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MJD127G

MJD127G ONSEMI


MJD122_MJD127.PDF Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
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Technische Details MJD127G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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MJD127G MJD127G Hersteller : ONSEMI MJD122_MJD127.PDF Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
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MJD127G MJD127G Hersteller : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2587 Stücke:
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192+ 0.79 EUR
525+ 0.7 EUR
1050+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 118
MJD127G MJD127G Hersteller : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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525+ 0.68 EUR
1050+ 0.56 EUR
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MJD127G MJD127G Hersteller : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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150+ 1.15 EUR
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1050+ 0.79 EUR
2025+ 0.75 EUR
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MJD127G MJD127G Hersteller : onsemi MJD122_D-2315626.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
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75+ 0.9 EUR
525+ 0.83 EUR
1050+ 0.71 EUR
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MJD127G MJD127G Hersteller : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD127G MJD127G Hersteller : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD127G MJD127G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014930272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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MJD127G MJD127G Hersteller : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD127G Hersteller : ONS mjd122-d.pdf Транз. Бипол. ММ PNP TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
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MJD127G MJD127G
Produktcode: 50655
mjd122-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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