MJD112T4G

MJD112T4G ON Semiconductor


mjd112-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2483 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
443+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 443
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJD112T4G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

Weitere Produktangebote MJD112T4G nach Preis ab 0.28 EUR bis 22.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MJD112T4G MJD112T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4G MJD112T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD112T4G MJD112T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
185+0.85 EUR
217+ 0.7 EUR
219+ 0.66 EUR
267+ 0.52 EUR
269+ 0.5 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 185
MJD112T4G MJD112T4G Hersteller : onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 19838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.08 EUR
10+ 0.83 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.48 EUR
2500+ 0.43 EUR
5000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD112T4G MJD112T4G Hersteller : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4G MJD112T4G Hersteller : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4G MJD112T4G Hersteller : ON Semiconductor 2477mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD112T4G Hersteller : ONS mjd112-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+22.32 EUR
10+ 20.09 EUR
MJD112T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD112T4G Hersteller : ON mjd112-d.pdf
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD112T4G Hersteller : ON mjd112-d.pdf 09+
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD112T4G Hersteller : ON mjd112-d.pdf TO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD112T4G Hersteller : ST mjd112-d.pdf TO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD112T4G MJD112T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJD112T4G MJD112T4G Hersteller : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJD112T4G MJD112T4G Hersteller : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar