22 EUR
10000+	0.21 EUR
12500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD112T4

auf Bestellung 2320 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

103+	0.7 EUR
117+	0.61 EUR
235+	0.3 EUR
249+	0.29 EUR
2500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 103

MJD112T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.36 EUR
5000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112T4

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

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MJD112T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26922

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MJD112T4G

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD112T4G

Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD112T4G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	21.6 EUR
10+	19.44 EUR

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2483 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.82 EUR
217+	0.67 EUR
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267+	0.51 EUR
269+	0.48 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.27 EUR

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112T4G

09+

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MJD112T4G

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MJD112T4G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

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4+	0.92 EUR
10+	0.76 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR
2500+	0.48 EUR
5000+	0.39 EUR

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112T4G

TO-252

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MJD112T4G

Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8530 Stücke:

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112T4G

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MJD112T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2483 Stücke:

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443+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 443

MJD112T4G*************

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MJD112TF

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112TF

Darlington Transistors NPN Si Transistor Darlington

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112TF

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4 Stücke:

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MJD117

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117

MJD117 Микросхемы

auf Bestellung 99 Stücke:

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MJD117
Produktcode: 99164

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: D-Pak
fT: 25 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2

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MJD117

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117-001

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117-1G

auf Bestellung 25500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117-1G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 154661 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1113+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1113

MJD117-1G

auf Bestellung 19 Stücke:

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MJD117-1G

Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 153995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

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MJD117-1G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.5 EUR
10+	1.32 EUR
75+	1.03 EUR
525+	0.8 EUR
1050+	0.58 EUR
2400+	0.56 EUR
4800+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD117-1G

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MJD117-1G

09+ TQFP

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

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MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

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MJD117-HF

Comchip Technology

Description: TRANS PNP GEN PURP 100V 2A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117-HF

Comchip Technology

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117-TP

Description: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

147+	1.03 EUR
153+	0.96 EUR
208+	0.68 EUR
525+	0.58 EUR
1050+	0.45 EUR
2400+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 147

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2309 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117G
Produktcode: 79758

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 1464 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.39 EUR
10+	1.27 EUR
75+	0.75 EUR
525+	0.68 EUR
1050+	0.63 EUR
4800+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2533 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1 EUR
208+	0.7 EUR
525+	0.6 EUR
1050+	0.47 EUR
2400+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 152

MJD117G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 31924 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
13+	1.4 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.61 EUR
5000+	0.55 EUR
10000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

MJD117G

Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1622 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117RLG

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117RLG

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.42 EUR
5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.37 EUR
5000+	0.26 EUR
10000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD117T4

Darlington Transistors PNP Power Darlington

auf Bestellung 5262 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.13 EUR
10+	1 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR
2500+	0.44 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD117T4

Description: TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.37 EUR
5000+	0.26 EUR
10000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD117T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3016 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 5469 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.11 EUR
19+	0.96 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 16

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD117T4

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4 PBF
Produktcode: 21024

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2
Bem.: DARLINGT

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4G

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1493 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

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3+	0.95 EUR
10+	0.85 EUR
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500+	0.64 EUR
1000+	0.57 EUR
2500+	0.48 EUR
5000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD117T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 45000 Stücke:

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2500+	0.49 EUR
5000+	0.46 EUR
12500+	0.43 EUR
25000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.55 EUR

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MJD117T4G

MJD117T4G Диоды

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MJD117T4G

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1493 Stücke:

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MJD117T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 47122 Stücke:

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14+	1.28 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.55 EUR

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MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4G*********

auf Bestellung 35000 Stücke:

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MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 307 Stücke:

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175+	0.87 EUR
210+	0.7 EUR
211+	0.67 EUR
213+	0.63 EUR

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MJD117TF

Description: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 24317 Stücke:

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MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD117TF

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MJD117TF

Darlington Transistors PNP Silicon Darl

auf Bestellung 18518 Stücke:

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MJD117TF-FS

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 2421 Stücke:

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16+	1.16 EUR
25+	0.72 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR

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MJD122

YFW

darl.NPN 5A 100V 20W MJD122 TO252 LGE TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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100+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 100

MJD122

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 23955

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MJD122 TO252 SMD

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 4200 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

270+	0.27 EUR
360+	0.2 EUR
425+	0.17 EUR
455+	0.16 EUR
2500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 270

MJD122 TO252 SMD
Produktcode: 181912

IC > IC andere

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MJD122 TO252 SMD

auf Bestellung 4200 Stücke:

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270+	0.27 EUR
360+	0.2 EUR
425+	0.17 EUR
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2500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 270

MJD122-1

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 2774 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
75+	1.23 EUR
150+	0.97 EUR
525+	0.83 EUR
1050+	0.67 EUR
2025+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 12

MJD122-1

Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector

auf Bestellung 4927 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.56 EUR
10+	1.53 EUR
75+	0.85 EUR
525+	0.79 EUR
1050+	0.65 EUR
2550+	0.64 EUR
5025+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-1

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 2303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.16 EUR
158+	0.93 EUR
192+	0.73 EUR
525+	0.59 EUR
1050+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 131

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 2303 Stücke:

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158+	0.96 EUR
192+	0.76 EUR
525+	0.61 EUR
1050+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 158

