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MJD127G ONSEMI
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Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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63+ | 1.14 EUR |
69+ | 1.05 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
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Technische Details MJD127G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MJD127G nach Preis ab 0.56 EUR bis 3.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MJD127G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 100...12000 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 4MHz |
auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 2804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD127G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 4598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3816 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127G | Hersteller : ONS |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127G Produktcode: 50655 |
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