MJD112G ON Semiconductor
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Technische Details MJD112G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MJD112G nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD112G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD112G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD112G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD112G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK Mounting: SMD Current gain: 100...12000 Collector current: 2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.75W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Case: DPAK Collector-emitter voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJD112G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK Mounting: SMD Current gain: 100...12000 Collector current: 2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.75W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Case: DPAK Collector-emitter voltage: 100V |
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MJD112G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN |
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MJD112G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD112G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD112G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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| MJD112G |
транзистор npn DPAK |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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MJD112G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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