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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
MUN 5114T1MOTSOT23
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN 5215T1MOTSOT23
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN12AD01-SGDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 6V 1A 6-Pin DFN T/R
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MUN12AD01-SGDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
5+ 5.98 EUR
10+ 5.91 EUR
25+ 5.74 EUR
50+ 5.54 EUR
100+ 5.39 EUR
250+ 5.21 EUR
MUN12AD01-SGDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 6-LDFN Module
Size / Dimension: 0.15" L x 0.10" W x 0.06" H (3.9mm x 2.6mm x 1.6mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (3.9x2.6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 6V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 24765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MUN12AD01-SGDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 6-LDFN Module
Size / Dimension: 0.15" L x 0.10" W x 0.06" H (3.9mm x 2.6mm x 1.6mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (3.9x2.6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 6V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN12AD01-SG EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN12AD01-SG
Produkt ist nicht verfügbar
MUN12AD01-SG EVBDelta Electronics/CyntecDescription: MUN12AD01-SG EVAL BOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: Adjustable
Voltage - Input: 4.5V ~ 16V
Current - Output: 1A
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MUN12AD01-SG
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.82 EUR
5+ 92.1 EUR
10+ 91.38 EUR
MUN12AD01-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 19408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN12AD01-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN12AD01-SHDelta Electronics Inc.MUN12AD01-SH
Produkt ist nicht verfügbar
MUN12AD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.06" H (3.0mm x 2.8mm x 1.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5.5V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 43868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUN12AD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.06" H (3.0mm x 2.8mm x 1.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5.5V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+8.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN12AD03-SECDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 5.5V 3A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN12AD03-SECDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 9344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
5+ 9.7 EUR
10+ 9.54 EUR
25+ 9.26 EUR
50+ 8.99 EUR
100+ 8.71 EUR
250+ 8.43 EUR
MUN12AD03-SECDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-5.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 5.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 56895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.73 EUR
5+ 9.59 EUR
10+ 9.45 EUR
25+ 9.17 EUR
50+ 8.9 EUR
100+ 8.62 EUR
250+ 8.34 EUR
500+ 7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MUN12AD03-SECDelta ElectronicsModule DC-DC 1-OUT 0.8V to 5.5V 3A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN12AD03-SECDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-5.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 5.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN12AD03-SEC EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN12AD03-SEC
Produkt ist nicht verfügbar
MUN12AD03-SEC EVBDelta Electronics/CyntecDescription: MUN12AD03-SEC EVAL BOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: 1V ~ 5V
Voltage - Input: 4.5V ~ 17V
Current - Output: 3A
Frequency - Switching: 1MHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MUN12AD03-SEC
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.59 EUR
5+ 90.87 EUR
10+ 90.15 EUR
MUN12AD03-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 30204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUN12AD03-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN12AD03-SMDelta Electronics Inc.MUN12AD03-SM
Produkt ist nicht verfügbar
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1.9-5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 20-BQFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 20-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1.9 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 4642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.86 EUR
5+ 10.7 EUR
10+ 10.55 EUR
25+ 10.24 EUR
50+ 9.92 EUR
100+ 9.62 EUR
250+ 9.3 EUR
500+ 8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 1.9V to 5V 5A SMD 21-Pin QFN T/
Produkt ist nicht verfügbar
MUN12AD05-SMFHDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 5A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.91 EUR
5+ 10.77 EUR
10+ 10.61 EUR
25+ 10.3 EUR
50+ 9.98 EUR
100+ 9.68 EUR
250+ 9.36 EUR
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1.9-5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 20-BQFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 20-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1.9 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN12AD05-SMFLDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-1.8V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Produkt ist nicht verfügbar
MUN12AD05-SMFLDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 5A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.18 EUR
5+ 11.02 EUR
10+ 10.88 EUR
25+ 10.54 EUR
50+ 10.23 EUR
100+ 9.91 EUR
250+ 9.59 EUR
MUN12AD05-SMFLDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-1.8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.23 EUR
5+ 11.06 EUR
10+ 10.9 EUR
25+ 10.58 EUR
50+ 10.26 EUR
100+ 9.94 EUR
250+ 9.62 EUR
500+ 8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MUN12AD06-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.6V to 15V 6A 25-Pin QFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN12AD06-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, SCP
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 24V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 6A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 6V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+7.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MUN12AD06-SMDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 6A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.49 EUR
5+ 10.35 EUR
10+ 10.19 EUR
25+ 9.91 EUR
50+ 9.61 EUR
100+ 9.29 EUR
250+ 9.01 EUR
MUN12AD06-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, SCP
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 24V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 6A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 6V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 21493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUN20AD03-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.6V to 5.5V 3A 25-Pin QFN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2110LT1
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2110LT1(6L*)
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2111ON06+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111LT1G
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
auf Bestellung 143230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2111T1ON99+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2111T1ONSOT23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 143230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2111T1(6A)
auf Bestellung 53625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T1(6A*)
auf Bestellung 462000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 29920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.26 EUR
23+ 0.12 EUR
100+ 0.062 EUR
1000+ 0.053 EUR
3000+ 0.044 EUR
9000+ 0.033 EUR
24000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MUN2111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 11729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
88+ 0.2 EUR
164+ 0.11 EUR
500+ 0.085 EUR
1000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1001846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+ 0.046 EUR
9000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2111T1G/6A
auf Bestellung 45300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2111T3ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T3 - MUN2111T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2111T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
MUN2111T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2111T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2112onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
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MUN2112T
auf Bestellung 2500 Stücke:
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MUN2112/6BON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
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MUN2112LT1
auf Bestellung 226500 Stücke:
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MUN2112LT1(6B*)
auf Bestellung 226500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2112LT1/A6B
auf Bestellung 800000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2112LT1G
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2112T1MOTOROLA04+ SOT23
auf Bestellung 6100 Stücke:
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MUN2112T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5770+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5770
MUN2112T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2112T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2112T1(6B*)
auf Bestellung 182980 Stücke:
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MUN2112T1/6BMOTO
auf Bestellung 335600 Stücke:
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MUN2112T1G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
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MUN2112T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP
auf Bestellung 122134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.31 EUR
16+ 0.19 EUR
100+ 0.084 EUR
1000+ 0.063 EUR
3000+ 0.035 EUR
9000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
auf Bestellung 271889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2112T3onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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MUN2112T3MOT
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2112\6BONSOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2113ON06+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113-TXMOTOROLA09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113LT1
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113LT1(6C*)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113LT1G
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113T
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 108500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2113T1
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2113T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
auf Bestellung 108500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2113T1(6C*)
auf Bestellung 38835 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2113T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 138344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
95+ 0.19 EUR
175+ 0.1 EUR
500+ 0.079 EUR
1000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2113T1GON08+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.045 EUR
6000+ 0.043 EUR
9000+ 0.037 EUR
30000+ 0.034 EUR
75000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 23980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5525+0.027 EUR
7247+ 0.02 EUR
9616+ 0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 5525
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 23980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1551+0.098 EUR
2494+ 0.058 EUR
5525+ 0.025 EUR
7247+ 0.019 EUR
9616+ 0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 1551
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2113T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 17206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.25 EUR
19+ 0.15 EUR
100+ 0.069 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.039 EUR
9000+ 0.03 EUR
24000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 12
MUN2113T3
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2113XLT1
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2114MOTOROLA
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114-T1
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114LT1
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2114T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2114T1OnsemiSOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2114T1(6D)
auf Bestellung 3425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114T1(6D*)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2114T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 10310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.26 EUR
16+ 0.18 EUR
100+ 0.079 EUR
1000+ 0.048 EUR
3000+ 0.039 EUR
9000+ 0.037 EUR
24000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MUN2114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2114T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 530511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
97+ 0.18 EUR
178+ 0.099 EUR
500+ 0.078 EUR
1000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN2115LT1(6E)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2115T1
auf Bestellung 231000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2115T1(6E)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2115T1/6EMALAYSIA
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2115T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2115T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
auf Bestellung 482700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN2115T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 11899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.26 EUR
17+ 0.17 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.056 EUR
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24000+ 0.03 EUR
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MUN2115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2116T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2116T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2117LT1
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MUN2117LT1(6H*)
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MUN211ET1(6N)
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MUN211T1
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MUN2130T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2130T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2130T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2130T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2130T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2130T1G
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MUN2130T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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9+0.33 EUR
13+ 0.23 EUR
100+ 0.14 EUR
1000+ 0.067 EUR
3000+ 0.058 EUR
9000+ 0.046 EUR
24000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 9
MUN2131T1
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MUN2131T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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7+0.45 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.19 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
3000+ 0.067 EUR
9000+ 0.056 EUR
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MUN2131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2131T1G
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MUN2132onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2132LT1
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MUN2132T1ONS0426+
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MUN2132T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN2132T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2132T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2132T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2132T1(6J)
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MUN2132T1GonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
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MUN2132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2132T1G
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MUN2132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2132T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
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MUN2132T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
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9+0.34 EUR
13+ 0.23 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.067 EUR
3000+ 0.058 EUR
9000+ 0.04 EUR
24000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 9
MUN2132T3
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MUN2132T3(6J)
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MUN2133onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2133LT1
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MUN2133LT1G
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MUN2133T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2133T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2133T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN2133T1
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MUN2133T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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15000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN2133T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN2133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN2133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN2133T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN2133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2133T1GON
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MUN2134T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2134T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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9+0.34 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.25 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.055 EUR
9000+ 0.04 EUR
24000+ 0.039 EUR
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MUN2134T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2134T1GON
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MUN2135T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2135T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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MUN2135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2136T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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8+0.4 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.17 EUR
500+ 0.12 EUR
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MUN2136T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2137T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2137T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 693000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2137T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2137T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2137T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 2979 Stücke:
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9+0.34 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.093 EUR
3000+ 0.055 EUR
9000+ 0.04 EUR
24000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 9
MUN2138T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2138T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 27000 Stücke:
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MUN2138T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2140T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.23W SC59
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN2140T1GonsemiDigital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.34 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.093 EUR
3000+ 0.055 EUR
9000+ 0.04 EUR
24000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 9
MUN2140T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2141T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
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MUN2141T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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10+0.3 EUR
11+ 0.28 EUR
100+ 0.15 EUR
500+ 0.095 EUR
1000+ 0.065 EUR
3000+ 0.048 EUR
9000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MUN2141T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2210
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MUN2211onsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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MUN2211MOTSOT-23
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MUN2211MOT
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
mun2211jt1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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MUN2211JT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211JT1 - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
mun2211jt1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
mun2211jt1
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2211JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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MUN2211JT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2211JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 222000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211JT1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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MUN2211JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 222000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2211LT1G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2211T1ON04+ SOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2211T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 96997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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MUN2211T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 96997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5323+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
MUN2211T1ONSOT23
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2211T1/8A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2211T1BONSOT23/SOT323
auf Bestellung 4524 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.039 EUR
9000+ 0.029 EUR
24000+ 0.024 EUR
48000+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
MUN2211T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 36591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.26 EUR
18+ 0.16 EUR
100+ 0.079 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.035 EUR
48000+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 149443 Stücke:
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MUN2211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.045 EUR
6000+ 0.042 EUR
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30000+ 0.033 EUR
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MUN2211T1G
Produktcode: 103955		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 698282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.039 EUR
9000+ 0.029 EUR
24000+ 0.024 EUR
48000+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
MUN2211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1500+0.048 EUR
2000+ 0.036 EUR
2275+ 0.032 EUR
2625+ 0.027 EUR
2750+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
742+0.2 EUR
1120+ 0.13 EUR
1133+ 0.12 EUR
2193+ 0.062 EUR
2223+ 0.058 EUR
2253+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 742
MUN2211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 41047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
97+ 0.18 EUR
178+ 0.099 EUR
500+ 0.078 EUR
1000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN2211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.048 EUR
2000+ 0.036 EUR
2275+ 0.032 EUR
2625+ 0.027 EUR
2750+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
MUN2211T1G 8A...ON-SemicoductorTransistor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Substitute: MUN2211T3G; MUN2211T1G ONSemiconductors TMUN2211
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MUN2211T1G 8A...ON-SemicoductorTransistor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Substitute: MUN2211T3G; MUN2211T1G ONSemiconductors TMUN2211
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MUN2211T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T3 - MUN2211T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 28261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
97+ 0.18 EUR
178+ 0.099 EUR
500+ 0.078 EUR
1000+ 0.054 EUR
2000+ 0.045 EUR
5000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.038 EUR
30000+ 0.033 EUR
60000+ 0.03 EUR
90000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
MUN2211T3G
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
MUN2211T3GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 88340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T3GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 26712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.21 EUR
22+ 0.13 EUR
100+ 0.079 EUR
1000+ 0.046 EUR
2500+ 0.04 EUR
10000+ 0.03 EUR
20000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
MUN2211T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2212MOTO
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212MOTSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212LT1G
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1MOTOROLA09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2212T1ONSOT23-8B
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5323+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
MUN2212T1ONSOT23
auf Bestellung 5460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2212T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 22kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN
auf Bestellung 15636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
11+ 0.28 EUR
100+ 0.15 EUR
500+ 0.095 EUR
1000+ 0.065 EUR
3000+ 0.048 EUR
9000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 28650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
86+ 0.21 EUR
159+ 0.11 EUR
500+ 0.087 EUR
1000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 11831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.05 EUR
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9000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2212T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 22kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
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25+2.86 EUR
100+ 0.72 EUR
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1065+ 0.067 EUR
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MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2212T1SOT23-8BON
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MUN2212T3Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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MUN2212XLT1
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MUN2213ON07+ SOT-23
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MUN2213onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
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MUN2213/8CON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213JT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2213JT1
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2213JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2213JT1G - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2213JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2213LT1
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MUN2213LT1G
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213T1ON07+;
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2213T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2213T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2213T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2213T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 545350 Stücke:
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11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2213T1ON00+ SOT-23
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MUN2213T1ONSOT23
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MUN2213T1/8C
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MUN2213T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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9+0.33 EUR
13+ 0.22 EUR
100+ 0.092 EUR
1000+ 0.063 EUR
3000+ 0.051 EUR
9000+ 0.04 EUR
24000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 9
MUN2213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.055 EUR
6000+ 0.052 EUR
9000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1610 Stücke:
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500+0.14 EUR
610+ 0.12 EUR
710+ 0.1 EUR
1049+ 0.068 EUR
1507+ 0.047 EUR
1610+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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2084+0.073 EUR
2110+ 0.069 EUR
3650+ 0.038 EUR
4311+ 0.031 EUR
6000+ 0.027 EUR
15000+ 0.024 EUR
30000+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2084
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 39202 Stücke:
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684+0.22 EUR
994+ 0.15 EUR
1005+ 0.14 EUR
2062+ 0.065 EUR
2084+ 0.062 EUR
2110+ 0.059 EUR
3650+ 0.033 EUR
4311+ 0.028 EUR
6000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 684
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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1279+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1279
MUN2213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.14 EUR
610+ 0.12 EUR
710+ 0.1 EUR
1049+ 0.068 EUR
1507+ 0.047 EUR
1610+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MUN2213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 12252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
79+ 0.23 EUR
145+ 0.12 EUR
500+ 0.096 EUR
1000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 56
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 1821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6536+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 6536
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214
auf Bestellung 700 Stücke:
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MUN2214LT1
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2214T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2214T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2214T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2214T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2214T1FON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 10460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
86+ 0.21 EUR
159+ 0.11 EUR
500+ 0.087 EUR
1000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MUN2214T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 44461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
640+0.24 EUR
675+ 0.22 EUR
682+ 0.21 EUR
1178+ 0.11 EUR
1913+ 0.065 EUR
2748+ 0.043 EUR
3379+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 640
MUN2214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2214T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
auf Bestellung 22048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.26 EUR
16+ 0.18 EUR
100+ 0.086 EUR
1000+ 0.051 EUR
3000+ 0.044 EUR
9000+ 0.033 EUR
24000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MUN2214T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+ 0.047 EUR
9000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2214T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
auf Bestellung 14485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 44461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1188+0.13 EUR
1913+ 0.076 EUR
2748+ 0.051 EUR
3379+ 0.04 EUR
6000+ 0.038 EUR
15000+ 0.029 EUR
30000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1188
MUN2214T3
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2214T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2214T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2214T3GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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MUN2214T3GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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MUN2215LT1
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MUN2215LT1G
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MUN2215T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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MUN2215T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2215T1 - MUN2215T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2215T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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MUN2215T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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53+0.33 EUR
79+ 0.23 EUR
160+ 0.11 EUR
500+ 0.092 EUR
1000+ 0.064 EUR
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MUN2215T1G
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MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2215T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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3000+0.056 EUR
6000+ 0.052 EUR
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MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2215T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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3000+ 0.055 EUR
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24000+ 0.039 EUR
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MUN2215ZT1
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MUN2215ZT1(ON)
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MUN2215ZT1.