MJD122-1

Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2587 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122-1G

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-1G

Darlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.38 EUR
5000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122-TP

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 35242 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.32 EUR
16+	1.14 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 14

MJD122-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK

auf Bestellung 10206 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.34 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR
2500+	0.52 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-TP

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.5 EUR
5000+	0.47 EUR
12500+	0.44 EUR
25000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122-TP-HF-B002

Bipolar Transistors - BJT

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MJD122-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD122/127

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.05 EUR
205+	0.71 EUR
525+	0.63 EUR
1050+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 144

MJD122G

ON-Semicoductor

darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 smd TMJD122t4
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 25

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 5222 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	1.1 EUR
144+	1.01 EUR
202+	0.7 EUR
525+	0.61 EUR
1050+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 139

MJD122G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 1095 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
11+	1.63 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7

MJD122G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

65+	1.1 EUR
73+	0.99 EUR
95+	0.76 EUR
100+	0.72 EUR
750+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 65

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 3750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

162+	0.94 EUR
300+	0.86 EUR
1050+	0.78 EUR
2550+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 162

MJD122G

Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 16332 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	1.34 EUR
75+	0.88 EUR
525+	0.77 EUR
1050+	0.69 EUR
5400+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD122G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	3.24 EUR
100+	2.88 EUR

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 5220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.05 EUR
202+	0.72 EUR
525+	0.64 EUR
1050+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 144

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 5222 Stücke:

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MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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139+	1.09 EUR
144+	1.01 EUR
205+	0.69 EUR
525+	0.6 EUR
1050+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 139

MJD122G
Produktcode: 165785

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MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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1650+	0.59 EUR
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MJD122G

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65+	1.1 EUR
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95+	0.76 EUR
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MJD122G

On Semiconductor

NPN Darl. DPAK

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MJD122GT4G

BIP

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MJD122RLG

Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V

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10+	1.07 EUR
100+	0.82 EUR
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MJD122RLG

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

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MJD122RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

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MJD122RLG

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD122T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 6607 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.94 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 10

MJD122T4

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2915 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

75+	0.96 EUR
87+	0.83 EUR
240+	0.3 EUR
254+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 75

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD122T4

auf Bestellung 2915 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	0.96 EUR
87+	0.83 EUR
240+	0.3 EUR
254+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 75

MJD122T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.5 EUR
5000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD122T4

Darlington Transistors NPN Power Darlington

auf Bestellung 13281 Stücke:

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2+	1.74 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.58 EUR
2500+	0.51 EUR
5000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD122T4

Description: TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 15mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

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MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD122T4

STMicroelectronics NV

NPN Darl. DPAK TO-252-3

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MJD122T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 30180

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: DPAK
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 8
h21: 5000
Bem.: Darlington

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MJD122T4G

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 24339 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122T4G

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	1.09 EUR
79+	0.91 EUR
128+	0.56 EUR
136+	0.53 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 66

MJD122T4G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

auf Bestellung 2 Stücke:

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1+	5.4 EUR
10+	4.32 EUR

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.53 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122T4G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 12840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.27 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.66 EUR
2500+	0.59 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 160000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.54 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.57 EUR
5000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122T4G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

66+	1.09 EUR
79+	0.91 EUR
128+	0.56 EUR
136+	0.53 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 66

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122T4G

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 24339 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.54 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.64 EUR
5000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 5493 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.48 EUR
14+	1.29 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 12

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.54 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122T4G*************

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD122TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122TF

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD122TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122TF

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122TF

Darlington Transistors NPN Sil Darl Trans

auf Bestellung 6389 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

MJD122TF
Produktcode: 101877

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MJD127

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 1067 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.16 EUR
25+	0.72 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 16

MJD127

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127

YFW

PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 100

MJD127 TO252 SMD

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 920 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

250+	0.29 EUR
360+	0.2 EUR
425+	0.17 EUR
450+	0.16 EUR
2500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 250

MJD127 TO252 SMD

auf Bestellung 920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	0.29 EUR
360+	0.2 EUR
425+	0.17 EUR
450+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 250

MJD127-1

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD127-LGE
Produktcode: 161555

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MJD127-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK

auf Bestellung 3873 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR
2500+	0.54 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD127-TP

Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127-TP

Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD127G
Produktcode: 50655

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	0.99 EUR
300+	0.88 EUR
1050+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 153

MJD127G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 19399 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.69 EUR
11+	1.71 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.82 EUR
2000+	0.76 EUR
5000+	0.69 EUR
10000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 7

MJD127G

Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5831 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127G

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

63+	1.14 EUR
69+	1.05 EUR
91+	0.79 EUR
97+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 63

MJD127G

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	1.14 EUR
69+	1.05 EUR
91+	0.79 EUR
97+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 63

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	1.23 EUR
186+	0.79 EUR
525+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 124

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1441 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 93

MJD127G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 2304 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.04 EUR
10+	1.59 EUR
75+	0.93 EUR
525+	0.85 EUR
1050+	0.76 EUR
2700+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1441 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.63 EUR
105+	1.4 EUR
145+	0.97 EUR
525+	0.8 EUR
1050+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 93

MJD127G

Транз. Бипол. ММ PNP TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	3.24 EUR
100+	2.88 EUR

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	1.33 EUR
125+	1.17 EUR
187+	0.75 EUR
525+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 114

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127RLG

Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 438-442 Tag (e)

2+	1.41 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD127RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD127RLG

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127RLG

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127RLG

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127S-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127S-TP

Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4

Description: TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

81+	0.89 EUR
94+	0.76 EUR
244+	0.29 EUR
258+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 81

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 175000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.37 EUR
5000+	0.27 EUR
10000+	0.25 EUR
25000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 175000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.37 EUR
5000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4

Darlington Transistors PNP Power Darlington

auf Bestellung 7457 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.24 EUR
10+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.53 EUR
2500+	0.44 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 7073 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.2 EUR
17+	1.04 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 175000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.37 EUR
5000+	0.27 EUR
10000+	0.25 EUR
25000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.37 EUR
5000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4
Produktcode: 180295

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MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 13168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD127T4

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	0.89 EUR
94+	0.76 EUR
244+	0.29 EUR
258+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 81

MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.45 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 23410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.24 EUR
10+	1.09 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.54 EUR
2500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD127T4G

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 132500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.38 EUR
30000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
17+	1.05 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD127T4G

Биполярный транзистор PNP DARL 100V 8A DPak

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	4.32 EUR
10+	3.79 EUR

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4G
Produktcode: 180192

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4G

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 252500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.38 EUR
30000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4G

auf Bestellung 1763 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
81+	0.89 EUR
86+	0.84 EUR
108+	0.66 EUR
152+	0.47 EUR
161+	0.44 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 76

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.51 EUR
5000+	0.48 EUR
7500+	0.45 EUR
10000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4G

auf Bestellung 1763 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
81+	0.89 EUR
86+	0.84 EUR
108+	0.66 EUR
152+	0.47 EUR
161+	0.44 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 76

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 132500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.38 EUR
30000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4G*************

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD127TF

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127TF

Darlington Transistors PNP Si Transistor Darlington

auf Bestellung 7163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

MJD127TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127TF

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127Т4
Produktcode: 26825

Produkt ist nicht verfügbar

MJD128

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD128T4

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD128T4

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD128T4G

Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR

auf Bestellung 5796 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.62 EUR
10+	1.33 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.71 EUR
2500+	0.67 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD128T4G

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 5523 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
14+	1.31 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 11

MJD128T4G

Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD128T4G

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD128T4G

auf Bestellung 1000 Stücke:

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MJD128T4G

Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD13003

auf Bestellung 200 Stücke:

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MJD13003A

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD13003C

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD13005

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Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD13005T4G

auf Bestellung 52900 Stücke:

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MJD148

auf Bestellung 18000 Stücke:

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MJD148-QJ

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148-QJ

Description: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD148-QJ

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 2119 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
28+	0.65 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD148-QJ

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148-QJ

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD148-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD148-Q/SOT428/DPAK

auf Bestellung 2282 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.77 EUR
10+	0.66 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.29 EUR
2500+	0.25 EUR
10000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD148-QJ

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148J

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD148J

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148J

Bipolar Transistors - BJT MJD148/SOT428/DPAK

auf Bestellung 2196 Stücke:

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4+	0.77 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.29 EUR
2500+	0.26 EUR
5000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD148J

Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD148J

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 6076 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
28+	0.65 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD148J

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148J

Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD148T4

Description: TRANS POWER NPN 4A 45V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 20 W

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MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148T4G

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 282488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.2 EUR
18+	1.03 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148T4G

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 280000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.45 EUR
5000+	0.43 EUR
12500+	0.4 EUR
25000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD148T4G

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD148T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN

auf Bestellung 6207 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.93 EUR
10+	0.85 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.51 EUR
2500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD148T4G*************

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD18002D2

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD18002D2T4

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD18002D2T4G

auf Bestellung 52900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD18002D2T4G

Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD18002D2T4G

Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD18002D2T4G

Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK

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MJD18004D2T4G

auf Bestellung 52900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD20

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200

Bipolar Transistors - BJT

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MJD200

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

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MJD200

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200-001

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200-1

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD200G

07+;

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 23020 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.58 EUR
18+	0.99 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR
2000+	0.41 EUR
5000+	0.37 EUR
10000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 12

MJD200G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

auf Bestellung 7909 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.64 EUR
75+	0.44 EUR
525+	0.4 EUR
1050+	0.36 EUR
2700+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 5

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 799 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1.06 EUR
163+	0.9 EUR
212+	0.66 EUR
500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 144

MJD200RLG

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD200RLG

TO252

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200RLG

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

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MJD200RLG

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.17 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.5 EUR
1800+	0.45 EUR
3600+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD200RLG

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200RLG

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.25 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD200RLG

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD200T4

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1202+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1202

MJD200T4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200T4

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200T4

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200T4G

Description: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5006 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD200T4G

08+ QFP

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200T4G

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200T4G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 3775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1 EUR
21+	0.86 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 18

MJD200T4G
Produktcode: 132801

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200T4G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

auf Bestellung 6168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.83 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.37 EUR
2500+	0.32 EUR
10000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200T4G

auf Bestellung 5006 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD200T4G

auf Bestellung 6030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200T4G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD200T4G*************

auf Bestellung 5000 Stücke:

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MJD200T5G

TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200T5G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2055T4

auf Bestellung 6200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210

07+ TO-252

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MJD210

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

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MJD210

FSC

0832+ LQFP48

auf Bestellung 500 Stücke:

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MJD210

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

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MJD210

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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MJD210-1

auf Bestellung 2072 Stücke:

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MJD210-TF

SAMSUNG

SOT-252

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MJD210G

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 5A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 10...180
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 65MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 262 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

103+	0.7 EUR
163+	0.44 EUR
192+	0.37 EUR
203+	0.35 EUR
525+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 103

MJD210G
Produktcode: 62981

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MJD210G

auf Bestellung 262 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	0.7 EUR
163+	0.44 EUR
192+	0.37 EUR
203+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 103

MJD210G

auf Bestellung 5491 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.58 EUR
18+	0.98 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.45 EUR
2000+	0.41 EUR
5000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 12

MJD210G

Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 386 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

auf Bestellung 949 Stücke:

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3+	1.18 EUR
10+	1 EUR
75+	0.51 EUR
525+	0.46 EUR
1050+	0.4 EUR
2700+	0.36 EUR
5400+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD210LT4

TO-252

auf Bestellung 10000 Stücke:

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MJD210LT4

auf Bestellung 15000 Stücke:

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MJD210LTO-251

auf Bestellung 10000 Stücke:

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MJD210LTO-252T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

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MJD210RL

MOT

auf Bestellung 1550 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210RL

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 8700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1480+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

MJD210RL

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210RL

Description: ONSEMI - MJD210RL - MJD210RL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 15400 Stücke:

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MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD210RLG

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

auf Bestellung 1607 Stücke:

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4+	0.87 EUR
10+	0.79 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.41 EUR
1800+	0.38 EUR
3600+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

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MJD210RLG

Description: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2017 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210RLG

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 7993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.97 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 19

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD210RLG

Description: ONSEMI - MJD210RLG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 27866 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210RLG

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD210RLG

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	0.41 EUR
3600+	0.36 EUR
5400+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD210RLG

auf Bestellung 2017 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210T4

Description: TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

740+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 740

MJD210T4

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD210T4

Description: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210T4

07+ TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210T4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210T4/J210

auf Bestellung 13700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD210T4G

auf Bestellung 52841 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.04 EUR
20+	0.89 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 17

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

182+	0.83 EUR
211+	0.69 EUR
215+	0.65 EUR
293+	0.46 EUR
305+	0.42 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 182

MJD210T4G

Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 3175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	0.7 EUR
293+	0.5 EUR
305+	0.46 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 215

MJD210T4G
Produktcode: 132802

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210T4G

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210T4G

Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 3175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210T4G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.03 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.39 EUR
2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD210T4G

Description: ONSEMI - MJD210T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 147535 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210T4G

07+;

auf Bestellung 9675 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210T4G*************

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210TF

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210TF

auf Bestellung 3014 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210TF

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210TF

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

MJD210TF

Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

auf Bestellung 1145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

MJD210TF

Description: ONSEMI - MJD210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12649 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210TF

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210TF

Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210TF

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

MJD210TM

MJD210TM^FAIRCHILD

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243
Produktcode: 20318

IC > IC andere
8542 39 90 00

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD243G

Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 798 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD243G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

auf Bestellung 3004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	1.34 EUR
75+	0.9 EUR
525+	0.78 EUR
1050+	0.63 EUR
4950+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1602 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	1.29 EUR
127+	1.15 EUR
212+	0.66 EUR
525+	0.58 EUR
1050+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 118

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 9062 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.34 EUR
12+	1.48 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.64 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 8

MJD243G
Produktcode: 133000

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MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1602 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	1.19 EUR
212+	0.69 EUR
525+	0.61 EUR
1050+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 127

MJD243T4

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243T4

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD243T4

Description: TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243T4G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5332 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	1.06 EUR
164+	0.89 EUR
167+	0.84 EUR
262+	0.52 EUR
264+	0.49 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 143

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD243T4G

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1272 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD243T4G
Produktcode: 172041

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MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243T4G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 3835 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.16 EUR
18+	1.01 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 16

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5332 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

411+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 411

MJD243T4G

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1272 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD243T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

auf Bestellung 3718 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.18 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.49 EUR
2500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD243T4G

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD243T4G*************

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD2474T4

auf Bestellung 3090 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD253
Produktcode: 20319

IC > IC andere
8542 39 90 00

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MJD253

onsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F

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MJD253

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD253-001

Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253-001

auf Bestellung 2913 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD253-1G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP

auf Bestellung 1068 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.05 EUR
10+	0.89 EUR
75+	0.69 EUR
1050+	0.54 EUR
2550+	0.37 EUR
11550+	0.33 EUR
26400+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD253-1G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253-1G
Produktcode: 133001

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253-1G

auf Bestellung 464 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.2 EUR
17+	1.04 EUR
100+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD253T4

Description: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4G
Produktcode: 172039

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

408+	0.37 EUR
462+	0.32 EUR
467+	0.3 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 408

MJD253T4G

Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3715 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD253T4G

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 16496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 20

