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MJD117-1G onsemi
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Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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Technische Details MJD117-1G onsemi
Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 25, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote MJD117-1G nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.5 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD117-1G | Hersteller : onsemi |
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MJD117-1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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MJD117-1G | Hersteller : ON |
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MJD117-1G | Hersteller : ON |
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auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJD117-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJD117-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD117-1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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