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MUN2216onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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MUN2216
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MUN2216-(TX)
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MUN2216LT1GON10+ SOT-23
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MUN2216T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
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MUN2216T1ON09+
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MUN2216T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2216T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2216T1ON08+ SOT-23
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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24000+ 0.037 EUR
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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1467+ 0.096 EUR
2440+ 0.055 EUR
3000+ 0.049 EUR
9000+ 0.037 EUR
24000+ 0.032 EUR
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MUN2216T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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8+0.38 EUR
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1000+ 0.09 EUR
3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.058 EUR
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MUN2216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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53+0.33 EUR
79+ 0.23 EUR
160+ 0.11 EUR
500+ 0.092 EUR
1000+ 0.064 EUR
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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9000+ 0.041 EUR
24000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1467
MUN2216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
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3000+0.056 EUR
6000+ 0.052 EUR
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30000+ 0.042 EUR
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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3000+0.059 EUR
6000+ 0.057 EUR
9000+ 0.044 EUR
15000+ 0.042 EUR
24000+ 0.037 EUR
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MUN2216T1G
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MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN221JT1
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MUN2230
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MUN2230T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
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10606+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 10606
MUN2230T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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7+0.45 EUR
10+ 0.37 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.088 EUR
3000+ 0.069 EUR
9000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MUN2230T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
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MUN2230T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2231T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 93000 Stücke:
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11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2231T1
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2231T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2231T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2231T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2231T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+ 0.047 EUR
9000+ 0.04 EUR
30000+ 0.037 EUR
75000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2231T1GON
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2231T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 8466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
11+ 0.28 EUR
100+ 0.15 EUR
500+ 0.095 EUR
3000+ 0.083 EUR
9000+ 0.044 EUR
24000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MUN2231T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2231T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2231T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 264000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2231T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2231T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
86+ 0.21 EUR
159+ 0.11 EUR
500+ 0.087 EUR
1000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MUN2232onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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MUN2232LT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2232LT1G
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2232T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2232T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2232T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2232T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2232T1/8JMOTO
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2232T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.32 EUR
10+ 0.29 EUR
100+ 0.16 EUR
500+ 0.099 EUR
1000+ 0.069 EUR
3000+ 0.049 EUR
9000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 9
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2232T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.045 EUR
6000+ 0.043 EUR
9000+ 0.037 EUR
30000+ 0.034 EUR
75000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2232T1G
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2232T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
95+ 0.19 EUR
175+ 0.1 EUR
500+ 0.079 EUR
1000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN2233MOTOROLA04+ SOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2233onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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MUN2233LT1G
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2233RT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2233T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2233T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2233T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN2233T1
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 175529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4927+0.031 EUR
6000+ 0.029 EUR
9000+ 0.027 EUR
15000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 4927
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 100959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
97+ 0.18 EUR
178+ 0.099 EUR
500+ 0.078 EUR
1000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 67
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
MUN2233T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1140+0.063 EUR
1640+ 0.043 EUR
1740+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1140
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.045 EUR
6000+ 0.042 EUR
9000+ 0.036 EUR
30000+ 0.033 EUR
75000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4588+0.033 EUR
6000+ 0.031 EUR
9000+ 0.029 EUR
15000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 4588
MUN2233T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1140+0.063 EUR
1640+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1140
MUN2233T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 17333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.21 EUR
20+ 0.14 EUR
100+ 0.074 EUR
1000+ 0.048 EUR
3000+ 0.039 EUR
9000+ 0.035 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2234T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2234T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2234T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2234T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10969+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 10969
MUN2234T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 17485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN2234T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
440+0.34 EUR
539+ 0.27 EUR
1029+ 0.14 EUR
1573+ 0.086 EUR
2337+ 0.055 EUR
3040+ 0.041 EUR
9000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 440
MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2234T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1029+0.15 EUR
1573+ 0.093 EUR
2337+ 0.06 EUR
3040+ 0.044 EUR
9000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1029
MUN2235onsemionsemi NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5848+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 5848
MUN2235T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 128829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
69+ 0.26 EUR
125+ 0.14 EUR
500+ 0.087 EUR
1000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2235T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 13995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.28 EUR
14+ 0.21 EUR
100+ 0.088 EUR
1000+ 0.053 EUR
3000+ 0.044 EUR
9000+ 0.033 EUR
24000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MUN2235T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.051 EUR
6000+ 0.046 EUR
15000+ 0.04 EUR
30000+ 0.036 EUR
75000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 27000
MUN2235T1GSanyoDescription: DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2236onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2236T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2236T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2236T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2236T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2236T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2236T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
auf Bestellung 306000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10606+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 10606
MUN2236T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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MUN2236T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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7+0.43 EUR
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24000+ 0.051 EUR
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MUN2236T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2236T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN2236T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2237T1ONSOT23
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MUN2237T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2237T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 920995 Stücke:
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MUN2237T1ON04+
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2237T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
auf Bestellung 920995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN2237T1ONSOT23-8P
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MUN2237T1 SOT23-8PON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2237T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 389700 Stücke:
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11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2237T1G
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MUN2237T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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MUN2237T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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MUN2237T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2237T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2237T1SOT23-
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MUN2237T1SOT23-BPON
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MUN2238T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
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MUN2238T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2238T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
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MUN2240T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2240T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1415500 Stücke:
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MUN2240T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 1415500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2240T1ON07+;
auf Bestellung 8550 Stücke:
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MUN2240T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 319000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2240T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2240T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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MUN2240T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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7+0.45 EUR
10+ 0.37 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.088 EUR
3000+ 0.069 EUR
9000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MUN2240T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
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MUN2240T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2241T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN2241T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