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

398+	0.38 EUR
404+	0.36 EUR
408+	0.34 EUR
462+	0.29 EUR
467+	0.28 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 398

MJD253T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP

auf Bestellung 42213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.32 EUR
2500+	0.28 EUR
10000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 5

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 110000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR
5000+	0.24 EUR
12500+	0.23 EUR
25000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD253T4G

auf Bestellung 3715 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD253T4G

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.31 EUR
5000+	0.29 EUR
12500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD253T4G*************

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD2873-QJ

Description: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 505 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2873-QJ

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.24 EUR
5000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2873-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD2873-Q/SOT428/DPAK

auf Bestellung 4706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.72 EUR
10+	0.6 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.27 EUR
2500+	0.23 EUR
10000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD2873-QJ

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2873-QJ

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2873-QJ

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 7922 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
30+	0.6 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 25

MJD2873J

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2873J

Description: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1450 Stücke:

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MJD2873J

Bipolar Transistors - BJT MJD2873/SOT428/DPAK

auf Bestellung 6745 Stücke:

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4+	0.74 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.29 EUR
2500+	0.26 EUR
5000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD2873J

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 1124 Stücke:

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25+	0.72 EUR
29+	0.62 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 25

MJD2873Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

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23+	0.79 EUR
27+	0.68 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 23

MJD2873Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 2271 Stücke:

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4+	0.75 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.3 EUR
2500+	0.25 EUR
10000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD2873Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

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2500+	0.28 EUR
5000+	0.26 EUR
12500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2955

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

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MJD2955

07+ TO-252

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MJD2955

Bipolar Transistors - BJT

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MJD2955

auf Bestellung 5000 Stücke:

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MJD2955

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD2955

Bipolar Transistors - Pre-Biased

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MJD2955

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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MJD2955

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD2955-001

Description: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6300 Stücke:

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MJD2955-001

Description: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD2955-001

auf Bestellung 6300 Stücke:

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2219+	0.23 EUR

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MJD2955-1G

auf Bestellung 42025 Stücke:

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888+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 888

MJD2955-1G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD2955-1G

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MJD2955-1G

Description: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 42025 Stücke:

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MJD2955-1G

auf Bestellung 4080 Stücke:

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MJD2955-T4

09+

auf Bestellung 2477 Stücke:

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MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 528 Stücke:

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217+	0.7 EUR
267+	0.55 EUR
275+	0.51 EUR
500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 217

MJD2955G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 5...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 180 Stücke:

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74+	0.97 EUR
88+	0.82 EUR
93+	0.78 EUR
120+	0.6 EUR
127+	0.57 EUR
2025+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 74

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1725 Stücke:

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202+	0.75 EUR
375+	0.66 EUR
750+	0.59 EUR
1125+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 202

MJD2955G

auf Bestellung 180 Stücke:

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74+	0.97 EUR
88+	0.82 EUR
93+	0.78 EUR
120+	0.6 EUR
127+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 74

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1975 Stücke:

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126+	1.21 EUR
193+	0.76 EUR
204+	0.69 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 126

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1975 Stücke:

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193+	0.78 EUR
204+	0.72 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 193

MJD2955G

auf Bestellung 3774 Stücke:

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12+	1.55 EUR
75+	1.29 EUR
150+	0.93 EUR
525+	0.78 EUR
1050+	0.66 EUR
2025+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 12

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1725+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 1725

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

auf Bestellung 153 Stücke:

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3+	1.31 EUR
10+	1.28 EUR
75+	0.87 EUR
525+	0.6 EUR
1050+	0.55 EUR
1950+	0.54 EUR
5850+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD2955RLG

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955RLG

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

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MJD2955RLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V

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MJD2955RLG

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

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MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

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MJD2955T4

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

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MJD2955T4

Description: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

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MJD2955T4

Trans GP BJT PNP 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955T4G

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1435 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955T4G

SOP8

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD2955T4G

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 6270 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.13 EUR
18+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 16

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2955T4G

auf Bestellung 1435 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955T4G

auf Bestellung 109930 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD2955T4G

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 172473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955T4G

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.43 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2955T4G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

auf Bestellung 4069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.13 EUR
10+	0.98 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.48 EUR
2500+	0.42 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.59 EUR
5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955TF

Description: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 460746 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955TF

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

auf Bestellung 5535 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 460746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

MJD2955TF

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955TF

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MJD2955TF

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

MJD2955VT4

auf Bestellung 6210 Stücke:

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MJD29C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD29C

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD29CTF

Description: TRANS NPN 100V 1A DPAK

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MJD29CTF

auf Bestellung 980 Stücke:

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MJD3055

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD3055

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD3055

N/A

auf Bestellung 1721 Stücke:

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MJD3055

Bipolar Transistors - BJT

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MJD3055

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD3055

TO-252

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MJD3055

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

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MJD3055G

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MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD3055G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

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MJD3055G

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MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD3055RLG

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD3055RLG

BIP DPAK NPN 10A 60V TR

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MJD3055RLG

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 1775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.27 EUR
16+	1.1 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.64 EUR

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MJD3055RLG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055RLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V

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3+	1.26 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.59 EUR
1800+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD3055T4

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

auf Bestellung 4092 Stücke:

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2+	1.92 EUR
10+	1.42 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.76 EUR
2500+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD3055T4

Description: TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

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MJD3055T4

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 5...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

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MJD3055T4

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4 (транзистор биполярный NPN)
Produktcode: 171011

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MJD3055T4G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 24067

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MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4G

auf Bestellung 1 Stücke:

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MJD3055T4G

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 359 Stücke:

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MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4G

auf Bestellung 28666 Stücke:

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15+	1.23 EUR
17+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD3055T4G

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 359 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

auf Bestellung 3670 Stücke:

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3+	1.28 EUR
10+	1.09 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.55 EUR
2500+	0.49 EUR
5000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD3055T4G

auf Bestellung 25000 Stücke:

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2500+	0.47 EUR
5000+	0.45 EUR
12500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD3055T4G*************

auf Bestellung 7500 Stücke:

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MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055TF

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD3055TF

auf Bestellung 38000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055TF

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 9881 Stücke:

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MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD3055TF

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD30CTF

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR

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MJD31

auf Bestellung 50000 Stücke:

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MJD31B

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31BT4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31BT4

07+ TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31C

JSMicro Semiconductor

Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 295 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100

MJD31C

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31C

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31C

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

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MJD31C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31C

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31C

YZPST

Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

75+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 75

MJD31C

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

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MJD31C

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31C-13

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.22 EUR
5000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 442 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31C-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 18561 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
28+	0.64 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD31C-13

auf Bestellung 1470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.22 EUR
5000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 442 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT

auf Bestellung 8261 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.75 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD31C-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.25 EUR
5000+	0.24 EUR
12500+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31C-ITU

auf Bestellung 20150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31C-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31C-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31C-TP

Bipolar Transistors - BJT Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31C1

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31C1G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31C1G

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD31CAJ

Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CAJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CAJ

Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5051 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.81 EUR
26+	0.68 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 22

MJD31CAJ

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

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MJD31CAJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31CA/SOT428/DPAK

auf Bestellung 46503 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.6 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.27 EUR
2500+	0.24 EUR
5000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD31CAJ

auf Bestellung 3492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CAJ

Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CEITU

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 2857 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

952+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 952

MJD31CEITU

NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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MJD31CEITU

Description: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10080 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CETF

Description: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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MJD31CETF

NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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MJD31CG

Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1288 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 6358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.14 EUR
213+	0.69 EUR
525+	0.6 EUR
1050+	0.46 EUR
3375+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 133

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31CG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 1369 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
13+	1.42 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

MJD31CG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

auf Bestellung 8169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.57 EUR
10+	1.32 EUR
75+	0.76 EUR
525+	0.7 EUR
1050+	0.61 EUR
2550+	0.59 EUR
3375+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1575 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

194+	0.78 EUR
525+	0.69 EUR
1050+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 194

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 6374 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CG

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube

auf Bestellung 1494 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.95 EUR
85+	0.84 EUR
110+	0.65 EUR
116+	0.62 EUR
750+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 76

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 6374 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

122+	1.24 EUR
134+	1.09 EUR
214+	0.66 EUR
525+	0.58 EUR
1050+	0.44 EUR
3375+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 122

MJD31CG

auf Bestellung 1494 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.95 EUR
85+	0.84 EUR
110+	0.65 EUR
116+	0.62 EUR
750+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 76

MJD31CG
Produktcode: 117657

Verschiedene Bauteile > Other components 3

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MJD31CH-13

NPN Medium Power Transistor

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MJD31CH-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W

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MJD31CH-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

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MJD31CH-QJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CH-QJ

Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1560 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.79 EUR
26+	0.68 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 23

MJD31CH-QJ

Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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MJD31CH-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31CH-Q/SOT428/DPAK

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MJD31CHE3-TP

Bipolar Transistors - BJT Power Transistor

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MJD31CHE3-TP

Silicon NPN Epitaxial Planer Transistors Automotive AEC-Q101

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MJD31CHE3-TP

Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4845 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.99 EUR
15+	1.25 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

MJD31CHE3-TP

MJD31CHE3-TP

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MJD31CHE3-TP

Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CHQ-13

100V NPN Medium Power Transistor In To252

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MJD31CHQ-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8422 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.84 EUR
25+	0.72 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 21

MJD31CHQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 2277 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.87 EUR
10+	0.74 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.33 EUR
2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD31CHQ-13

100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CHQ-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CITU

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 40818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1480+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

MJD31CITU

Description: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 40818 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CITU

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CITU

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

574+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 574

MJD31CJ

Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.21 EUR
5000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31C/SOT428/DPAK

auf Bestellung 10331 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.3 EUR
1000+	0.24 EUR
2500+	0.21 EUR
25000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

578+	0.26 EUR
1000+	0.2 EUR
2500+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 578

MJD31CJ

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CJ

NXP

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 40

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

578+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 578

MJD31CJ

auf Bestellung 3220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 8133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.62 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 29

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

574+	0.56 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 574

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 97846 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
18+	1 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 11

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 95000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CQ-13

Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 95000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.37 EUR
7500+	0.35 EUR
12500+	0.34 EUR
17500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 6168 Stücke:

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3+	1 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.43 EUR
2500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD31CQ-13

auf Bestellung 2248 Stücke:

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MJD31CRL

SOT252/2.5

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31CRL

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CRLG

Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 3582 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CRLG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 28800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	0.61 EUR
3600+	0.57 EUR
5400+	0.54 EUR
9000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD31CRLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

auf Bestellung 2996 Stücke:

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2+	1.41 EUR
10+	1.17 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.73 EUR
1800+	0.61 EUR
3600+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CRLG

Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 3582 Stücke:

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MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CRLG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 29364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
16+	1.13 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CS-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CS-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CS-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW

auf Bestellung 2500 Stücke:

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369+	0.41 EUR
459+	0.32 EUR
471+	0.3 EUR
499+	0.27 EUR
615+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 369

MJD31CS-TP

Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.23 EUR
5000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CS-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

290+	0.52 EUR
357+	0.41 EUR
369+	0.38 EUR
459+	0.29 EUR
471+	0.28 EUR
499+	0.25 EUR
615+	0.19 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 290

MJD31CS-TP

Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
30+	0.59 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 25

MJD31CT4

auf Bestellung 3306 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	0.53 EUR
290+	0.25 EUR
305+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 136

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.2 EUR
10000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 10532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4

STMicroelectronics NV

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.55 EUR
5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

auf Bestellung 3124 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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10+	1.31 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.64 EUR
2500+	0.55 EUR
5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD31CT4

auf Bestellung 3306 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

136+	0.53 EUR
290+	0.25 EUR
305+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 136

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.2 EUR
5000+	0.19 EUR
10000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4

Description: TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.56 EUR
5000+	0.53 EUR
10000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4-A

Bipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS

auf Bestellung 4306 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.34 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.69 EUR
2500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.56 EUR
5000+	0.53 EUR
10000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4-A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.62 EUR
5000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4-A

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 897 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4-A

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4-A

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MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 70 Stücke:

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MJD31CT4-A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 6556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.5 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 57500 Stücke:

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2500+	0.29 EUR
10000+	0.24 EUR
25000+	0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4G

ON-Semicoductor

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 1460 Stücke:

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50+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 50

MJD31CT4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 51567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
22+	0.81 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 19

MJD31CT4G

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2500 Stücke:

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MJD31CT4G

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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273+	0.56 EUR
326+	0.45 EUR
329+	0.43 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.24 EUR
6000+	0.23 EUR

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.39 EUR
5000+	0.36 EUR
7500+	0.33 EUR
10000+	0.3 EUR
25000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 57500 Stücke:

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2500+	0.29 EUR
10000+	0.24 EUR
25000+	0.23 EUR
50000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4G

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MJD31CT4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 51567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.32 EUR
5000+	0.3 EUR
12500+	0.28 EUR
25000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4G

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8626 Stücke:

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 147500 Stücke:

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2500+	0.32 EUR
10000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4G

ON-Semicoductor

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 147500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 147500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

auf Bestellung 43248 Stücke:

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3+	0.98 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.4 EUR
2500+	0.33 EUR
10000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6291 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	0.88 EUR
261+	0.56 EUR
273+	0.52 EUR
326+	0.41 EUR
329+	0.39 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 172

MJD31CT4G

auf Bestellung 8626 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4GMJD32CG

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD31CTF

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD31CTF

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31CTF

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CTF-FS

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD31CTF_NBDD001

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD31CTF_SBDD001A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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MJD31CUQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.08 EUR
10+	0.94 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.46 EUR
2500+	0.38 EUR
5000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD31CUQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1866883 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.04 EUR
20+	0.91 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 17

MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1865000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CUQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1865000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.37 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31G

Bipolar Transistors - BJT

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MJD31T4

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31T4

Description: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31T4

Description: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1401+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1401

MJD31T4/J31

auf Bestellung 33050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31T4G

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 3749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
16+	1.15 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31T4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN

auf Bestellung 5536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.41 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.59 EUR
2500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1249+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1249

MJD31T4G

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31T4G

auf Bestellung 3784 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR

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MJD32B

TO-252

auf Bestellung 2650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32BT4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32BT4

07+ TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

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MJD32C
Produktcode: 191777

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

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MJD32C

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C

MOT

SOT252/2.5

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C

Bipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32C-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.33 EUR
5000+	0.31 EUR
12500+	0.29 EUR
25000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT

auf Bestellung 2460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.98 EUR
10+	0.83 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.37 EUR
2500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD32C-13

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MJD32C-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 151925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.97 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 19

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.24 EUR
10+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.53 EUR
2500+	0.47 EUR
5000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD32C-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32C/J32C

MOTO

auf Bestellung 1240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C1

Description: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32C1

auf Bestellung 17070 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C1

Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1402+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1402

MJD32CA

Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 715 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CA

auf Bestellung 715 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CAJ

100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CAJ
Produktcode: 191470

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MJD32CAJ

Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.27 EUR
5000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CAJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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MJD32CAJ

Bipolar Transistors - BJT MJD32CA/SOT428/DPAK

auf Bestellung 6229 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.75 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.29 EUR
2500+	0.25 EUR
10000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD32CAJ

Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.81 EUR
26+	0.68 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 22

MJD32CG

Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6856 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

