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MJD31CT4G ON Semiconductor
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Technische Details MJD31CT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MJD31CT4G nach Preis ab 0.22 EUR bis 0.99 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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MJD31CT4G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
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MJD31CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJD31CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3576 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CT4G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 23800 Stücke: Lieferzeit 94-98 Tag (e) |
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MJD31CT4G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 203192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CT4G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD31CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJD31CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD31CT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJD31CT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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