auf Bestellung 80975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2241T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2241T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 80975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2241T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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MUN2241T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.34 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.25 EUR
1000+ 0.067 EUR
3000+ 0.055 EUR
9000+ 0.04 EUR
24000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 9
MUN2241T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
MUN2241T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2241T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
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MUN24AD01-SHDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 2V to 8.5V 1A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN24AD03-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 5-12V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 34V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 8V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.01 EUR
5+ 9.87 EUR
10+ 9.73 EUR
25+ 9.44 EUR
50+ 9.16 EUR
100+ 8.87 EUR
250+ 8.59 EUR
500+ 8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MUN24AD03-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 3V to 12V 3A 25-Pin QFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN24AD03-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 5-12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 34V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 8V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3C1BR6-EBDelta Electronics Inc.MUN3C1BR6-EB
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3C1BR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.2V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3C1BR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.2V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.75 EUR
5+ 4.69 EUR
10+ 4.62 EUR
25+ 4.49 EUR
50+ 4.35 EUR
100+ 4.22 EUR
250+ 4.08 EUR
500+ 3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN3C1BR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.2Vout inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.42 EUR
5+ 4.35 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 4.15 EUR
50+ 4.05 EUR
100+ 3.91 EUR
250+ 3.78 EUR
MUN3C1DR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.35V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3C1DR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.35Vout inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.42 EUR
5+ 4.36 EUR
10+ 4.31 EUR
25+ 4.17 EUR
50+ 4.05 EUR
100+ 3.92 EUR
250+ 3.8 EUR
MUN3C1DR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.35V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.75 EUR
5+ 4.69 EUR
10+ 4.62 EUR
25+ 4.49 EUR
50+ 4.35 EUR
100+ 4.22 EUR
250+ 4.08 EUR
500+ 3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN3C1ER6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.5Vout inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.42 EUR
5+ 4.36 EUR
10+ 4.31 EUR
25+ 4.17 EUR
50+ 4.05 EUR
100+ 3.92 EUR
250+ 3.8 EUR
MUN3C1ER6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.75 EUR
5+ 4.69 EUR
10+ 4.62 EUR
25+ 4.49 EUR
50+ 4.35 EUR
100+ 4.22 EUR
250+ 4.08 EUR
500+ 3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN3C1ER6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3C1HR6-EBDelta Electronics Inc.MUN3C1HR6-EB
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3C1HR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.75 EUR
5+ 4.69 EUR
10+ 4.62 EUR
25+ 4.49 EUR
50+ 4.35 EUR
100+ 4.22 EUR
250+ 4.08 EUR
500+ 3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN3C1HR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.8Vout inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 1714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.42 EUR
5+ 4.36 EUR
10+ 4.31 EUR
25+ 4.17 EUR
50+ 4.05 EUR
100+ 3.92 EUR
250+ 3.8 EUR
MUN3C1HR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3CAD01-EEDelta Electronics Inc.MUN3CAD01-EE
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD01-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.42 EUR
5+ 4.35 EUR
10+ 4.29 EUR
25+ 4.15 EUR
50+ 4.05 EUR
100+ 3.91 EUR
250+ 3.78 EUR
MUN3CAD01-SBDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-PowerTFQFN Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (2.5x2)
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 13959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.45 EUR
5+ 4.39 EUR
10+ 4.33 EUR
25+ 4.2 EUR
50+ 4.07 EUR
100+ 3.95 EUR
250+ 3.82 EUR
500+ 3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MUN3CAD01-SBDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 1A 8-Pin QFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD01-SBDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-PowerTFQFN Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (2.5x2)
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3CAD01-SBCyntec CoModule DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 1A 8-Pin QFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD01-SB EVBDelta Electronics/CyntecDescription: MUN3CAD01-SB EVAL BOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.8V
Voltage - Input: 2.5V ~ 5.5V
Current - Output: 1.2A
Frequency - Switching: 3MHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MUN3CAD01-SB
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.59 EUR
5+ 90.87 EUR
10+ 90.15 EUR
MUN3CAD01-SB EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN3CAD01-SB
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD01-SCDelta Electronics Inc.MUN3CAD01-SC
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD01-SCDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 6-TDFN Module
Size / Dimension: 0.11" L x 0.09" W x 0.04" H (2.9mm x 2.3mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (2.9x2.3)
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 24438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.09 EUR
5+ 6.01 EUR
10+ 5.92 EUR
25+ 5.74 EUR
50+ 5.57 EUR
100+ 5.4 EUR
250+ 5.22 EUR
500+ 4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUN3CAD01-SCDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 2288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
5+ 5.98 EUR
10+ 5.91 EUR
25+ 5.74 EUR
50+ 5.54 EUR
100+ 5.39 EUR
250+ 5.21 EUR
MUN3CAD01-SCDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 6-TDFN Module
Size / Dimension: 0.11" L x 0.09" W x 0.04" H (2.9mm x 2.3mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (2.9x2.3)
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3CAD03-SEDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 4233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
5+ 5.97 EUR
10+ 5.9 EUR
25+ 5.72 EUR
50+ 5.54 EUR
100+ 5.37 EUR
250+ 5.21 EUR
MUN3CAD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: 3A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC-D
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerLDFN Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 9-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 10603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6 EUR
5+ 5.92 EUR
10+ 5.84 EUR
25+ 5.67 EUR
50+ 5.5 EUR
100+ 5.32 EUR
250+ 5.15 EUR
500+ 4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUN3CAD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: 3A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC-D
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerLDFN Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 9-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3CAD03-SE EVBDelta Electronics/CyntecDescription: MUN3CAD03-SE EVAL BOARD
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.6V ~ 3.3V
Voltage - Input: 2.75V ~ 5.5V
Current - Output: 3A
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MUN3CAD03-SE
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.59 EUR
5+ 90.87 EUR
10+ 90.15 EUR
MUN3CAD03-SE EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN3CAD03-SE
Produkt ist nicht verfügbar
MUN3CAD03-SFDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
5+ 4.96 EUR
10+ 4.88 EUR
25+ 4.73 EUR
50+ 4.59 EUR
100+ 4.45 EUR
250+ 4.31 EUR
MUN3CAD03-SFDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-3.3V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 10-LFQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.05" H (3.0mm x 3.0mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 10-QFN (3x3)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 193987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN3CAD03-SFDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-3.3V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 10-LFQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.05" H (3.0mm x 3.0mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 10-QFN (3x3)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Number of Outputs: 1
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
MUN3CADR6-ECDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 0.6A 6-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5111DW1T1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5111DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 58315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5111DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
auf Bestellung 31545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+ 0.35 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.069 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN5111DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+0.12 EUR
1050+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 575
MUN5111DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 16896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
49+ 0.36 EUR
101+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 34
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
9000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5111DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
575+0.12 EUR
1050+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 575
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5111DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
auf Bestellung 26350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN5111DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
6000+ 0.082 EUR
9000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5111DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5111DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 58315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
9000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5111RT1
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5111T1ON07+;
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+ 0.047 EUR
9000+ 0.04 EUR
30000+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 22265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
660+0.23 EUR
910+ 0.16 EUR
920+ 0.15 EUR
2033+ 0.066 EUR
2058+ 0.063 EUR
2080+ 0.06 EUR
3268+ 0.036 EUR
5953+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 660
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6290+0.024 EUR
6370+ 0.023 EUR
12000+ 0.022 EUR
18000+ 0.021 EUR
24000+ 0.02 EUR
30000+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 6290
MUN5111T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.202W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5111T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
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11+0.28 EUR
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100+ 0.084 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
MUN5111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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63+0.28 EUR
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MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5111T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
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MUN5111T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.202W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
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MUN5112onsemionsemi SS SC70 BR XSTR PNP 50V
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MUN5112DW1onsemi SS SC88 BR XSTR PNP 50V
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MUN5112DW1T1
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MUN5112DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
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MUN5112DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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3000+0.062 EUR
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MUN5112DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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339+0.45 EUR
500+ 0.29 EUR
1241+ 0.11 EUR
1806+ 0.075 EUR
3059+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 339
MUN5112DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MUN5112DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5112DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
410+0.17 EUR
765+ 0.094 EUR
1000+ 0.072 EUR
1055+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 410
MUN5112DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
410+0.17 EUR
765+ 0.094 EUR
1000+ 0.072 EUR
1055+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 410
MUN5112DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5112DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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34+0.53 EUR
50+ 0.36 EUR
101+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 34
MUN5112DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
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6+0.52 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.15 EUR
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3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN5112T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 774000 Stücke:
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MUN5112T1
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MUN5112T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
Packaging: Bulk
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6662+0.08 EUR
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MUN5112T1/6BMOTO
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MUN5112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+ 0.045 EUR
9000+ 0.039 EUR
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MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5112T1G
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MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3847+0.039 EUR
6000+ 0.038 EUR
9000+ 0.028 EUR
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MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5112T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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11+0.28 EUR
15+ 0.19 EUR
100+ 0.083 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.037 EUR
24000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MUN5112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 13240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
90+ 0.2 EUR
166+ 0.11 EUR
500+ 0.084 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5112T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 467900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1043+0.15 EUR
1075+ 0.14 EUR
1108+ 0.13 EUR
3000+ 0.12 EUR
6000+ 0.11 EUR
15000+ 0.1 EUR
30000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 1043
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
677+0.22 EUR
975+ 0.15 EUR
986+ 0.14 EUR
1014+ 0.13 EUR
1043+ 0.12 EUR
1108+ 0.11 EUR
3000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 677
MUN5113MOTSOT-323
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5113DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7788+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7788
MUN5113DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5113DW1T1 - MUN5113DW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5113DW1T1
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.069 EUR
9000+ 0.055 EUR
24000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5113DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 5067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.081 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN5113DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
110+0.64 EUR
395+ 0.19 EUR
1085+ 0.066 EUR
12000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 110
MUN5113DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 110
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1128+0.13 EUR
1527+ 0.095 EUR
1985+ 0.071 EUR
3000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1128
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+ 0.08 EUR
9000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.4 EUR
64+ 0.28 EUR
130+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 44
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
50+ 0.35 EUR
103+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 35
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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MUN5113T1ONSOT323
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MUN5113T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5113T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5113T1ON09+
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MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5113T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
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MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5113T1GON Semiconductor
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MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5113T1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5113T1GON09+
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MUN5113T3ON0403+
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MUN5113T3ON0403+ SOT23-5
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MUN5113T3GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5113T3G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MUN5113T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5113T3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5113T3GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5113T3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5113T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5114
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MUN5114DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5114DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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5323+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
MUN5114DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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MUN5114DW1T1
auf Bestellung 60000 Stücke:
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MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5114DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13559 Stücke:
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MUN5114DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5114DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
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6+0.51 EUR
10+ 0.34 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.099 EUR
3000+ 0.081 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN5114DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
135+0.53 EUR
405+ 0.17 EUR
1110+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 135
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5114DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1308+0.12 EUR
1320+ 0.11 EUR
1376+ 0.1 EUR
2029+ 0.067 EUR
3000+ 0.053 EUR
6000+ 0.045 EUR
15000+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 1308
MUN5114DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 135
MUN5114DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 366379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5114DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 10161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
49+ 0.36 EUR
101+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 34
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.4 EUR
559+ 0.26 EUR
565+ 0.25 EUR
1308+ 0.1 EUR
1320+ 0.098 EUR
1376+ 0.09 EUR
2029+ 0.059 EUR
3000+ 0.049 EUR
6000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 376
MUN5114RT1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5114T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5114T1ON2001
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5114T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 16161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.28 EUR
16+ 0.18 EUR
100+ 0.079 EUR
1000+ 0.06 EUR
3000+ 0.046 EUR
9000+ 0.039 EUR
24000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+ 0.047 EUR
9000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5114T1GON07+;
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3892+0.039 EUR
6000+ 0.037 EUR
9000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3892
MUN5114T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5114T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 238161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 14900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
88+ 0.2 EUR
162+ 0.11 EUR
500+ 0.086 EUR
1000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5114T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MUN5115D
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MUN5115DW
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MUN5115DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5115DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
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MUN5115DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; 10kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
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MUN5115DW1T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
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MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5115T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5115T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5115T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5115T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5115T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
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MUN5115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5115T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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MUN5115T1G
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MUN5115T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5115T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MUN5115T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
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MUN5115T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5116DW1T1MOT
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MUN5116DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5116DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5116DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5116DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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Mindestbestellmenge: 360
MUN5116DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5116DW1T1GON
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5116DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MUN5116RT1
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MUN5116T1
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MUN5116T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5116T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5116T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 120000 Stücke:
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MUN5116T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5116T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5116T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5117T1
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MUN5130DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
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31+0.58 EUR
37+ 0.48 EUR
100+ 0.26 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 31
MUN5130DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5130DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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6+0.54 EUR
10+ 0.37 EUR
100+ 0.18 EUR
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3000+ 0.081 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN5130DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.1 EUR
6000+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5130T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
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MUN5130T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5130T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5130T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5130T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5131DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN5131DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5131DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5131DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5131DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 8749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+ 0.37 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.097 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN5131DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5131DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5131DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
780+0.092 EUR
1045+ 0.069 EUR
3000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 780
MUN5131DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
