Produkte > ONSEMI > MJD128T4G
MJD128T4G

MJD128T4G onsemi


mjd128-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJD128T4G onsemi

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 1.75 W.

Weitere Produktangebote MJD128T4G nach Preis ab 0.64 EUR bis 1.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MJD128T4G MJD128T4G Hersteller : onsemi MJD128_D-2316056.pdf Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
auf Bestellung 1896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.24 EUR
10+ 1.1 EUR
100+ 0.97 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.71 EUR
2500+ 0.66 EUR
5000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJD128T4G MJD128T4G Hersteller : onsemi mjd128-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 5523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.6 EUR
14+ 1.32 EUR
100+ 1.03 EUR
500+ 0.87 EUR
1000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MJD128T4G mjd128-d.pdf
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD128T4G MJD128T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd128-d.pdf Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJD128T4G MJD128T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd128-d.pdf Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar