MJD127T4G ON Semiconductor
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Technische Details MJD127T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MJD127T4G nach Preis ab 0.37 EUR bis 4.32 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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MJD127T4G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD127T4G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD127T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD127T4G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD127T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Collector current: 8A Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Mounting: SMD Case: DPAK Collector-emitter voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJD127T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Collector current: 8A Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Mounting: SMD Case: DPAK Collector-emitter voltage: 100V |
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MJD127T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD127T4G | Hersteller : onsemi | Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP |
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MJD127T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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MJD127T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127T4G | Hersteller : ONS | Биполярный транзистор PNP DARL 100V 8A DPak |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127T4G************* |
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MJD127T4G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD127T4G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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