780+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 780
MUN5131T1
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5131T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5131T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 25683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.23 EUR
18+ 0.16 EUR
100+ 0.072 EUR
1000+ 0.053 EUR
3000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5131T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
auf Bestellung 213000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 23498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4465+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 4465
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 23498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4465+0.034 EUR
6452+ 0.023 EUR
10753+ 0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 4465
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5131T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5131T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MUN5132DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5132DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
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MUN5132DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
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MUN5132RT1
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MUN5132T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5132T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5132T1
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MUN5132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5132T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5132T1G
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MUN5132T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5132T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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828+0.18 EUR
1227+ 0.12 EUR
1240+ 0.11 EUR
1354+ 0.1 EUR
1491+ 0.087 EUR
1659+ 0.075 EUR
1870+ 0.064 EUR
3000+ 0.056 EUR
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MUN5132T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 2317 Stücke:
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6+0.51 EUR
10+ 0.34 EUR
100+ 0.14 EUR
1000+ 0.099 EUR
3000+ 0.079 EUR
9000+ 0.063 EUR
24000+ 0.06 EUR
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MUN5132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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1354+0.11 EUR
1491+ 0.098 EUR
1659+ 0.085 EUR
1870+ 0.072 EUR
3000+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 1354
MUN5133onsemionsemi SS SC70 BR XSTR PNP 50V
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MUN5133DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
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MUN5133DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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MUN5133DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2885+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2885
MUN5133DW1T1
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MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5133DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+ 0.08 EUR
9000+ 0.066 EUR
30000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.47 EUR
422+ 0.35 EUR
451+ 0.31 EUR
866+ 0.16 EUR
875+ 0.15 EUR
1006+ 0.12 EUR
1637+ 0.073 EUR
3000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 324
MUN5133DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 4.7kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
350+0.2 EUR
380+ 0.19 EUR
500+ 0.14 EUR
1045+ 0.069 EUR
3000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 350
MUN5133DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 4.7kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 17533 Stücke:
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2294+0.066 EUR
6000+ 0.053 EUR
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MUN5133DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 4756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.43 EUR
10+ 0.29 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.081 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5133DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48069 Stücke:
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MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5133DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 60302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
50+ 0.35 EUR
103+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 35
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 17533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2294+0.066 EUR
6000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 2294
MUN5133RT1
auf Bestellung 1269000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5133T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5133T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN5133T1
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5133T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 42600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
655+0.23 EUR
656+ 0.22 EUR
1000+ 0.21 EUR
6000+ 0.2 EUR
15000+ 0.19 EUR
30000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 655
MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5133T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.32 EUR
10+ 0.29 EUR
100+ 0.15 EUR
500+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
668+0.23 EUR
882+ 0.17 EUR
890+ 0.16 EUR
959+ 0.14 EUR
1598+ 0.081 EUR
2088+ 0.059 EUR
2218+ 0.054 EUR
3691+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 668
MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
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MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5133T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2088+0.072 EUR
2218+ 0.066 EUR
3691+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 2088
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4185+0.036 EUR
6000+ 0.035 EUR
9000+ 0.031 EUR
24000+ 0.026 EUR
30000+ 0.025 EUR
45000+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4185
MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
auf Bestellung 15259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
60+ 0.3 EUR
110+ 0.16 EUR
500+ 0.099 EUR
1000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 56
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 42600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+0.23 EUR
652+ 0.22 EUR
654+ 0.21 EUR
655+ 0.2 EUR
656+ 0.19 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 650
MUN5133T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4202+0.036 EUR
6000+ 0.034 EUR
9000+ 0.031 EUR
24000+ 0.026 EUR
30000+ 0.025 EUR
45000+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4202
MUN5134DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN5134DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5134DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5134T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5134T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135DW1T1
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5135DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135DW1T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3049+0.05 EUR
6000+ 0.043 EUR
18000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3049
MUN5135DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.084 EUR
6000+ 0.076 EUR
9000+ 0.071 EUR
15000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5135DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2778+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 2778
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5135DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 6526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
10+ 0.29 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.063 EUR
9000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 23014 Stücke:
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44+0.4 EUR
70+ 0.25 EUR
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500+ 0.11 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44
MUN5135DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3049+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3049
MUN5135DW1T1G (SOT363, ON) 2хТранзистора
Produktcode: 153435		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-363
U, V: 50 V
U, V: 50 V
I, А: 0,1 A
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5135T1
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 137 Stücke:
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MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5135T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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4185+0.036 EUR
9000+ 0.029 EUR
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MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5135T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
88+ 0.2 EUR
162+ 0.11 EUR
500+ 0.086 EUR
1000+ 0.059 EUR
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MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 31000 Stücke:
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MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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4202+0.036 EUR
9000+ 0.029 EUR
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MUN5135T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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11+0.26 EUR
16+ 0.19 EUR
100+ 0.077 EUR
1000+ 0.051 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.035 EUR
45000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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27000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 27000
MUN5135T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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3000+0.049 EUR
6000+ 0.047 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
MUN5136DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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MUN5136DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5136DW1T1GonsemiDigital Transistors Dual Bias Resistor Transistor
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6+0.54 EUR
100+ 0.34 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.13 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.062 EUR
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MUN5136DW1T1GonsemiDescription: MUN5136 - DUAL BIAS RESISTOR TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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MUN5136DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MUN5136T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5136T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5136T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5136T1ONSOT-323 01+
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MUN5136T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5136T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5136T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5136T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5136T1GonsemiDigital Transistors SS SC70 BR XSTR PNP 50V
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11+0.27 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.053 EUR
3000+ 0.044 EUR
9000+ 0.037 EUR
24000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MUN5137DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5137DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5137DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5137DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5137DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5137DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
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6+0.52 EUR
10+ 0.51 EUR
100+ 0.43 EUR
1000+ 0.24 EUR
3000+ 0.09 EUR
9000+ 0.072 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN5137T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5137T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5137T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
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MUN5137T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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10+0.29 EUR
11+ 0.27 EUR
100+ 0.26 EUR
1000+ 0.056 EUR
3000+ 0.044 EUR
9000+ 0.035 EUR
24000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MUN5137T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN5137T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5137T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5137T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5138T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5138T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 165000 Stücke:
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MUN5138T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5138T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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MUN5138T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW
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MUN5140RT1
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5140T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN5140T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5140T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5140T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5141T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
auf Bestellung 285000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
MUN5141T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5141T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5141T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
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MUN5211MOTOROLA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5211onsemionsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
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MUN5211-(TX)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5211DW1onsemionsemi SS SC88 BR XSTR NPN 50V
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MUN5211DW1T
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5211DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
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MUN5211DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211DW1T1
auf Bestellung 597000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3258+0.046 EUR
9000+ 0.032 EUR
15000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3258
MUN5211DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
auf Bestellung 33378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.36 EUR
12+ 0.26 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.072 EUR
3000+ 0.056 EUR
9000+ 0.048 EUR
24000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 8
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3437+0.044 EUR
9000+ 0.03 EUR
15000+ 0.029 EUR
24000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3437
MUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 30136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
69+ 0.26 EUR
140+ 0.13 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 48
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 31194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3135+0.048 EUR
9000+ 0.03 EUR
15000+ 0.029 EUR
24000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3135
MUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3665 Stücke:
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1786+0.085 EUR
1815+ 0.08 EUR
2370+ 0.059 EUR
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Mindestbestellmenge: 1786
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
696+0.22 EUR
880+ 0.17 EUR
905+ 0.16 EUR
1539+ 0.088 EUR
1786+ 0.073 EUR
1815+ 0.068 EUR
2370+ 0.05 EUR
3106+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 696
MUN5211DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.063 EUR
6000+ 0.059 EUR
9000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3135+0.048 EUR
9000+ 0.03 EUR
15000+ 0.029 EUR
24000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3135
MUN5211T1
auf Bestellung 2700 Stücke:
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MUN5211T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 310 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
MUN5211T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 59330 Stücke:
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MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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4546+0.033 EUR
9000+ 0.026 EUR
24000+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4546
MUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 384000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+ 0.043 EUR
9000+ 0.041 EUR
15000+ 0.038 EUR
21000+ 0.036 EUR
30000+ 0.034 EUR
75000+ 0.03 EUR
150000+ 0.028 EUR
300000+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1650+0.043 EUR
1825+ 0.039 EUR
2075+ 0.034 EUR
2300+ 0.031 EUR
2425+ 0.03 EUR
3000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 1650
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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2142+0.071 EUR
2160+ 0.068 EUR
3585+ 0.039 EUR
4505+ 0.03 EUR
6000+ 0.023 EUR
15000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 2142
MUN5211T1G
Produktcode: 113765		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MUN5211T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
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12+0.25 EUR
16+ 0.18 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.049 EUR
2500+ 0.042 EUR
10000+ 0.033 EUR
30000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 12
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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694+0.22 EUR
911+ 0.16 EUR
1049+ 0.13 EUR
2025+ 0.067 EUR
2142+ 0.061 EUR
2160+ 0.058 EUR
3585+ 0.033 EUR
4505+ 0.026 EUR
6000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 694
MUN5211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 59330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1650+0.043 EUR
1825+ 0.039 EUR
2075+ 0.034 EUR
2300+ 0.031 EUR
2425+ 0.03 EUR
3000+ 0.029 EUR
12000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 1650
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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4546+0.033 EUR
9000+ 0.026 EUR
24000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 4546
MUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 384634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
117+ 0.15 EUR
188+ 0.094 EUR
500+ 0.068 EUR
1000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5211T1G/DTC114EUPANASONIC09+ SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MUN5212
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5212DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 43833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5212DW1T1ON09+
auf Bestellung 27018 Stücke:
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MUN5212DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
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10+0.31 EUR
15+ 0.19 EUR
100+ 0.077 EUR
1000+ 0.056 EUR
3000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MUN5212DW1T1GON-Semicoductor2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 400
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 41886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6411+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 6411
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 11572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.4 EUR
70+ 0.25 EUR
113+ 0.16 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 44
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.051 EUR
9000+ 0.041 EUR
24000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.084 EUR
6000+ 0.076 EUR
9000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212PW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5212T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 110724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN5212T1ONSOT323
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 14350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.28 EUR
15+ 0.2 EUR
100+ 0.084 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.042 EUR
9000+ 0.035 EUR
45000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 91
MUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 12456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
88+ 0.2 EUR
162+ 0.11 EUR
500+ 0.086 EUR
1000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 91
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+ 0.047 EUR
9000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 130850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5212T1GON Semiconductor
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MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5212T2
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MUN5213MOTSOT-323
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213ON SemiconductorON Semiconductor SS SC70 BR XSTR NPN 50V
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MUN5213-T1
auf Bestellung 2091000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213/8CON09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 233800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T1ON07+;
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
auf Bestellung 233800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3116+0.049 EUR
6000+ 0.046 EUR
12000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3116
MUN5213DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 33146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.49 EUR
11+ 0.28 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.088 EUR
3000+ 0.069 EUR
9000+ 0.06 EUR
24000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.42 EUR
574+ 0.25 EUR
594+ 0.24 EUR
1250+ 0.11 EUR
1263+ 0.1 EUR
1482+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 356
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2017+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 2017
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.051 EUR
6000+ 0.049 EUR
12000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+ 0.081 EUR
9000+ 0.067 EUR
30000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1150+0.063 EUR
1275+ 0.056 EUR
1525+ 0.048 EUR
1600+ 0.045 EUR
12000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1150
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1250+0.12 EUR
1482+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 1250
MUN5213DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 12575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2037+0.074 EUR
3165+ 0.046 EUR
6000+ 0.044 EUR
12000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 2037
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2037+0.074 EUR
3165+ 0.046 EUR
6000+ 0.044 EUR
12000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 2037
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 38815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
50+ 0.36 EUR
102+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 34
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3096+0.049 EUR
6000+ 0.047 EUR
12000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3096
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.051 EUR
6000+ 0.049 EUR
12000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5213DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1150+0.063 EUR
1275+ 0.056 EUR
1525+ 0.048 EUR
1600+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1150
MUN5213DW1T1G
Produktcode: 174648		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5213DW1T3GON Semiconductor
auf Bestellung 19545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5213DW1T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
50+ 0.36 EUR
100+ 0.19 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.085 EUR
2000+ 0.076 EUR
5000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 40
MUN5213DW1T3GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 9164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.088 EUR
2500+ 0.083 EUR
10000+ 0.067 EUR
20000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
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MUN5213DW1T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5213RT1
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MUN5213T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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MUN5213T1
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MUN5213T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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MUN5213T1/CK
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MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5213T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70; SOT323
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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496+ 0.14 EUR
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2054+ 0.034 EUR
9000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 358
MUN5213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70; SOT323
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
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MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1G
Produktcode: 177311		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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961+ 0.15 EUR
971+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 678
MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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Mindestbestellmenge: 11
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1GON-SemicoductorNPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213
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MUN5213T2
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