259+	0.58 EUR
308+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 259

MJD32CG

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

104+	0.69 EUR
115+	0.62 EUR
151+	0.48 EUR
159+	0.45 EUR
1200+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 104

MJD32CG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

auf Bestellung 5538 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.24 EUR
10+	1.03 EUR
75+	0.74 EUR
525+	0.62 EUR
1050+	0.47 EUR
5025+	0.45 EUR
9225+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD32CG

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	0.69 EUR
115+	0.62 EUR
151+	0.48 EUR
159+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 104

MJD32CG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 19899 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
75+	1.02 EUR
150+	0.74 EUR
525+	0.62 EUR
1050+	0.52 EUR
2025+	0.47 EUR
5025+	0.44 EUR
10050+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 3311 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

169+	0.9 EUR
194+	0.75 EUR
255+	0.55 EUR
525+	0.47 EUR
1050+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 169

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 3253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 3311 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

194+	0.78 EUR
255+	0.57 EUR
525+	0.49 EUR
1050+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 194

MJD32CG
Produktcode: 117659

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	0.63 EUR
259+	0.56 EUR
308+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 240

MJD32CHE3-TP

Description: IGBT TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CHE3-TP

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 4673 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
32+	0.56 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 28

MJD32CJ

100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CJ

Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1912 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CJ

Bipolar Transistors - BJT MJD32C/SOT428/DPAK

auf Bestellung 3520 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.31 EUR
1000+	0.25 EUR
2500+	0.2 EUR
10000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5

MJD32CJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CJ

auf Bestellung 1912 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CJ

NXP

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 50

MJD32CQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

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MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

366+	0.41 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 366

MJD32CQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 2108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.9 EUR
10+	0.78 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.41 EUR
2500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CQ-13

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 142176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	0.99 EUR
21+	0.86 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 18

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

483+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 483

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 140000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 140000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

483+	0.33 EUR
594+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 483

MJD32CR

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MJD32CRL

MOTOROLA

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32CRL

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CRLG

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32CRLG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 2290 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
16+	1.15 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CRLG

Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 3280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CRLG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

266+	0.57 EUR
269+	0.54 EUR
271+	0.52 EUR
274+	0.49 EUR
277+	0.47 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 266

MJD32CRLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

auf Bestellung 1991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.24 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.72 EUR
1800+	0.6 EUR
3600+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

269+	0.56 EUR
271+	0.54 EUR
274+	0.51 EUR
277+	0.49 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 269

MJD32CRLG

auf Bestellung 3280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CT4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 127500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.27 EUR
5000+	0.24 EUR
12500+	0.22 EUR
25000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CT4

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

auf Bestellung 8072 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.13 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.48 EUR
2500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD32CT4

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 6398 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.11 EUR
19+	0.96 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 16

MJD32CT4
Produktcode: 113107

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MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4

auf Bestellung 7128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	0.82 EUR
92+	0.78 EUR
96+	0.75 EUR
116+	0.62 EUR
304+	0.24 EUR
321+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 88

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 127500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR
5000+	0.24 EUR
12500+	0.22 EUR
25000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 130010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4

auf Bestellung 7128 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

88+	0.82 EUR
92+	0.78 EUR
96+	0.75 EUR
116+	0.62 EUR
304+	0.24 EUR
321+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 88

MJD32CT4

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.42 EUR
5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4-A

Bipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS

auf Bestellung 12104 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.93 EUR
10+	0.81 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.4 EUR
2500+	0.36 EUR
25000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD32CT4-A

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 310 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4-A

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4-A

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 3478 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
22+	0.8 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 20

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4-A

Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4-A

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4-A
Produktcode: 132425

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4G

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.36 EUR
5000+	0.34 EUR
12500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4G

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

auf Bestellung 1542 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.93 EUR
10+	0.72 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.37 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4

MJD32CT4G

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 16627 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
22+	0.82 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 19

MJD32CT4G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 25...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.34 EUR
5000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4G

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 25...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CTF

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

auf Bestellung 1297 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

MJD32CTF

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CTF

Description: ONSEMI - MJD32CTF - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

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MJD32CTF

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CTF

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CTF

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CTF-ON

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CTF_NBDD002

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CTF_SBDD002

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

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MJD32CTM

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CTM

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD32CTM

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD32CTM

Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial

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MJD32CUQ-13

Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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MJD32CUQ-13

100V PNP High Voltage Transistor in TO252 Automotive AEC-Q101

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MJD32CUQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

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MJD32CUQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 398933 Stücke:

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13+	1.41 EUR
21+	0.87 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD32CUQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K

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3+	1.1 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.37 EUR
2500+	0.33 EUR
10000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

MJD32CUQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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MJD32CUQ-13

auf Bestellung 1996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CUQ-13

100V PNP High Voltage Transistor in TO252 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 397500 Stücke:

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2500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CUQ-13

100V PNP High Voltage Transistor in TO252

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CUQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 397500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.31 EUR
5000+	0.3 EUR
12500+	0.28 EUR
25000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32G

Bipolar Transistors - BJT

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MJD32RL

auf Bestellung 1200 Stücke:

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MJD32RLG

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 1800 Stücke:

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1800+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32RLG